公开(公告)号：CN102976326A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210543892.0

申请日：2012-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  杨明 ,  左一平 ,  陈战东 ,  姚江宏 ,  孔勇发 ,  唐柏权 ,  许京军

IPC: C01B33/021 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片置于加工腔内，经过飞秒激光在六氟化硫(SF6)气体中辐照硅片制备硫掺杂硅样品和飞秒激光辐照硫掺杂硅样品制备硫掺杂硅纳米颗粒两大步骤，制备出球形粒径范围为1-500nm的硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3。本发明能够快速的制备硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度高，而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法，控制颗粒的粒径和颗粒量。解决了通常制造硅纳米颗粒速度慢、工艺过程复杂、成本高的问题。

公开(公告)号：CN102976326B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210543892.0

申请日：2012-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  杨明 ,  左一平 ,  陈战东 ,  姚江宏 ,  孔勇发 ,  唐柏权 ,  许京军

IPC: C01B33/021 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片置于加工腔内，经过飞秒激光在六氟化硫(SF6)气体中辐照硅片制备硫掺杂硅样品和飞秒激光辐照硫掺杂硅样品制备硫掺杂硅纳米颗粒两大步骤，制备出球形粒径范围为1-500nm的硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3。本发明能够快速的制备硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度高，而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法，控制颗粒的粒径和颗粒量。解决了通常制造硅纳米颗粒速度慢、工艺过程复杂、成本高的问题。