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公开(公告)号：CN105244414A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510678656.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/074
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。
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公开(公告)号：CN113611701B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110853004.4
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面以及两薄膜连接处上表面的三个电极；方法包括：在CVD管式炉前端温区中放入硫粉并加热；将MoO3放置于钼片上后，将带有介质层的硅片倒扣于该钼片上并一同放入CVD管式炉的后端温区，通入惰性气体并加热保温，以形成N型掺杂硫化钼薄膜；将N型薄膜上表面部分遮挡后进行等离子体掺杂，使未被遮挡的部分被掺杂成P型掺杂硫化钼薄膜；制备三个电极，得到基于硫化钼的CMOS反相器。本发明中薄膜受损较小，CMOS反相器整体性能较好。
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公开(公告)号：CN113206159B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110437540.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113611701A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110853004.4
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面以及两薄膜连接处上表面的三个电极；方法包括：在CVD管式炉前端温区中放入硫粉并加热；将MoO3放置于钼片上后，将带有介质层的硅片倒扣于该钼片上并一同放入CVD管式炉的后端温区，通入惰性气体并加热保温，以形成N型掺杂硫化钼薄膜；将N型薄膜上表面部分遮挡后进行等离子体掺杂，使未被遮挡的部分被掺杂成P型掺杂硫化钼薄膜；制备三个电极，得到基于硫化钼的CMOS反相器。本发明中薄膜受损较小，CMOS反相器整体性能较好。
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公开(公告)号：CN109004054B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810760180.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置了氧化石墨烯中间层，通过氧化石墨烯中间层与P型单晶硅衬底接触，由于氧化石墨烯中含有氢键可以与P型单晶硅衬底表面的悬挂键结合，从而降低了P型单晶硅衬底的表面态，有利于提升电池的开路电压和短路电流，进一步提升本发明的硫化钼薄膜异质结太阳能电池的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108899267A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810648685.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二硫化钼薄膜。本发明的制备方法可以实现硫化钼生长与掺杂一步完成。使用该方法制备金属掺杂的二硫化钼薄膜均匀性好，面积大，并且可以根据金属盐溶液的浓度调节掺杂浓度。通过改变激光辐射的功率、光斑大小和脉冲数目能够实现对晶体结晶形貌的控制。本发明制备方法容易操作，重复率高，制备时间短，效率高。
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公开(公告)号：CN108091699A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711358320.4
申请日：2017-12-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化钼薄膜采用激光照射方法合成，源漏电极材料为双层金属，采用电子束蒸发工艺制备而成，源漏电极材料与二硫化钼薄膜表面接触紧密，接触电阻小。本发明制备的柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件，工艺简单方便，并且在整个工艺流程中的制备温度低于150度，适合于制备柔性电子器件。此制备方法制备出的柔性底栅结构的MoS2TFT器件不仅结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。
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公开(公告)号：CN107768432A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710791037.4
申请日：2017-09-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y30/00 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种二维二硫化钼底栅型TFT器件结构及其制备方法；TFT器件结构包括：从下往上依次设置的p/n型单晶硅、SiO2层、MoS2薄膜层和Ti/Ni/Au源漏电极；p/n型单晶硅厚度为(200～500)微米；SiO2层的厚度为(50～300)nm；MoS2薄膜层的厚度为(0.7～2.1)nm；Ti/Ni/Au源漏电极厚度为：Ti为(5～15)nm，Ni为(5～15)nm，Au为(50～70)nm。源、漏电极材料为Ti/Ni/Au复合金属，使用电子束蒸发工艺制备而成，此电极材料与二维二硫化钼功函数接近，接触电阻小。本发明结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。
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公开(公告)号：CN106409935A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610908370.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0725 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0725 , H01L31/032 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池及其制备方法。包括聚酰亚胺（PI）柔性衬底、Al背极、MoO3空穴传输层、MoS2电子空穴激发层、LiF电子传输层、石墨烯透明导电层、Al栅极。所述MoO3层采用溶液法低温制备，便于大面积批量生产；MoS2采用CVD法原位硫化形成，同时对MoO3层进行退火，可以减少MoO3空穴传输层与MoS2层之间的界面缺陷，减少了界面污染；热辐射蒸发LiF层，较薄的空穴传输层和电子传输层厚度，一方面减少了串联电阻，另一方面实现了与MoS2、石墨烯等二维层状材料形成良好柔性异质结太阳能电池。MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池具有低温制备、工艺简单、成本低廉、光电转换效率高、应用范围广等优势。
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公开(公告)号：CN113594240B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110821720.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/73 , H01L29/24 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层，旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层，在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液，去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极，得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成，解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤，影响器件性能的问题。
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