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公开(公告)号：CN113241298B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110359561.0
申请日：2021-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种碲半导体薄膜的制备方法，以及得到的碲半导体薄膜、相关制备仪器、应用。所述制备方法包括：将Te源进行气相传输沉积，获得所述碲半导体薄膜。本申请提供了一种碲半导体薄膜的制备方法，气相传输沉积(Vapor transport deposition)法与热蒸发法和磁控溅射方法相比之下具有操作简便、设备简单、生长成本低、可实时观察(基于VTD设备的翻盖设计)等优点。
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公开(公告)号：CN115411189A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210991162.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法，所述量子点红外探测器包括：底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层，所述的量子点红外探测器的结构方式为由下到上依次为底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层。所述的量子点红外探测器制备方法，包括制备电子阻挡层、制备p型层、制备有源层、制备电子传输层、制备n型层、制备顶电极层。所述的量子点红外探测器可将红外探测器波段拓展至1700nm范围，截止区域达到1900nm，极大提升了探测范围，在短波红外光探测领域有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115117245A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210548520.0
申请日：2022-05-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/42 , C23C16/40 , C23C16/455 , G01J1/42
Abstract: 本发明实施例涉及光电探测技术领域。并公开了一种量子点光电探测器及其制备方法。该量子点光电探测器包括：PbS量子点吸光层和SnO2电子传输层，该PbS量子点吸光层的吸收峰在1300nm以上。在示例中，该量子点光电探测器的结构从下往上依次为底电极(由ITO或金制成)、空穴传输层、PbS量子点吸光层、缓冲层、SnO2电子传输层和顶电极(由ITO制成)。在示例中，该SnO2电子传输层由原子层沉积(ALD)法制备。本实施例，对于吸收峰在1300nm以上的情况，具有更合适的能带结构(有助于光生载流子的抽取，导致性能更好)，同时采用SnO2作为电子传输层，其禁带宽度大可实现近紫外波段探测，提升器件的探测范围。另外，采用ALD法制备的SnO2电子传输层，其成膜更致密且具有自封装的效果。
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公开(公告)号：CN119505897A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411661891.5
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种阳离子交换的硫化铅量子点制备方法及其应用，所述阳离子交换的硫化铅量子点制备方法包括：S1：将卤化铅与油胺混合，形成第一溶液；真空加热所述第一溶液后形成卤化铅前驱体并维持第一温度；S2：通入惰性气体，在所述卤化铅前驱体中注入第二溶液，形成引发量子点成核溶液，并维持第一时间；S3:在升温的条件下，对所述引发量子点成核溶液滴加第三溶液，并达到第二温度；维持第二时间后最终得到硫化铅量子点混合溶液；S4：对所述硫化铅量子点混合溶液降温、离心，获得硫化铅量子点。本发明实施例实现峰位和尺寸控制的同时，也满足量子点表面缺陷的钝化，实现更高质量的硫化铅量子点制备。
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公开(公告)号：CN119060727A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311835482.8
申请日：2023-12-28
Abstract: 本申请公开了一种光催化合成硫化铅量子点的方法及应用，属于硫化铅量子点制备技术领域。该方法将光照引入硫化铅量子点合成的关键步骤中，减少了硫化铅量子点形成团簇结果所需要的能量，避免了反应体系温度过高或过低产生的不利影响，加快了硫化铅量子点的生长，大幅度减少了硫化铅量子点成核时间，获得了粒径均匀、表面钝化良好的单分散硫化铅量子点材料，所制备的硫化铅量子点材料的光子吸收光谱峰谷比高，体现出优异的光学性能。通过该方法制备的硫化铅量子点材料可用于制备光电探测器、太阳能吸收器、光学开关等光学器件，具备广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115353573B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210863325.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于近红外成像的香菇多糖荧光标记物及其合成方法，属于多糖荧光标记物技术领域。本发明通过对香菇多糖的具体结构进行修饰，得到可用于近红外成像的香菇多糖衍生物，并相应的对合成方法的整体工艺流程设计，各个步骤的反应条件及参数进行控制，得到的香菇多糖荧光标记物用于近红外成像，可以有效解决天然植物多糖的体内外实验中代谢示踪的问题。
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公开(公告)号：CN119060718A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311786973.8
申请日：2023-12-25
IPC: C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J27/135 , B01J35/39 , H10K30/60 , H10K30/40 , H10K30/88 , H10K71/00 , G01N21/35
Abstract: 本申请公开了一种制备光催化量子点材料的方法及应用，属于光电探测技术领域。本申请通过对红外探测器的有源层量子点材料进行紫外光光催化处理，能够促进配体交换以提供足够的能量，使得较大量子点裸露的(100)面得以有足够的能量进行吸附，钝化表面的缺陷，同时减小量子点团聚，通过该方法制备的光催化量子点材料制备成红量子点红外探测器，能够提升量子点红外探测器探测范围和稳定性。本申请优化了光催处理时的光照强度和波段，发现使用365nm波长和10uW的光照强度的紫外光进行光催化，其量子点钝化效果最佳，并且能够避免光氧化，使得量子点红外探测器具备最优的性能。
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公开(公告)号：CN115050894B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210573186.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点、量子点薄膜和器件的制备方法，属于量子点材料技术领域，本发明提出了一种新的钝化策略，使大尺寸(直径d>4nm)的PbS CQDs通过卤化物钙钛矿异质外延桥接电荷中性(100)面。光致发光(PL)光谱表明，钙钛矿桥的存在可以显著抑制CQDs通过(100)个面的融合；X射线光电子能谱(XPS)表明氧化现象的抑制；在老化实验中观察到PbS CQDs固体带尾态的减少和离子迁移的抑制，证明了钝化效果的改善；最后，基于该钝化量子点制备的器件，如红外探测器获得了良好的性能，包括抑制的暗电流密度，增强的光响应和提高的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN115064645A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210559014.1
申请日：2022-05-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明提供一种分散剂、量子点分散液的制备方法以及红外探测器；本发明的分散剂包含有能够提供电子与两个及以上的量子点表面原子结合的有机结构，该有机结构能够对量子点表面进行有效的钝化，减少量子点表面欠配位原子引入的深缺陷，降低量子点红外探测器在反向工作偏压下的产生电流和陷阱辅助隧穿电流，同时在两个及以上的量子点之间形成桥接结构，有效避免量子点形成二聚体引入带尾态，进而降低暗电流。
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公开(公告)号：CN112531049B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010999796.1
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种量子点吸光层以及制备方法、应用。所述量子点吸光层包括量子点，所述量子点为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体；所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点吸光层中含有经金属元素Sn和卤化铅配体修饰的胶体量子点，并且协同制备过程中的熟化处理，大大降低了量子点的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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