公开(公告)号：CN114336278A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111443872.1

申请日：2021-11-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  高菲 ,  秦飞飞

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明公开一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法，所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、二氧化硅支柱层、二氧化硅圆盘层、氧化锌圆盘层；所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层、二氧化硅圆盘层、二氧化硅支柱层直至二氧化硅层的孔洞。本发明激光发射器具有极高的光学增益和极低的损耗，利于光电子器件集成，具有高品质低阈值低损耗的优势，其制备方法具有工艺性好、加工精度高的优势。

公开(公告)号：CN114336278B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202111443872.1

申请日：2021-11-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  高菲 ,  秦飞飞

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明公开一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法，所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、二氧化硅支柱层、二氧化硅圆盘层、氧化锌圆盘层；所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层、二氧化硅圆盘层、二氧化硅支柱层直至二氧化硅层的孔洞。本发明激光发射器具有极高的光学增益和极低的损耗，利于光电子器件集成，具有高品质低阈值低损耗的优势，其制备方法具有工艺性好、加工精度高的优势。