一种MEMS硅衬底悬浮电感电感值计算方法

    公开(公告)号:CN110334377A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910362888.6

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS硅衬底悬浮电感电感值计算方法,该方法的计算步骤如下:首先将悬浮电感线圈分段得到多段直导线,然后将每段直导线看作一系列电偶极子串联,列出每个电偶极子产生的磁感应强度的表达式;其次对单个电偶极子产生的磁感应强度沿导线长度进行积分后得到各段导线产生的磁感应强度,对各段导线产生的磁感应强度进行叠加,得到电感线圈包围面积内各处的磁感应强度;再积分计算电感线圈包围面积内的磁链,得到电感线圈的外电感值;最后根据矩形截面导线的内电感值公式计算电感线圈的内电感值,将内外电感值相加得到悬浮电感线圈的电感值。本发明能够计算多种不同结构尺寸、不同悬浮高度电感的电感值。

    一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法

    公开(公告)号:CN107741576A

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:CN201710825386.3

    申请日:2017-09-14

    CPC classification number: G01R33/063

    Abstract: 本发明涉及一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法,属于磁传感器领域。采用MEMS技术将非晶丝与微结构线圈集成,加工步骤为:(1)在Si衬底上溅射一层Cr/Cu种子层;(2)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成底层导线;(3)去胶;(4)将非晶丝固定到Cr/Cu种子层上;(5)在非晶丝两端电镀Cu;(6)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成微电感柱子;(7)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成顶层导线;(11)去上层光刻胶,刻蚀种子层。(12)去下层光刻胶,刻蚀种子层。本发明克服了传统工艺制造的非晶丝GMI磁传感器体积大、阻抗一致性差的缺点,实现了以非晶丝为敏感元件的GMI磁传感器的微型化。

    温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量的计算方法

    公开(公告)号:CN107608942A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710803705.0

    申请日:2017-09-08

    Abstract: 本发明公开的温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量的计算方法,属于微带天线技术领域。所述微带天线采用三层结构,包括贴片层、基底和接地板。本发明包括如下步骤:给出微带天线结构满足的三个边界条件,并联立所述的三个边界条件求出常数应变c,弯曲轴tb和弯曲半径r;求取微带天线应变ε;求取温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量ΔL;根据求取的温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量ΔL,设计满足高温和弯曲共形下符合所需辐射特性的聚合物基微带天线,解决实际工程问题。本发明目的是提供一种温度和弯矩载荷下聚合物基微带天线变形量的计算方法,利用所述的方法能够设计满足高温和弯曲共形下符合所需辐射特性的聚合物基微带天线。

    一种Pt电阻温度传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN103487160A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310451756.3

    申请日:2013-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种Pt电阻温度传感器的制造方法,包括以下步骤:1)在陶瓷衬底上涂覆SU-8光刻胶,光刻出微结构图形;2)在光刻完成的陶瓷基片上用磁控溅射的方法沉积Pt金属;3)将上述得到的陶瓷基片在O2气氛中烧蚀或者放入盐浴中去除SU-8胶;4)结束,最后得到沉积在陶瓷衬底上的Pt金属微结构图形。该发明利用了SU-8负性光刻胶耐热性好的特点,用剥离工艺制造Pt电阻温度传感器,工艺简单易行,大大降低了成本。

    一种用于跟踪人体手部运动轨迹的非接触式静电探测方法

    公开(公告)号:CN102778581B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201210229753.0

    申请日:2012-07-04

    Abstract: 本发明公开的一种用于跟踪人体手部运动轨迹的非接触式静电探测方法,一种非接触式跟踪人体手部运动轨迹的方法,属于静电探测领域。涉及一种非接触式手部运动速度测量方法。本发明包括如下步骤:布设能检测到人体手部运动静电信号的多极板探测阵列;采集监测环境中的静电信号;将该采集到的静电感应信号电势值与预设判据对比;读取每个极板上紧随波峰值的过零点时刻;根据探测结果计算人体手部运动方向α和人体手部运动速度V,进而跟踪到人体手部实时运动轨迹。本发明还公开一种用于测量人体手部运动方向的非接触式静电探测方法。本发明可减小跟踪人体手部运动轨迹技术的工作死角区,降低人体手部运动轨迹跟踪探测系统的设计复杂程度。

