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公开(公告)号：CN108091699B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201711358320.4
申请日：2017-12-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化钼薄膜采用激光照射方法合成，源漏电极材料为双层金属，采用电子束蒸发工艺制备而成，源漏电极材料与二硫化钼薄膜表面接触紧密，接触电阻小。本发明制备的柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件，工艺简单方便，并且在整个工艺流程中的制备温度低于150度，适合于制备柔性电子器件。此制备方法制备出的柔性底栅结构的MoS2TFT器件不仅结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。
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公开(公告)号：CN109616541A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811268681.4
申请日：2018-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p-n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p-n结有效降低了p-n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。
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公开(公告)号：CN109004054A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810760180.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置了氧化石墨烯中间层，通过氧化石墨烯中间层与P型单晶硅衬底接触，由于氧化石墨烯中含有氢键可以与P型单晶硅衬底表面的悬挂键结合，从而降低了P型单晶硅衬底的表面态，有利于提升电池的开路电压和短路电流，进一步提升本发明的硫化钼薄膜异质结太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN108666375A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810356878.7
申请日：2018-04-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接；所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单，采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂，实现了有效、可控掺杂，得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106531834B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201611090552.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑Si：H)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构，能够大大提升电池对近红外光的吸收，降低串联电阻，提升开路电压和短路电流，进而提升太阳能电池效率。
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公开(公告)号：CN107403847A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710569811.7
申请日：2017-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L21/02381 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。
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公开(公告)号：CN106531834A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611090552.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/035272 , H01L31/0547 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N-c-Si)、本征氢化非晶硅层(a-Si：H)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构，能够大大提升电池对近红外光的吸收，降低串联电阻，提升开路电压和短路电流，进而提升太阳能电池效率。
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公开(公告)号：CN208553707U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201820608645.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种硫化钼合成过程中产生尾气的处理装置。所述装置包含进气管、瓶体、进料管、管盖和出气管；所述进气管上末端位于所述瓶体外部；所述进气管下末端位于所述瓶体内部；所述进料管和出气管通过所述瓶体的上表面与所述瓶体连通；所述进气管的下末端低于所述出气管的下末端；所述进料管的下末端悬空在所述瓶体内部；所述管盖位于所述进料管上端；所述瓶体仅通过进气管、进料管和出气管与外部连通。本实用新型通过将硫化钼合成产生的尾气的进气管直接插入吸收溶液中，使尾气与吸收溶液完全反应，阻止了硫化钼合成过程中产生的有害气体二氧化硫直接排放到空气中，降低了实验尾气带来的危害。
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公开(公告)号：CN208554230U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201820608690.2
申请日：2018-04-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种实现内部物品移动和固定的实验腔室。该实验腔室包括管内磁铁、管外磁铁、载体和腔体；所述载体位于所述腔体内部下表面；所述管内磁铁位于所述载体上表面；所述管外磁铁位于腔体的外部管壁上，且位于管内磁铁的垂直正下方。本实用新型不仅使得管腔内物品能够自由移动和固定，而且避免了因人为操作不当而导致的物品的浪费和污染问题，从而方便了实验的进行，降低了实验操作失误的概率。
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