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公开(公告)号:CN105355714A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201510753796.2
申请日:2015-11-06
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/28 , H01L31/02 , H01L31/02005 , H01L31/02008
Abstract: 本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜,所述薄膜成分以通式Bi2(1-x)A2x(FeCr)1-yB2yO6(1-δ)来表示,其中A为Gd元素,B为Ni元素,且x=0.04~0.075,y=0.06~0.1,δ=0.05~0.3。所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法为先采用固相烧结法制备靶材,再利用脉冲激光沉积法生长出均匀致密的薄膜。本发明所述的经掺杂后的双层钙钛矿薄膜具有铁电和N型半导体特征,相对其他铁电薄膜,具有更大的光伏效应开路电压(1.0~1.2V),更大的光伏效应短路电流密度(13~40mA/cm2)。
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公开(公告)号:CN106565235A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201610904233.3
申请日:2016-10-18
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/475 , C04B41/88
CPC classification number: C04B35/475 , C04B41/009 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/327 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B41/0072
Abstract: 本发明公开了一种复合高温压电陶瓷材料,复合高温压电陶瓷材料包括两相陶瓷,一相为CaBi4Ti4O15陶瓷,另一相为BiFeO3陶瓷,其通式为CaBi4Ti4O15‑xBiFeO3,其中,x为0.2~0.4。本发明还公开了复合高温压电陶瓷材料制备方法。本发明的复合压电陶瓷材料其压电常数、电阻率都大于单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料,这就使得复合压电陶瓷材料比单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料更适合用于制备高温条件下工作的压电传感器件以及压电驱动器。且其制备方法具有工艺稳定,操作简单,无需特殊设备和苛刻条件,易于规模化生产的优点。
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公开(公告)号:CN105355714B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201510753796.2
申请日:2015-11-06
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜,所述薄膜成分以通式Bi2(1-x)A2x(FeCr)1-yB2yO6(1-δ)来表示,其中A为Gd元素,B为Ni元素,且x=0.04~0.075,y=0.06~0.1,δ=0.05~0.3。所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法为先采用固相烧结法制备靶材,再利用脉冲激光沉积法生长出均匀致密的薄膜。本发明所述的经掺杂后的双层钙钛矿薄膜具有铁电和N型半导体特征,相对其他铁电薄膜,具有更大的光伏效应开路电压(1.0~1.2V),更大的光伏效应短路电流密度(13~40mA/cm2)。
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公开(公告)号:CN103803962A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201410073945.6
申请日:2014-03-03
Applicant: 南京理工大学 , 江苏省(丹阳)高性能合金材料研究院
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钪掺杂铁酸铋压电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料为压电体,分子式为Bi1-xScxFeO3,其中x为0.01-0.8,且其厚度为0.1-3mm,居里温度为400-800℃,压电常数d33为50-200pC/N,剩余电极化强度为10-40μC/cm2,在25-300℃温度范围内,电阻率随着温度升高而减小,电阻率在105-1011Ω·m内变化。本发明通过按化学计量比配比原料和烧结的方式,获得钪掺杂铁酸铋压电陶瓷。该材料具有高电阻率和高居里温度,可以在高温下稳定使用,在换能器、驱动器和传感器等领域具有巨大的实际应用价值。
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公开(公告)号:CN106565235B
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN201610904233.3
申请日:2016-10-18
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/475 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种复合高温压电陶瓷材料,复合高温压电陶瓷材料包括两相陶瓷,一相为CaBi4Ti4O15陶瓷,另一相为BiFeO3陶瓷,其通式为CaBi4Ti4O15‑xBiFeO3,其中,x为0.2~0.4。本发明还公开了复合高温压电陶瓷材料制备方法。本发明的复合压电陶瓷材料其压电常数、电阻率都大于单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料,这就使得复合压电陶瓷材料比单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料更适合用于制备高温条件下工作的压电传感器件以及压电驱动器。且其制备方法具有工艺稳定,操作简单,无需特殊设备和苛刻条件,易于规模化生产的优点。
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