公开(公告)号：CN105111192A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510603487.7

申请日：2015-09-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 王宝雷 ,  李正名 ,  张丽媛 ,  张燕 ,  张晓 ,  李永红

IPC: C07D403/12 ,  C07D249/12 ,  A01P3/00 ,  A01P1/00 ,  A01P13/00

CPC classification number: C07D403/12 ,  C07D249/12

Abstract: 本发明属农用杀菌、除草剂领域，具体公开了一种含三氟甲基和哌嗪的三唑Mannich碱类化合物及制备方法和应用。本发明具有如通式I和II所示的结构式，式中R1、R2具有权利要求1所定义。本发明化合物对黄瓜枯萎病菌、花生褐斑病菌、苹果轮纹病菌、番茄早疫病菌、小麦纹枯病菌、小麦赤霉病菌等植物病菌有一定的离体抑制活性。特别是对苹果轮纹病菌、小麦纹枯病菌有较好的离体抑制活性。本发明的通式I和通式II化合物同时对油菜具有一定的除草活性，还对水稻KARI酶具有较好的离体抑制活性。本发明适用于对各种作物上菌害和草害的综合防治，以及对KARI酶活性的抑制。

公开(公告)号：CN103288669B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201310271570.X

申请日：2013-07-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵卫光 ,  于淑晶 ,  朱聪 ,  崔灿 ,  武瑞 ,  边强 ,  寇俊杰 ,  张晓 ,  杜秀江 ,  李正名

IPC: C07C235/34 ,  C07C235/38 ,  C07C243/28 ,  A01N37/36 ,  A01P1/00 ,  A01P3/00

Abstract: 本发明属于农药技术领域，涉及一种如式（I）所示的阿卓乳酸酰胺衍生物及其药学上可接受的盐，其中取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、X以及m和n具有在说明书中给出的定义，本发明还涉及通式（I）的化合物在防治植物致病菌中的应用。

公开(公告)号：CN100373635C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510122529.1

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  张晓 ,  赵飞 ,  李胜林

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30-50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。

公开(公告)号：CN105330651B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201510603490.9

申请日：2015-09-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 王宝雷 ,  李正名 ,  张丽媛 ,  张燕 ,  张晓

IPC: C07D405/04 ,  C07D401/14 ,  C07D403/12 ,  C07D405/14 ,  A01N43/653 ,  A01P3/00

Abstract: 本发明公开了含(杂)芳基和哌嗪的1，2，4‑三唑硫酮衍生物及制备方法和应用。该合成方法反应步骤少，条件简单温和，操作简捷，收率高。本发明具有如通式I和II所示的结构式，式中R1、R2、R3具有权利要求1所定义。本发明化合物对黄瓜枯萎病菌、花生褐斑病菌、苹果轮纹病菌、番茄早疫病菌、小麦赤霉病菌、小麦纹枯病菌等植物病菌有一定的离体抑制活性，尤其对黄瓜枯萎病菌、花生褐斑病菌、苹果轮纹病菌、小麦纹枯病菌有较高的离体抑制活性。本发明的通式I和通式II化合物同时具有水稻KARI酶离体抑制活性。本发明适用于对各种作物上菌害的综合防治。

公开(公告)号：CN103408465B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310322570.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵卫光 ,  于淑晶 ,  杜秀江 ,  边强 ,  王红学 ,  寇俊杰 ,  张晓 ,  王志鹏 ,  李正名

IPC: C07C271/22 ,  C07C269/06 ,  C07C251/48 ,  C07C217/58 ,  A01N47/12 ,  A01P3/00

Abstract: 本发明属于植物杀菌剂领域，涉及一种如通式（I）所示的N-二取代苯基甲基缬氨酰胺氨基甲酸酯衍生物及其药学上可接受的盐，其中取代基R1、R2、R3具有说明书中给出的定义，本发明还涉及通式（I）的化合物的制备方法、专门为其制备所开发的中间体以及其在防治植物病害的应用。

公开(公告)号：CN101345287B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810151233.6

申请日：2008-09-03

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  程雅慧 ,  张晓 ,  李鲁艳 ,  王维华 ,  罗晓光

IPC: H01L43/12

Abstract: 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法，特别是一种通过退火控制多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率升高或降低的方法。该方法解决了自旋注入过程中的电阻率不匹配问题，满足向各种具有不同电阻率的半导体材料中注入自旋的实际需要。该方法的优点是简单易行，容易有效地调节多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率，并且所用方法实用性较好，易于工业化。

公开(公告)号：CN100433375C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510122528.7

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  蔡宏琨 ,  张晓 ,  李胜林

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200-230℃褪火1-3小时，水温至50-80℃加热，超声波清洗衬底30-60分钟，120-140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。

公开(公告)号：CN1819281A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510122528.7

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  蔡宏琨 ,  张晓 ,  李胜林

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200－230℃褪火1－3小时，水温至50－80℃加热，超声波清洗衬底30－60分钟，120－ 140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。

公开(公告)号：CN1819274A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510122529.1

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  张晓 ,  赵飞 ,  李胜林

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30－50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。

公开(公告)号：CN1818129A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610013295.1

申请日：2006-03-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宏琨 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  冯凯 ,  张晓 ,  崔光龙 ,  陶科 ,  席强 ,  张德贤

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10－2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压－8.0kv等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90％，电阻率为2.168×10－4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为－4.55×10－2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。