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公开(公告)号：CN110883017B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811051425.X
申请日：2018-09-10
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111575757A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010450576.3
申请日：2020-05-25
IPC: C25D7/06 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D3/12 , C23C14/16 , C23C14/02 , C23C14/58 , C30B25/18 , C30B29/02 , B01J23/755
Abstract: 本发明提供一种铜镍合金及其制备方法和应用，以及二维材料生长衬底，该铜镍合金的制备方法包括：对铜箔进行预退火处理；预退火处理后的铜箔经镀镍处理得到铜镍复合箔；及铜镍复合箔经退火合金化处理，得到铜镍合金。本发明通过对铜箔进行预退火处理，可有效解决铜镍原子在退火合金化过程当中因应力释放导致的箔材卷曲、表面粗糙化的问题，得到表面平整度Ra＜150nm的铜镍合金。该铜镍合金可作为衬底生长二维材料，例如石墨烯，有效提高石墨烯质量，降低石墨烯转移破损率。本发明的制备方法工艺简单、成本低，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN114717654B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210359580.8
申请日：2022-04-06
Abstract: 本发明提供一种控制二维材料晶界角度的方法及其应用，该方法包括：S1，提供具备特定晶面取向的衬底；及S2，在所述衬底上化学气相沉积生长二维材料；其中，所述衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向，所述二维材料的晶界角度由所述衬底的晶面取向决定。本发明的控制二维材料晶界角度的方法，通过衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向；具有不同取向的二维材料拼接形成具有特定晶界角度的二维材料晶界，二维材料晶界的晶界角度取决于衬底的晶面取向。本发明实现了自下而上制备具有特定晶界角度的二维材料，为相关应用和物性研究提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN112299399B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910680165.0
申请日：2019-07-26
IPC: C01B32/186
Abstract: 提供一种多层石墨烯的生长方法，包括如下步骤：S1，通过气相沉积在基底上形成石墨烯核；及S2，改变生长条件，继续生长，形成多层石墨烯。本发明的生长方法由于引入对生长条件的扰动，使第二层(或随后的更多层)石墨烯层的成核位点偏离第一层(或其前一层)石墨烯的成核位点，有效地减少了前一层石墨烯对接下来形成的一层石墨烯生长的诱导效应，能够获得非平凡扭转角的多层石墨烯，为进一步探索其能带结构以及这种新材料在电子、光电子以及催化方面的应用提供了便利。
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公开(公告)号：CN114717654A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210359580.8
申请日：2022-04-06
Abstract: 本发明提供一种控制二维材料晶界角度的方法及其应用，该方法包括：S1，提供具备特定晶面取向的衬底；及S2，在所述衬底上化学气相沉积生长二维材料；其中，所述衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向，所述二维材料的晶界角度由所述衬底的晶面取向决定。本发明的控制二维材料晶界角度的方法，通过衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向；具有不同取向的二维材料拼接形成具有特定晶界角度的二维材料晶界，二维材料晶界的晶界角度取决于衬底的晶面取向。本发明实现了自下而上制备具有特定晶界角度的二维材料，为相关应用和物性研究提供了材料基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114572970A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210291247.8
申请日：2022-03-23
IPC: C01B32/186
Abstract: 本申请提供一种分区式石墨烯薄膜制备装置，包括放料腔、收料腔和高温腔。放料腔内部设置有放料辊。收料腔内部设置有收料辊。高温腔设置在放料腔和收料腔之间，高温腔的内部设置有载具，载具的上方设置有限域挡板，限域挡板与载具形成一狭缝，限域挡板邻近放料腔，狭缝和载具均由放料腔向收料腔延伸，狭缝的延伸长度是载具的延伸长度的30％～60％，载具的下方设置有加热器。通过以上设计，可实现衬底预处理区域和石墨烯薄膜的高温生长区域分开，且预处理和高温生长可以同时进行。
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公开(公告)号：CN110607517B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201810615694.8
申请日：2018-06-14
IPC: C23C16/56 , C23C16/26 , C01B32/196 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
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公开(公告)号：CN110540197B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810534499.2
申请日：2018-05-29
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明提供一种碳纳米材料清洁石墨烯表面的方法，包括如下步骤：提供一碳纳米材料；使所述碳纳米材料与所述石墨烯表面接触；施加压力于所述接触碳纳米材料的石墨烯表面；及使所述碳纳米材料与所述施加压力后的石墨烯分离；其中，所述碳纳米材料为碳纳米墙或碳纳米墙复合物。本发明提供的方法简便易行，对于多种基底上的石墨烯均具有较好的清洁效果，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN112442729A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910816010.5
申请日：2019-08-30
Abstract: 本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
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公开(公告)号：CN111485224A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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