一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜

    公开(公告)号:CN105355714B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510753796.2

    申请日:2015-11-06

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜,所述薄膜成分以通式Bi2(1-x)A2x(FeCr)1-yB2yO6(1-δ)来表示,其中A为Gd元素,B为Ni元素,且x=0.04~0.075,y=0.06~0.1,δ=0.05~0.3。所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法为先采用固相烧结法制备靶材,再利用脉冲激光沉积法生长出均匀致密的薄膜。本发明所述的经掺杂后的双层钙钛矿薄膜具有铁电和N型半导体特征,相对其他铁电薄膜,具有更大的光伏效应开路电压(1.0~1.2V),更大的光伏效应短路电流密度(13~40mA/cm2)。

    复合高温压电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106565235B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN201610904233.3

    申请日:2016-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种复合高温压电陶瓷材料,复合高温压电陶瓷材料包括两相陶瓷,一相为CaBi4Ti4O15陶瓷,另一相为BiFeO3陶瓷,其通式为CaBi4Ti4O15‑xBiFeO3,其中,x为0.2~0.4。本发明还公开了复合高温压电陶瓷材料制备方法。本发明的复合压电陶瓷材料其压电常数、电阻率都大于单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料,这就使得复合压电陶瓷材料比单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料更适合用于制备高温条件下工作的压电传感器件以及压电驱动器。且其制备方法具有工艺稳定,操作简单,无需特殊设备和苛刻条件,易于规模化生产的优点。

Patent Agency Ranking