公开(公告)号：CN107104119B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201710213973.7

申请日：2017-04-01

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  袁佳磊 ,  高绪敏 ,  朱桂遐 ,  蔡玮 ,  秦川

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/58 ,  H01L21/784

Abstract: 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面，上台面与InGaN/GaN量子阱的底面连接，下台面上设置有n‑电极，n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层、p‑电极和n‑电极构成LED器件，LED器件上集成有光波导，在光波导上有支撑结构，在n‑GaN层下方设置有与p‑电极、n‑电极、耦合区和光波导的位置正对且贯穿硅衬底层、外延缓冲层的空腔。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输难题的同时，采用直波导耦合互连的方式，实现了片内不同光子器件之间的互连。

公开(公告)号：CN105445854B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201510752581.9

申请日：2015-11-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  朱桂遐 ,  白丹 ,  许银 ,  朱洪波

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/138 ,  G02B6/132 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明提供一种硅衬底悬空LED光波导集成光子器件及其制备方法，该器件利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层和外延缓冲层，得到悬空氮化物薄膜LED光波导集成光子器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的硅衬底悬空LED光波导集成光子器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，解决了平面光子单片集成的难题，同时可使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输的难题，实现光在平面传输的功能。

公开(公告)号：CN105633194B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610132116.X

申请日：2016-03-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  袁威 ,  高绪敏 ,  蔡玮 ,  白丹 ,  许银 ,  朱桂遐 ,  袁炜

IPC: H01L31/173 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，晶体管一端作为LED光源，另一端作为光电探测器，由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，将光信号转成电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性；该晶体管作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射；本发明晶体管可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。

公开(公告)号：CN107169564A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710192315.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  朱桂遐 ,  杨永超 ,  李永航 ,  袁佳磊 ,  蔡玮

IPC: G06N3/067

Abstract: 本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法，该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体，包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层，设置在n‑GaN层上的发射极和集电极，发射极和集电极结构相同，均包括一个上台面和从下至上依次连接设置在上台面上的n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和p‑电极，所述发射极分别通过波导与集电极连接，n‑GaN层下方设置有空腔，使所述光致突触晶体管和波导悬空。本发明首次实现了以光子取代电子或者质子作为信息载体来模拟神经递质的传输，模拟出人脑的时间累积、空间累积和时空混合累积及识别效应，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。