一种通过拉伸应变诱导得到CsPbBr3铁电单晶薄膜的方法

    公开(公告)号:CN113638051B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202010341325.1

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种通过拉伸应变诱导得到CsPbBr3铁电单晶薄膜的方法,通过对厚度为2 nm~100 nm的任意晶面的CsPbBr3单晶薄膜表面的一个晶向施加1.1%~9.8%的拉伸应变或者对(100)c、(010)c或(001)c三种伪立方晶面的CsPbBr3单晶薄膜表面的两个相互垂直的晶向同时施加等量的0.68%~6.24%的拉伸应变,诱导CsPbBr3单晶薄膜由高对称结构顺电相向低对称结构铁电相转变,进而得到具有铁电性能的CsPbBr3单晶薄膜。本发明避免了使用元素掺杂等复杂手段,通过简单机械拉伸方法即可直接在室温下获得具有铁电性能的CsPbBr3单晶薄膜,进而有效调控CsPbBr3的光电转换效率,能够进一步提高CsPbBr3基器件的发光等性能。

    一种张应变可逆动态调控的MAxFA1-xPbI3单晶薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113540354A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202010285495.2

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种张应变可逆动态调控的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜及其制备方法,通过对厚度为2nm~220nm的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜,0.6≤x≤1,对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量,诱导MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜由高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变,进而制备出具有强铁电性的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜。本发明方法可通过简单的步骤获得具有强铁电性能的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜,对于进一步提高钙钛矿太阳能电池等光伏器件的光电转换效率具有重要意义。

    一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113529167A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202010285496.7

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法,该单晶薄膜材料通过特殊旋涂法在弹性聚合物表面生长获得,该薄膜材料为最大面积可达100 cm2、厚度小于10μm的立方相CsPbBr3(100)单晶薄膜,且该单晶薄膜表面粗糙度Ra不超过15 nm。此外,通过该方法制备的单晶薄膜具备较好弹性,沿该单晶薄膜表面单一方向进行机械拉伸,其最大应变量可达到11.23%,而沿平面内相互垂直的两个方向同时进行相同应变的机械拉伸,其单个方向上最大应变量可达到5.33%,有利于CsPbBr3基器件应用领域的拓展以及进一步通过应力调节开发单晶薄膜光电相关性能。

    一种复合高温压电陶瓷材料

    公开(公告)号:CN107244913A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201710357002.X

    申请日:2017-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种复合高温压电陶瓷材料。所述陶瓷材料成分以通式Bi3TaTiO9‑xBiFeO3来表示,其中x为BiFeO3与Bi3TaTiO9的重量百分比,且x=20wt%~50wt%。所述材料的制备过程为:首先分别合成Bi3TaTiO9粉体和BiFeO3粉体,然后将Bi3TaTiO9陶瓷粉和BiFeO3陶瓷粉球磨混合烧结成瓷。本发明的复合高温压电陶瓷材料的压电常数d33达到24pC/N,是单相Bi3TaTiO9陶瓷材料的1.8倍,在500℃高温环境下具有较大的电阻率,ρ约为104Ω·m。本发明的复合陶瓷材料适用于制备在高温环境下使用的压电驱动器以及压电传感器。

    一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜

    公开(公告)号:CN105355714B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510753796.2

    申请日:2015-11-06

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜,所述薄膜成分以通式Bi2(1-x)A2x(FeCr)1-yB2yO6(1-δ)来表示,其中A为Gd元素,B为Ni元素,且x=0.04~0.075,y=0.06~0.1,δ=0.05~0.3。所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法为先采用固相烧结法制备靶材,再利用脉冲激光沉积法生长出均匀致密的薄膜。本发明所述的经掺杂后的双层钙钛矿薄膜具有铁电和N型半导体特征,相对其他铁电薄膜,具有更大的光伏效应开路电压(1.0~1.2V),更大的光伏效应短路电流密度(13~40mA/cm2)。

    一种自清洁喷涂液制造及使用方法

    公开(公告)号:CN103849261B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201210514852.3

    申请日:2012-12-05

    Abstract: 本发明揭示了一种自清洁喷涂液制造及使用方法,通过水热合成法制备TiO2胶体溶液,将其以一定比例溶入有机溶剂制成自清洁喷涂液。经过简单喷涂或刷涂方式,可快速在玻璃、金属、卫浴陶瓷及墙体表面形成持久的保护涂层,该涂层具有自清洁能力,在太阳光的照射下,有效降解有机物且与水的接触角能达到小于5°,很好地实现防雨雾自清洁等性能。

    一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113529167B

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202010285496.7

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法,该单晶薄膜材料通过特殊旋涂法在弹性聚合物表面生长获得,该薄膜材料为最大面积可达100 cm2、厚度小于10μm的立方相CsPbBr3(100)单晶薄膜,且该单晶薄膜表面粗糙度Ra不超过15 nm。此外,通过该方法制备的单晶薄膜具备较好弹性,沿该单晶薄膜表面单一方向进行机械拉伸,其最大应变量可达到11.23%,而沿平面内相互垂直的两个方向同时进行相同应变的机械拉伸,其单个方向上最大应变量可达到5.33%,有利于CsPbBr3基器件应用领域的拓展以及进一步通过应力调节开发单晶薄膜光电相关性能。

    一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113584594B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202010368474.7

    申请日:2020-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法,所述单晶薄膜以CH3NH3PbI3为母体,在铅位掺杂La,得到分子式为CH3NH3Pb1‑xLa2x/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜,在铅位掺杂Sm,得到分子式为CH3NH3Pb1‑ySm2y/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜,在铅位掺杂Pr,得到分子式为CH3NH3Pb1‑zPrzI3(z=0.005‑0.27)的单晶薄膜。本发明通过La、Sm、Pr元素的掺杂有效的提高了载流子的饱和极化强度、剩余极化强度、压电系数和迁移率,铅位取代较大地提高了其光电性能,且降低了重金属铅带来的毒性,该工艺简单,制备过程易于控制,重复性高。

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