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公开(公告)号：CN119799336A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411780821.1
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请提供一种量子点滤光层的制备方法、量子点滤光层以及光谱仪，包括：制备HgSe胶体的初始量子点溶液；制备配体分散剂；将所述初始量子点溶液加入所述配体分散剂中，进行配体交换，从而得到HgSe胶体的最终量子点溶液；利用所述最终量子点溶液制备量子点滤光层。利用HgSe胶体的最终量子点溶液制备的量子点滤光层，具有良好的导电性和光学响应，同时增强其在极端环境下的稳定性。
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公开(公告)号：CN119780001A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411777320.8
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种分光式多桶探测器快速高光谱探测系统，分光式多桶探测器快速高光谱探测系统包括宽谱镜头、宽谱空间光强调制器、分光元件、多个单色探测器、电流电压转换器、计算器；宽谱镜头用于收集从目标物体射出的光并投影至宽谱空间光强调制器上；宽谱空间光强调制器用于对宽谱镜头投影的光进行光强调制；分光元件用于将宽谱空间光强调制器调制的光分为多个波段的单色光；多个单色探测器用于强度采集，得到多个单色光强度信号，并转换为多个电流信号；电流电压转换器用于将多个电流信号转换为多个电压信号；计算器用于根据多个电压信号单像素重构出多个单色图像，并汇总成为高光谱图像。本申请可以提高重构的光谱图像的质量。
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公开(公告)号：CN119767992A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780548.2
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请提供一种光电探测器的制备方法以及光电探测器，光电探测器的制备方法包括：制备量子点溶液，所述量子点溶液中的量子点被卤素包裹；利用2,6‑双(氨甲基)吡啶配体制备量子点分散剂；将所述量子点溶液加入所述量子点分散剂中，得到有源层前驱物；基于所述有源层前驱物制备有源层，从而制备所述光电探测器。在有源层中引入2,6‑双(氨甲基)吡啶配体制备的量子点分散剂，能够有效钝化量子点溶液中未被卤素配体充分钝化的量子点表面缺陷，使得PbS CQDs暴露的晶面缺陷得到更好地钝化，有效提升了光电探测器的光电性能。
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公开(公告)号：CN119072140A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311845469.0
申请日：2023-12-28
Abstract: 本申请涉及顶入射量子点器件技术领域，具体涉及一种界面双端钝化的顶入射量子点器件及其制备方法，界面双端钝化的顶入射量子点器件，包括依次设置的底电极、空穴传输层、PbS量子点吸光层、界面钝化层、电子传输层以及顶电极，界面钝化层包括配体一端具有的硅氧结构或铝氧结构的PbS量子点。本申请具有提升薄膜间结合力，实现器件整体暗电流的降低，提升器件热稳定性的效果。
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公开(公告)号：CN119060718A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311786973.8
申请日：2023-12-25
IPC: C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J27/135 , B01J35/39 , H10K30/60 , H10K30/40 , H10K30/88 , H10K71/00 , G01N21/35
Abstract: 本申请公开了一种制备光催化量子点材料的方法及应用，属于光电探测技术领域。本申请通过对红外探测器的有源层量子点材料进行紫外光光催化处理，能够促进配体交换以提供足够的能量，使得较大量子点裸露的(100)面得以有足够的能量进行吸附，钝化表面的缺陷，同时减小量子点团聚，通过该方法制备的光催化量子点材料制备成红量子点红外探测器，能够提升量子点红外探测器探测范围和稳定性。本申请优化了光催处理时的光照强度和波段，发现使用365nm波长和10uW的光照强度的紫外光进行光催化，其量子点钝化效果最佳，并且能够避免光氧化，使得量子点红外探测器具备最优的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119815973A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510031569.2
申请日：2025-01-09
IPC: H10F71/00 , H10F30/222 , H10F77/30
Abstract: 本申请提供一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法，所述量子点探测器的制备方法，包括：在所述衬底上依次制备底电极、电子阻挡层、P型空穴传输层、吸光层、牺牲层；在所述牺牲层的一侧表面制备亲水层；所述亲水层材料为WOx；在所述亲水层一侧表面制备n型电子传输层，在所述n型电子传输层远离所述亲水层的一侧表面制备顶电极。本申请的方案在牺牲层C60表面上设置一层亲水层，水源沉积在亲水层上后，会大大减小接触角(根据实验结果，水的接触角为6°)，这会提高n型电子传输层质量，整体提升探测器的探测性能，此外，氧化钨界面层的引入以及电子传输层质量的提高可以一定程度上抑制卤素离子(I‑)迁移，提升器件稳定性。
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公开(公告)号：CN119768009A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411775663.0
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法，该氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法包括：制备碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜；将氟化锑溶解在乙腈中，得到氟化锑乙腈溶液；将碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜浸泡在氟化锑乙腈溶液；利用乙腈洗涤碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜预设次数，得到氟化锑化学反应掺杂钝化的硫化铅量子点有源层。本申请能够提高含有源层的半导体器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN119768000A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780332.6
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜的制备方法，该基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜的制备方法包括：得到第五混合溶液；将第五混合溶液旋涂在目标样品上并退火处理预设退火时长，得到初始的硒化铅胶体量子点薄膜；将初始的硒化铅胶体量子点薄膜放入舱室，将舱室抽真空至气压达到预设压强，将初始的硒化铅胶体量子点薄膜升温至预设温度；向舱室通入三甲基铝气体，得到基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜。本申请能够提高胶体量子点探测器的迁移率。
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公开(公告)号：CN119753604A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780982.0
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种P型透明金属导电电极的制备方法，该P型透明金属导电电极的制备方法包括：准备Sb靶材和SnO2靶材；将Sb靶材和SnO2靶材放置于磁控溅射设备；在磁控溅射设备通入混合气体并调整磁控溅射设备内的气压至预设气压值；将磁控溅射设备的基底温度调整至预设基底温度，将磁控溅射设备的溅射功率调整至预设溅射功率，将磁控溅射设备的沉积时间调整至预设沉积时长，对Sb靶材和SnO2靶材进行磁控溅射，得到沉积薄膜；在预设退火温度下对沉积薄膜进行退火处理并保温预设保温时长，得到P型透明金属导电电极。本申请能够提高P型透明金属导电电极的中红外光透过率。
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公开(公告)号：CN119069567A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311787567.3
申请日：2023-12-25
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G01S7/486 , G01S7/4865
Abstract: 本申请公开了一种双PIN型探测器、制备方法及应用，属于光电探测器技术领域。该双PIN型探测器的结构由下至上依次为底电极、1‑N型层、1‑I型层、1‑P型层、隧穿层、牺牲层、2‑N型层、2‑I型层、2‑P型层以及顶电极；其中，底电极的材料为氧化铟锡，顶电极的材料为金，1‑N型层和2‑N型层的材料为氧化锌，1‑I型层和2‑I型层为PbSe胶体量子点薄膜，所述隧穿层的材料为金，所述牺牲层的材料为C60，当1‑N型层和2‑N型层的厚度相同，1‑I型层和2‑I型层的厚度相同以及1‑P型层和2‑P型层的厚度相同时，该双PIN型探测器光响应时间最短。本申请提供的双PIN型探测器与传统的单PIN探测器相比，其响应速度提升幅度在1倍以上，其增益带宽积也提升了1倍，体现出更优异的探测性能。
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