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公开(公告)号：CN109387225B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811196958.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS惯性器件及其无应力电装方法，其中电装方法将封装有MEMS表头敏感结构的陶瓷管壳通过硅橡胶粘在印制电路板上，实现陶瓷管壳的固定，通过金丝引线键合将陶瓷管壳和印制电路板上对应的引脚进行电气连接，并在金丝周围用灌封胶进行固定和保护。本发明取代原有的焊接方法，实现了MEMS表头与印制电路板的应力隔离，有效的降低了由于印制电路板的形变对MEMS表头的应力影响，同时具有可靠性高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN108645397B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201810291497.5
申请日：2018-04-03
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5769
Abstract: 本发明公开了一种石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的制造方法，包括如下步骤：刻蚀碳化硅晶圆，制作与盘式谐振子微结构相对应的刻蚀槽；对刻蚀完成的碳化硅晶圆和石英玻璃进行键合；以高于石英玻璃软化点的温度对晶圆键合结构进行加热，直至石英玻璃均匀灌入碳化硅晶圆的刻蚀槽内，停止加热；对灌入石英玻璃的碳化硅晶圆进行减薄抛光，去除刻蚀槽以外石英玻璃；采用干法刻蚀工艺去除碳化硅，完成石英盘式谐振子结构释放。本发明解决了石英盘式微结构制造工艺难度大的问题，实现了石英盘式谐振微机械陀螺谐振子的高精度批量制造。
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公开(公告)号：CN109387225A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811196958.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS惯性器件及其无应力电装方法，其中电装方法将封装有MEMS表头敏感结构的陶瓷管壳通过硅橡胶粘在印制电路板上，实现陶瓷管壳的固定，通过金丝引线键合将陶瓷管壳和印制电路板上对应的引脚进行电气连接，并在金丝周围用灌封胶进行固定和保护。本发明取代原有的焊接方法，实现了MEMS表头与印制电路板的应力隔离，有效的降低了由于印制电路板的形变对MEMS表头的应力影响，同时具有可靠性高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN108529550A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810401013.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于晶圆键合工艺的圆片级封装MEMS芯片结构及其制造方法，MEMS芯片包括衬底层、器件层、盖帽层三层结构，三层结构键合在一起，形成一个可供器件层上的梳齿微结构移动的空腔结构；衬底层上布有电极图形，并采用共面电极实现空腔结构内的器件层结构与空腔外电极焊盘的互联；在器件层与衬底的键合面上，具有阵列凹坑结构。并且在器件层的键合密封环上有贯通于密封腔内外的凹槽结构，凹槽结构在晶圆键合后将被键合介质与硅的共晶体所填充。该结构有助于提高金-硅键合强度，并能够有助于提高真空密封的真空度。在该结构的制造工艺中，使用气态HF对键合表面进行处理，去除表面的二氧化硅，保障金-硅键合强度的同时避免微结构的粘连。
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公开(公告)号：CN108281349A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810093853.2
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108100991A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711220668.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS空气流量计晶圆上芯片质量检测方法、装置及系统，涉及芯片设计领域。所述芯片质量检测方法，包括：发送测试控制指令以使电阻测试装置对待测晶圆上的一个芯片进行扫描测试；获取并存储扫描测试信息，所述扫描测试信息包括所述芯片上各电阻的电阻值；根据所述扫描测试信息与预设电阻范围进行比对，判断所述芯片质量是否合格；发送移动控制指令以使所述待测晶圆按预设路径运动，从而对所述待测晶圆上的下一个芯片进行扫描测试并根据扫描信息判断所述下一个芯片是否合格。本发明可全自动完成整个晶圆上所有芯片的连续测试，极大地提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN107963609A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711140014.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C1/00261 , B81C1/00325
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法，在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接，并形成了压力可控的MEMS密封腔体，和现有的基于硅-硅焊料键合、硅-硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高；对盖板玻璃片进行减薄至10～50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10～50微米，而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米，由于越薄的介质层引入的寄生电容越大，因此，本发明引入的寄生电容小，使得MEMS器件输出的信噪比提高。
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公开(公告)号：CN108281349B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201810093853.2
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。
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公开(公告)号：CN107688191B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710607689.8
申请日：2017-07-24
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提出了一种微型定位导航授时终端，包括MEMS陀螺、MEMS加速度计、微处理器、微型原子钟、GNSS导航芯片等主要功能元件，采用一体化设计的方法，实现了定位导航授时终端的高度集成和微型化。为了实现三轴MEMS陀螺、三轴加速计的正交安装和终端的高度集成，提高终端设备的抗振性，采用刚挠结合板技术，进行终端的三维组装。本发明不依赖外界信息，具有较高的自主性，能够保证用户在GNSS拒止条件下的可靠定位导航时间信息的获取。本发明提出的定位导航授时终端，具有体积小、功耗低、精度高、实时性好、抗冲击能力强等优良特性。
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公开(公告)号：CN107298428B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710511844.6
申请日：2017-06-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于SOG‑MEMS芯片单元分离的方法，采用背面划切的方案，可动结构不需要进行涂胶保护，避免碎屑的引入，提高成品率；在芯片分离过程中不需要制备复杂的工装，划切后采用圆球在芯片背面滚动按压即可完成，操作过程简单；采SOG‑MEMS晶圆片正面粘贴保护陪片，在划切过程中不与了冷却水接触，可有效避免砂轮划切过程中冷却水对可动结构造成损伤。
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