公开(公告)号：CN113540354B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202010285495.2

申请日：2020-04-13

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 朱逸 ,  吕兴杰 ,  袁国亮

IPC: H10K30/10 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50 ,  H10K30/80 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种张应变可逆动态调控的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜及其制备方法，通过对厚度为2nm~220nm的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜，0.6≤x≤1，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量，诱导MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜由高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变，进而制备出具有强铁电性的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜。本发明方法可通过简单的步骤获得具有强铁电性能的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜，对于进一步提高钙钛矿太阳能电池等光伏器件的光电转换效率具有重要意义。

公开(公告)号：CN113540354A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202010285495.2

申请日：2020-04-13

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 朱逸 ,  吕兴杰 ,  袁国亮

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明公开了一种张应变可逆动态调控的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜及其制备方法，通过对厚度为2nm~220nm的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜，0.6≤x≤1，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量，诱导MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜由高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变，进而制备出具有强铁电性的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜。本发明方法可通过简单的步骤获得具有强铁电性能的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜，对于进一步提高钙钛矿太阳能电池等光伏器件的光电转换效率具有重要意义。

公开(公告)号：CN113594356A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202010366737.0

申请日：2020-04-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 吕兴杰 ,  赵泽恩 ,  袁国亮

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI3 0‑3复合的薄膜材料，以平均粒径12~18 nm的0维铁电材料，将该0维铁电材料均匀分布于MAxFA1‑xPbI3形成的3维连通的骨架之中，得到所述的薄膜材料。与现有卤素钙钛矿薄膜相比，铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI30‑3复合的薄膜材料内部具有大量纳米铁电畴，能有效降低光生电子‑空穴对的复合，提高材料的光伏性能，形成了一类全新的MAxFA1‑xPbI3铁电半导体材料。