公开(公告)号：CN113584594B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202010368474.7

申请日：2020-04-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 曾寿信 ,  赵泽恩 ,  袁国亮

IPC: C30B29/54 ,  C30B19/00

Abstract: 本发明公开了一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法，所述单晶薄膜以CH3NH3PbI3为母体，在铅位掺杂La，得到分子式为CH3NH3Pb1‑xLa2x/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Sm，得到分子式为CH3NH3Pb1‑ySm2y/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Pr，得到分子式为CH3NH3Pb1‑zPrzI3(z=0.005‑0.27)的单晶薄膜。本发明通过La、Sm、Pr元素的掺杂有效的提高了载流子的饱和极化强度、剩余极化强度、压电系数和迁移率，铅位取代较大地提高了其光电性能，且降低了重金属铅带来的毒性，该工艺简单，制备过程易于控制，重复性高。

公开(公告)号：CN113584594A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202010368474.7

申请日：2020-04-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 曾寿信 ,  赵泽恩 ,  袁国亮

IPC: C30B29/54 ,  C30B19/00

Abstract: 本发明公开了一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法，所述单晶薄膜以CH3NH3PbI3为母体，在铅位掺杂La，得到分子式为CH3NH3Pb1‑xLa2x/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Sm，得到分子式为CH3NH3Pb1‑ySm2y/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Pr，得到分子式为CH3NH3Pb1‑zPrzI3(z=0.005‑0.27)的单晶薄膜。本发明通过La、Sm、Pr元素的掺杂有效的提高了载流子的饱和极化强度、剩余极化强度、压电系数和迁移率，铅位取代较大地提高了其光电性能，且降低了重金属铅带来的毒性，该工艺简单，制备过程易于控制，重复性高。