公开(公告)号：CN103715292B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201410012447.0

申请日：2014-01-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  赵丽 ,  马寅星 ,  杨明 ,  陈战东 ,  潘玉松 ,  栗瑜梅 ,  姚江宏 ,  张心正 ,  许京军

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结，该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点，最突出的，该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内，-5V偏压下的响应度均大于为1A／W，在低偏压下实现了高增益。

公开(公告)号：CN103715292A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201410012447.0

申请日：2014-01-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  赵丽 ,  马寅星 ,  杨明 ,  陈战东 ,  潘玉松 ,  栗瑜梅 ,  姚江宏 ,  张心正 ,  许京军

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结，该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点，最突出的，该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内，-5V偏压下的响应度均大于为1A／W，在低偏压下实现了高增益。