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公开(公告)号:CN103715292B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201410012447.0
申请日:2014-01-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法,其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结,该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素;该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收;该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下,硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离,并向两边的电极运动,被电极收集后形成光电流,从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点,最突出的,该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内,-5V偏压下的响应度均大于为1A/W,在低偏压下实现了高增益。
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公开(公告)号:CN103033496A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210543908.8
申请日:2012-12-17
Applicant: 南开大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种表面拉曼散射增强基底的制备方法。首先飞秒激光辐照硬质固体材料表面,制作大面积硬质微结构母版;其次利用纳米压印技术,向硬质微结构母版上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS),复制硬质微结构母版上的结构,制备出PDMS模板;最后在PDMS模板上镀一层金膜,制备出PDMS表面增强拉曼散射基底。实验表明,本发明具有增强因子高,基底上不同位置的增强因子均匀性好,可制备大面积的表面拉曼散射增强基底,母版可重复压印,降低了生产成本,另外,采用金作拉曼增强金属,克服了银极易氧化的缺点。
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公开(公告)号:CN103033496B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201210543908.8
申请日:2012-12-17
Applicant: 南开大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种表面拉曼散射增强基底的制备方法。首先飞秒激光辐照硬质固体材料表面,制作大面积硬质微结构母版;其次利用纳米压印技术,向硬质微结构母版上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS),复制硬质微结构母版上的结构,制备出PDMS模板;最后在PDMS模板上镀一层金膜,制备出PDMS表面增强拉曼散射基底。实验表明,本发明具有增强因子高,基底上不同位置的增强因子均匀性好,可制备大面积的表面拉曼散射增强基底,母版可重复压印,降低了生产成本,另外,采用金作拉曼增强金属,克服了银极易氧化的缺点。
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公开(公告)号:CN103715292A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201410012447.0
申请日:2014-01-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法,其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结,该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素;该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收;该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下,硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离,并向两边的电极运动,被电极收集后形成光电流,从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点,最突出的,该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内,-5V偏压下的响应度均大于为1A/W,在低偏压下实现了高增益。
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