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公开(公告)号：CN113529167A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010285496.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法，该单晶薄膜材料通过特殊旋涂法在弹性聚合物表面生长获得，该薄膜材料为最大面积可达100 cm2、厚度小于10μm的立方相CsPbBr3（100）单晶薄膜，且该单晶薄膜表面粗糙度Ra不超过15 nm。此外，通过该方法制备的单晶薄膜具备较好弹性，沿该单晶薄膜表面单一方向进行机械拉伸，其最大应变量可达到11.23%，而沿平面内相互垂直的两个方向同时进行相同应变的机械拉伸，其单个方向上最大应变量可达到5.33%，有利于CsPbBr3基器件应用领域的拓展以及进一步通过应力调节开发单晶薄膜光电相关性能。
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公开(公告)号：CN113529167B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010285496.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法，该单晶薄膜材料通过特殊旋涂法在弹性聚合物表面生长获得，该薄膜材料为最大面积可达100 cm2、厚度小于10μm的立方相CsPbBr3（100）单晶薄膜，且该单晶薄膜表面粗糙度Ra不超过15 nm。此外，通过该方法制备的单晶薄膜具备较好弹性，沿该单晶薄膜表面单一方向进行机械拉伸，其最大应变量可达到11.23%，而沿平面内相互垂直的两个方向同时进行相同应变的机械拉伸，其单个方向上最大应变量可达到5.33%，有利于CsPbBr3基器件应用领域的拓展以及进一步通过应力调节开发单晶薄膜光电相关性能。
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公开(公告)号：CN113671425A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010366784.5
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法。所述耐高温的柔性磁电传感器包括磁致伸缩材料层，压电材料层，其中磁致伸缩材料层是Terfenol‑D单晶薄片，压电材料层是BiScO3‑PbTiO3压电陶瓷薄片。磁致伸缩材料层与压电材料层之间使用高温银胶粘结，从而得到耐高温的柔性磁电传感器。本发明所制备的磁电传感器具有高灵敏度、小型化、柔性、高温工作、功耗低、成本低的突出综合性能优势，在国防安全、智能交通、先进制造等涉及高温的领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113671425B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010366784.5
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法。所述耐高温的柔性磁电传感器包括磁致伸缩材料层，压电材料层，其中磁致伸缩材料层是Terfenol‑D单晶薄片，压电材料层是BiScO3‑PbTiO3压电陶瓷薄片。磁致伸缩材料层与压电材料层之间使用高温银胶粘结，从而得到耐高温的柔性磁电传感器。本发明所制备的磁电传感器具有高灵敏度、小型化、柔性、高温工作、功耗低、成本低的突出综合性能优势，在国防安全、智能交通、先进制造等涉及高温的领域具有广泛的应用前景。
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