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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355714B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510753796.2
申请日：2015-11-06
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，所述薄膜成分以通式Bi2(1-x)A2x(FeCr)1-yB2yO6(1-δ)来表示，其中A为Gd元素，B为Ni元素，且x＝0.04～0.075，y＝0.06～0.1，δ＝0.05～0.3。所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法为先采用固相烧结法制备靶材，再利用脉冲激光沉积法生长出均匀致密的薄膜。本发明所述的经掺杂后的双层钙钛矿薄膜具有铁电和N型半导体特征，相对其他铁电薄膜，具有更大的光伏效应开路电压(1.0～1.2V)，更大的光伏效应短路电流密度(13～40mA/cm2)。
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公开(公告)号：CN103343315B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310223929.6
申请日：2013-06-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe1-xAxO3，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn元素中的一种或两种，且其厚度为15-500nm，电阻率为8.6×10-5-3×10-3Ω·cm，n型载流子浓度为1.4×1019-1.6×1022cm-3。本发明通过调节掺杂量，精确调控其电阻率、n型载流子浓度等半导体性能，在电子元器件、光电探测器和太阳能电池等领域具有巨大的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN105355714A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510753796.2
申请日：2015-11-06
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/28 , H01L31/02 , H01L31/02005 , H01L31/02008
Abstract: 本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，所述薄膜成分以通式Bi2(1-x)A2x(FeCr)1-yB2yO6(1-δ)来表示，其中A为Gd元素，B为Ni元素，且x＝0.04～0.075，y＝0.06～0.1，δ＝0.05～0.3。所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法为先采用固相烧结法制备靶材，再利用脉冲激光沉积法生长出均匀致密的薄膜。本发明所述的经掺杂后的双层钙钛矿薄膜具有铁电和N型半导体特征，相对其他铁电薄膜，具有更大的光伏效应开路电压(1.0～1.2V)，更大的光伏效应短路电流密度(13～40mA/cm2)。
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公开(公告)号：CN103325410A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245548.8
申请日：2013-06-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种光读取铁电存储器存储状态的方法。包括以下步骤：根据铁电存储单元材料的禁带宽度来选取相应的光源波长；采用上述光源在5-500µW/cm2光功率密度下读取电流，确定电流方向；极化方向与所读取的电流方向相反，从而确定其极化状态。该方法通过识别波长为200-950nm的光照射铁电存储单元所产生的电流的方向，来读出铁电极化方向，是非电压式非破坏性读出，可用于制造读写速度更快、体积更小、能耗更低、可靠性更强的新型非挥发铁电存储器，尤其适用于制造要求进行非常频繁的读出操作的存储器。
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公开(公告)号：CN103343315A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310223929.6
申请日：2013-06-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe1-xAxO3，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn元素中的一种或两种，且其厚度为15-500nm，电阻率为8.6×10-5-3×10-3Ω·cm，n型载流子浓度为1.4×1019-1.6×1022cm-3。本发明通过调节掺杂量，精确调控其电阻率、n型载流子浓度等半导体性能，在电子元器件、光电探测器和太阳能电池等领域具有巨大的实际应用价值。
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