公开(公告)号：CN102976326A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210543892.0

申请日：2012-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  杨明 ,  左一平 ,  陈战东 ,  姚江宏 ,  孔勇发 ,  唐柏权 ,  许京军

IPC: C01B33/021 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片置于加工腔内，经过飞秒激光在六氟化硫(SF6)气体中辐照硅片制备硫掺杂硅样品和飞秒激光辐照硫掺杂硅样品制备硫掺杂硅纳米颗粒两大步骤，制备出球形粒径范围为1-500nm的硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3。本发明能够快速的制备硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度高，而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法，控制颗粒的粒径和颗粒量。解决了通常制造硅纳米颗粒速度慢、工艺过程复杂、成本高的问题。

公开(公告)号：CN101894744A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010197397.X

申请日：2010-06-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 李娟 ,  尹春建 ,  熊绍珍 ,  杨明 ,  吴春亚 ,  孟志国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/312

Abstract: 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；在多晶硅表面旋涂一层光刻胶；通过湿法刻蚀的方法，用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层；将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是：可有效提高激光晶化多晶硅的性能，且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施，不会对形成的多晶硅造成任何影响；所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等，具有重要的实用价值。

公开(公告)号：CN109378269B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201811170358.3

申请日：2018-10-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  贾子熙 ,  进晓荣 ,  黄松 ,  杨明 ,  张春玲 ,  姚江宏 ,  许京军

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了一种对半导体表面过饱和掺杂且保持其晶格结构的制备方法。其是利用飞秒激光辐照半导体，在表面形成过饱和掺杂层。飞秒激光作用时间极短，瞬时功率极高，作用材料后降温速率极快，能通过与掺杂原子和半导体晶格的瞬时作用，将大量掺杂原子锁定在晶格中。对半导体加热，较高的衬底温度减缓飞秒激光作用后的瞬时超快降温速率，使缺陷不容易生成，从而保持其良好的晶格结构。本发明还具有工艺简单、易加工和易保存等优点，并且掺杂速度快，灵活性高，可以大面积加工也可以单点或沿预设路径加工。制备出的过饱和掺杂层在距表面0‑2000nm的深度范围内，掺杂浓度为1022‑1016Atoms/cm3，实现过饱和掺杂的同时保持晶格结构和掺杂原子活性。

公开(公告)号：CN103033496B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210543908.8

申请日：2012-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  杨明 ,  齐继伟 ,  马寅星 ,  陈战东 ,  张心正 ,  孙骞 ,  许京军

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种表面拉曼散射增强基底的制备方法。首先飞秒激光辐照硬质固体材料表面，制作大面积硬质微结构母版；其次利用纳米压印技术，向硬质微结构母版上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS)，复制硬质微结构母版上的结构，制备出PDMS模板；最后在PDMS模板上镀一层金膜，制备出PDMS表面增强拉曼散射基底。实验表明，本发明具有增强因子高，基底上不同位置的增强因子均匀性好，可制备大面积的表面拉曼散射增强基底，母版可重复压印，降低了生产成本，另外，采用金作拉曼增强金属，克服了银极易氧化的缺点。

公开(公告)号：CN103715292A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201410012447.0

申请日：2014-01-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  赵丽 ,  马寅星 ,  杨明 ,  陈战东 ,  潘玉松 ,  栗瑜梅 ,  姚江宏 ,  张心正 ,  许京军

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结，该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点，最突出的，该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内，-5V偏压下的响应度均大于为1A／W，在低偏压下实现了高增益。