    一种简化的钨钛合金薄膜光刻工艺

    公开(公告)号:CN103233229A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310104553.7

    申请日:2013-03-28

    Inventor: 徐立新 王刚 王婷

    Abstract: 本发明公开的一种简化的钨钛合金薄膜光刻工艺,属于微机电系统制造工艺领域。本发明使用正光刻胶作为赋形层,取消了一般工艺中的铝赋形层,通过控制匀胶与烘胶参数与环境,将光刻胶层在紫外线下曝光显影,生成适用于双氧水刻蚀的赋形层。通过控制双氧水刻蚀液的温度,使钨钛合金薄膜在冷双氧水中完全刻蚀而不影响光刻胶层的保护能力。使用该工艺刻蚀生成的钨钛合金结构图形分辨率优于2微米。本发明公开的钨钛合金光刻工艺实现高精度的钨钛合金薄膜的光刻,提高了钨钛合金薄膜的适用范围,消除了传统钨钛合金光刻中的铝赋形层引入的精度误差与工艺复杂性,改善了光刻精度与可靠性。有助于提高使用钨钛合金结构的微机电系统器件制造的成功率。

    一种基于无相位突变拼接信号的调频连续波测距方法

    公开(公告)号:CN102928834A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210482947.1

    申请日:2012-11-23

    Abstract: 本发明公开的一种基于无相位突变拼接信号的调频连续波测距方法,涉及一种调频连续波测距方法,属于调频连续波测距领域。本发明具体实现步骤如下:步骤一、将差频实信号变为复信号;步骤二、取规则区内差频复信号;步骤三、用每段信号第一个数据sk(0)除以前一段信号最后一个数据1≤k≤N-1;步骤四、通过对步骤三中s'做频谱分析,估计出差频信号频率值fb;步骤五、根据差频信号和目标距离间的关系,计算出目标距离R。本发明的距离分辨率比传统方法的距离分辨率提高了N倍。本发明的测距方法距离分辨率不受限于调制频偏,使得在一些成本和体积受限而无法满足高调制频偏的场合,依然能够使用调频连续波测距得到很高的距离分辨率。

    一种用于跟踪人体手部运动轨迹的非接触式静电探测方法

    公开(公告)号:CN102778581A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201210229753.0

    申请日:2012-07-04

    Abstract: 本发明公开的一种用于跟踪人体手部运动轨迹的非接触式静电探测方法,一种非接触式跟踪人体手部运动轨迹的方法,属于静电探测领域。涉及一种非接触式手部运动速度测量方法。本发明包括如下步骤:布设能检测到人体手部运动静电信号的多极板探测阵列;采集监测环境中的静电信号;将该采集到的静电感应信号电势值与预设判据对比;读取每个极板上紧随波峰值的过零点时刻;根据探测结果计算人体手部运动方向α和人体手部运动速度V,进而跟踪到人体手部实时运动轨迹。本发明还公开一种用于测量人体手部运动方向的非接触式静电探测方法。本发明可减小跟踪人体手部运动轨迹技术的工作死角区,降低人体手部运动轨迹跟踪探测系统的设计复杂程度。

    一种基于多头注意力模型的时序数据异常检测方法

    公开(公告)号:CN117076936B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202311332723.7

    申请日:2023-10-16

    Abstract: 本发明涉及一种基于多头注意力模型的时序数据异常检测方法,属于计算机数据库异常检测技术领域。本发明搭建了一种基于多头注意力模型的用于时序数据异常检测的网络框架,该框架可以对多源时序数据进行处理,具有鲁棒性和较好的泛化能力,且可以实现更快的网络训练、更准确的异常样本检测。引入了频域分析模块,以充分利用时序数据的频域信息。通过将输入序列与输出序列进行频域分析,可以使模型获得有效的序列信息。通过衡量两项频域分析结果之间的距离,可以监督网络生成更精确的输出序列,从而获得更精确的异常判断阈值,实现更准确的异常检测。本发明在时序数据的特征提取能力、异常样本的检测准确率方面均具有明显优势。

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