-
公开(公告)号：CN119486349A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411662166.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H10F77/14 , H10F77/30 , H10F30/222 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供一种量子点器件以及量子点器件的制备方法，所述量子点器件包括：电子运输层和强n型层；其中，所述电子运输层和强n型层之间还包括：粘附层，所述粘附层用于增强所述电子运输层和强n型层之间的粘附性。本申请的量子点器件的制备方法，通过旋涂一层粘附层能带来以下的有效效果：1.在电子运输层C60表面形成一层羟基(粘附层为聚乙氧基乙烯亚胺溶液)有利于氧化锡层的生长。由于粘附层本身的性质，可以提升整个薄膜的机械强度和拉伸性能，薄膜的黏附性也得到了增加。有利于器件后期的制备和生产。
-
公开(公告)号：CN114395801B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210070728.6
申请日：2022-01-21
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法，所述二维卤素钙钛矿分子式为A2PbX4或BPbX4，其中A代表苯乙胺离子、苯并咪唑离子、丙胺离子、丁胺离子、戊胺离子中的一种或多种；B代表丙二胺离子、丁二胺离子、戊二胺离子、对苯二甲胺离子中的一种或多种，X代表氯离子、溴离子、碘离子中的一种或多种。利用籽晶诱导的挥发溶剂法，通过在籽晶加入初期进行加热溶解，可在室温或恒温挥发下获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。该方法中溶液可重复利用，设备以及能耗要求低，可低成本获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。
-
公开(公告)号：CN114164399A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119505897A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411661891.5
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种阳离子交换的硫化铅量子点制备方法及其应用，所述阳离子交换的硫化铅量子点制备方法包括：S1：将卤化铅与油胺混合，形成第一溶液；真空加热所述第一溶液后形成卤化铅前驱体并维持第一温度；S2：通入惰性气体，在所述卤化铅前驱体中注入第二溶液，形成引发量子点成核溶液，并维持第一时间；S3:在升温的条件下，对所述引发量子点成核溶液滴加第三溶液，并达到第二温度；维持第二时间后最终得到硫化铅量子点混合溶液；S4：对所述硫化铅量子点混合溶液降温、离心，获得硫化铅量子点。本发明实施例实现峰位和尺寸控制的同时，也满足量子点表面缺陷的钝化，实现更高质量的硫化铅量子点制备。
-
公开(公告)号：CN114875488A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110801324.5
申请日：2021-07-15
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种三维有机无机杂化钙钛矿辐射探测材料及其制备方法。所述材料化学式为FA(1‑x‑y)MAxCsyPbI(3‑z)Brz,其中FA为甲脒，MA为甲胺。通过升温结晶法、籽晶诱导、表面处理等步骤，即可实现该类晶体材料的合成。以该晶体作为活性层的半导体型辐射探测器，在γ射线或高能带电粒子作用下，具有明显响应。由于制备成本低，材料稳定性高，该材料在电离辐射的能谱分辨领域具有巨大潜力。
-
公开(公告)号：CN114395801A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210070728.6
申请日：2022-01-21
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法，所述二维卤素钙钛矿分子式为A2PbX4或BPbX4，其中A代表PEA(苯乙胺)、BI(苯并咪唑)、丙胺、BA(丁胺)、PA(戊胺)中的一种或多种，B代表丙二胺、BDA(丁二胺)、PDA(戊二胺)、对苯二甲胺中的一种或多种，X为F、Cl、Br、I中的一种或多种。利用籽晶诱导的挥发溶剂法，通过在籽晶加入初期进行加热溶解，可在室温或恒温挥发下获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。该方法中溶液可重复利用，设备以及能耗要求低，可低成本获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。
-
公开(公告)号：CN119505872A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411661936.9
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种长时间耐高温的硫化铅胶体量子点薄膜及其制备方法，包括：获得第一PbS量子点固体，其表面配体为第一配体，将第一PbS量子点固体溶解于第一非极性溶剂中，形成第一PbS量子点溶液；在第一PbS量子点溶液里加入硫醇配体；得到第二PbS量子点固体，此时量子点表面为硫醇配体；将表面为硫醇配体的量子点溶解在第二非极性溶剂，得到第二PbS量子点溶液；将第二PbS量子点溶液旋涂在基底上，制成PbS胶体量子点薄膜制成；硫醇配体为巯基乙醇(ME)或丁硫醇中的一种或多种组合。本发明实施例通过采用巯基乙醇(ME)或丁硫醇作为PbS量子点固体配体，利用耐高温的硫醇配体代替高温不稳定的金属卤化物配体，使PbS量子点薄膜在长时间高温稳定性方面有了很大提升。
-
公开(公告)号：CN114164399B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.078 seconds)
