微纳光谱成像装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103884656A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410057846.9

    申请日:2014-02-20

    Abstract: 本发明公开了一种微纳光谱成像装置,包括入射光路和用于接收样品的反射光并进行成像的反射光路。入射光路为装置提供入射光,包括沿水平方向依次设置的光源装置、准直物镜、第一光阑、线性偏振片、可移除凸透镜、分光片和垂直光路;反射光路是由样品反射光形成的光路,用于获得样品图像,并可测量样品角分辨反射傅里叶信息。本发明通过获取样品实像和样品反射光谱傅里叶信息,对样品进行表征,能够用于电致发光和光致发光晶体的测量。

    一种光子惯导芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN115267971B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202210954356.3

    申请日:2022-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种光子惯导芯片及其制备方法,包括布置在SOI晶片上的光子陀螺与加速度计,所述光子陀螺包括环形谐振腔,及连接在环形谐振腔上的第一直波导与第二直波导;所述加速度计包括跑道型谐振腔,所述跑道型谐振腔的一条直边上连接第三直波导,另一条直边上设置有质量块,所述质量块的下方设置有悬空区域;第一直波导与第二直波导的输入端连接第二Y分支波导的输出端,第二Y分支波导的输入端及第三直波导通过第一Y分支波导连接,接收输入端耦合光栅的光信号,实现了惯导芯片的集成化与微型化,提高灵敏度。

    一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114336278B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202111443872.1

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明公开一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法,所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体,包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、二氧化硅支柱层、二氧化硅圆盘层、氧化锌圆盘层;所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层、二氧化硅圆盘层、二氧化硅支柱层直至二氧化硅层的孔洞。本发明激光发射器具有极高的光学增益和极低的损耗,利于光电子器件集成,具有高品质低阈值低损耗的优势,其制备方法具有工艺性好、加工精度高的优势。

    Si-GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法

    公开(公告)号:CN115189226A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210782463.2

    申请日:2022-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种Si‑GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法,激光器以硅基氮化物晶片为载体,从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、N型氮化镓层,量子井层,P型氮化镓层和设置在氮化镓层上表面的电极。悬臂梁和两侧电极支架构成器件主体,电极结构则采用悬臂梁配合电极正下方支撑体的结构。本发明在硅衬底上的氮化物材料上,利用光刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺,实现两侧引脚支持结构的上下分层,以达到控制电流导通的目的,并用蒸镀方法制备Au电极结构。本发明在光激发条件下通过光谱仪对出射激光进行光谱分析协同电源对电流的调节引入焦耳热构成负反馈机制,实现对出射激光的模式的调控。

    一种基于GaN发光二极管的手持式液体浓度传感器

    公开(公告)号:CN114047143A

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202111145169.2

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 本发明公开一种基于氮化镓发光二极管的手持式液体浓度传感器,包括握持件和设置于握持件端部的U形槽,所述握持件和U形槽一体化成型;所述握持件内集成有电源和数据采集模块,所述U形槽的相对的两个内侧分别设有发光二极管和光电探测器;所述电源分别与数据采集模块、发光二极管和光电探测器相连,所述数据采集模块与光电探测器相连;所述发光二极管和光电探测器的外表面分别形成有防水层,所述防水层与U形槽一体化成型。本发明结构简单、造价低且适合大范围应用。

    一种电泵加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113624992A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110847839.9

    申请日:2021-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种电泵加速度传感器及其制备方法,所述加速度传感器包括质量块和悬空波导结构,质量块设置在悬空波导结构的中间位置;悬空波导结构包括从下到上依次设置的硅衬底层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、p型电极和n型电极,其中,量子阱层设置在n型氮化镓层上表面的一侧,硅衬底层支撑u型氮化镓层下方的两端。所述制备方法在硅衬底氮化物外延片上,利用光刻、ICP干法刻蚀、硅湿法刻蚀工艺制备悬空波导结构的氮化物微腔。本发明将光源与传感器件聚焦在一个氮化镓的悬空波导光学谐振腔上,制备的加速度传感器可以进行高密度的光电集成,具有更高的分辨率和灵敏度。

    一种光子陀螺芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN110082858B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201910337314.3

    申请日:2019-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种光子陀螺芯片及其制备方法,属于集成芯片领域。包括激光器、Y分支波导、谐振腔、直波导一、探测器一和探测器二;所述Y分支波导的一端连接激光器,另一端连接谐振腔;所述谐振腔上连接有直波导一;所述直波导一的一端连接探测器一、另一端连接探测器二。本发明提高了光学陀螺的集成度和灵敏度。

    面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN108333679B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201810144374.9

    申请日:2018-02-11

    Abstract: 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法,实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片,硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物,顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小,具有高度的集成性,可应用于光子计算及可见光通信等领域,提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。

    微纳光谱成像装置
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103884656B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201410057846.9

    申请日:2014-02-20

    Abstract: 本发明公开了一种微纳光谱成像装置,包括入射光路和用于接收样品的反射光并进行成像的反射光路。入射光路为装置提供入射光,包括沿水平方向依次设置的光源装置、准直物镜、第一光阑、线性偏振片、可移除凸透镜、分光片和垂直光路;反射光路是由样品反射光形成的光路,用于获得样品图像,并可测量样品角分辨反射傅里叶信息。本发明通过获取样品实像和样品反射光谱傅里叶信息,对样品进行表征,能够用于电致发光和光致发光晶体的测量。

    氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法

    公开(公告)号:CN103972789A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410134928.9

    申请日:2014-04-04

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法,光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层,氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂,非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔,使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空,非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接,实现微腔内部光全反射传播,最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。

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