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公开(公告)号：CN111463290B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010284433.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
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公开(公告)号：CN112687801A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011554008.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种IV‑VI族半导体薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备领域，所述方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘干得到前驱体溶质；用红外激光器照射所述前驱体溶质，所述红外激光器输出功率为15W～18W、扫描速度为5～20mm/s、线间距为0.01～0.1mm，照射在真空环境或者惰性气氛下进行，得到IV‑VI族半导体薄膜。本发明采用的激光合成制备IV‑VI族半导体薄膜，其工艺流程简单、所得薄膜形状可控，能在柔性衬底上直接成膜，可以在短时间内获得高质量的IV‑VI族半导体薄膜，适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN111463268A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010284778.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属。
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公开(公告)号：CN113594289A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110764868.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微电子及光电子技术领域，公开了一种PbS同质结器件及其制备方法，其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5)，N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接，该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的，由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进，利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结，得到一种新型的基于PbS的同质结器件，尤其可作为探测红外波段的光电探测器。
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