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公开(公告)号：CN106670897A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611226063.4
申请日：2016-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于金刚石/铜复合材料的表面加工方法，属于复合材料表面处理技术领域。该方法采用陶瓷结合剂金刚石砂轮进行一次粗磨，去除表面多余的铜；采用细粒金刚石的陶瓷结合剂金刚石砂轮进行二次粗磨，使得表面粗糙度小于2微米；距离目标尺寸0.03‑0.08mm时，采用高硬度金刚石砂轮进行精磨，最终表面粗糙度小于1微米。本发明从粗磨到精磨均采用砂轮平磨，磨削效率高、成本低，加工方便，可以实现大批量加工，保证复合材料表面光洁度，最重要的是在加工过程中不会引入其他杂质，增加了复合材料表面镀覆后的镀层可靠性。
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公开(公告)号：CN105506355A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510994306.8
申请日：2015-12-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种金刚石/铜梯度复合材料及其制备方法。首先粗颗粒金刚石和细颗粒金刚石分别与粘结剂混合；在金属模具中依次平铺一定厚度的细颗粒金刚石-粗颗粒金刚石-细颗粒金刚石，采用冷压工艺压制，脱模，烘干后制得梯度金刚石预制件；然后将熔融的铜或铜合金浸渗入预制件中，冷却、脱模后制得金刚石/铜梯度复合材料。本发明既可以保留粗颗粒金刚石制备复合材料的高导热性能，也可以降低由于制品与芯片接触表面粗糙度过高导致的热阻，充分发挥材料的优异性能，且工艺过程简单，所制备的金刚石/铜梯度复合材料可广泛应用于半导体激光器、微波功率电子等电子封装器件。
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公开(公告)号：CN105390474A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510903214.4
申请日：2015-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L21/4871 , H01L23/49866
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，特别涉及一种高导热低膨胀导电图形板及其制备方法。其是以高导热低膨胀复合材料作为基材，采用焊接、胶接、化学气相沉积、磁控溅射或物理气相沉积等物理或化学的方法在基材的单面或双面制备高导热绝缘介质层，最后采用化学气相沉积技术、磁控溅射技术、物理气相沉积技术或刻蚀法在绝缘介质层上沉积导体电路图层，从而得到层状高导热低膨胀导电图形板，该导电图形板除具有高导热、低热膨胀系数、高强度、良好的尺寸稳定性能外，还具有高击穿强度、高介电常数等性质，并且在基板上直接形成导体电路图形，简化了导体电路图层的制备工艺。
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公开(公告)号：CN104746058A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310741266.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于金属基复合材料领域的一种包覆钨钼纳米膜层的金刚石及其制备方法，包括：1）取不同形状和尺度的金刚石，对其表面进行粗化处理；2）配制氧化钼与氧化钨的复合溶胶，可选择性的向复合溶胶中添加稳定剂；3）将金刚石放入复合溶胶中进行表面浸胶并干燥；4）进行氢热还原反应，形成金刚石基体/钨钼碳化物界面/钨钼合金的结构，包覆层厚度控制在纳米级。本方法工艺方法简单，氧化钼与氧化钨复合溶胶较单一氧化钨溶胶具有更好的稳定性和成膜性能，解决了高温氢热处理过程中溶胶膜易开裂的问题，产品表面包覆的膜层更均匀、膜层厚度更小，且可以降低复合材料界面热阻获得更高热导率，适于工业化制备金刚石增强金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN104726735A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310718961.1
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C1/10
Abstract: 本发明涉及一种具有复合式结构的高定向导热材料及其制备方法，属于热管理材料制备技术领域。该材料由封装材料和密封在封装材料中的高导热碳材料组成，高导热碳材料上镀覆金属层，封装材料与高导热碳材料之间由金属层连接，金属层与封装材料之间为冶金结合。将封装材料加工凹槽，放置镀覆有金属层的高导热材料，加工封装材料盖板，然后三者通过热压成一个具有复合式结构的高定向导热材料。本发明在现有的封装材料中密封高导热材料，并通过对高导热材料镀覆金属层，来改善高导热材料与封装材料界面结合问题。该类材料可以广泛应用在需要局部高效散热的于微电子封装、激光二极管、IGBT和半导体、散热片和盖板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103895281A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210567802.1
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明属于电子技术领域，特别涉及一种高导热绝缘层状复合材料及其制备方法。本发明的高导热绝缘层状复合材料经高导热材料与介电材料焊接而成，该复合材料除具有低密度、高强度、耐磨损、抗腐蚀的优良性能外，还兼具高导热材料导热率高，能够将电子器件中的热量快速散发出去，以及介电材料良好的电绝缘性和低介电系数等性质。因此采用焊接的方法将高导热材料与介电材料连接在一起的高导热绝缘层状复合材料用于同时要求具有高热导率、低介电常数、电绝缘性的应用场合。
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公开(公告)号：CN102487052A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010578977.3
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L23/373 , H01L23/36 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了封装组件技术领域的一种芯片衬底、热沉及基板一体化的复合材料封装组件及其制造方法。它解决了制约电子元件向高功率和小型化发展的散热瓶颈问题。主体为复合材料热沉，其上镀有导热绝缘层并且铺设线路层，使其兼具传统封装基板的散热通道、电气连接和物理支撑的功能。将芯片激光垂直剥离后置于带有绝缘层和线路层的复合材料热沉上，热沉与外部散热结构之间采用焊接方式连接。本发明实现了芯片衬底、热沉及基板的一体化，降低了产品的热阻，减少了封装组件的结构，不仅使芯片产生的热量能够快速散出，提高了产品的可靠性和使用寿命，同时实现了对封装器件小型化、轻量化的需求。
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公开(公告)号：CN101168807A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710178844.5
申请日：2007-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明属于电子封装材料制备技术领域，特别设计一种高导热铜基复合材料及其制备方法。该铜基复合材料由增强体和粘结剂经预制件的注射成形工艺，制成增强体预制件，其中增强体颗粒的尺寸为7～60μm，由碳化硅颗粒、金刚石颗粒或氮化铝颗粒中的一种或两种组成；将铜基体直接放在该增强体预制件上，其中铜基体为电解铜或无氧铜，增强体与铜基体的体积比为50－75％∶25－50％，经压力浸渗工艺制成。该制备方法采用预制件的注射成形工艺和压力浸渗工艺制成该高导热铜基复合材料。本发明中铜基复合材料的热导率均比相同增强体体系的铝基复合材料高，材料本身密度低，热膨胀系数小，满足了封装材料轻质量的要求。
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公开(公告)号：CN109930022A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711376262.8
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/金刚石混合增强铜基复合材料及其制备方法，属于电子封装技术领域。由石墨烯和金刚石颗粒增强的铜基复合材料，增强体由金刚石和石墨烯组成，基体为铜或铜合金。首先石墨烯与粘结剂混合均匀，之后加入金刚石颗粒混合，采用冷压工艺压制，脱模，烘干，制得石墨烯和金刚石混合物的预制件，采用压力浸渗工艺或无压浸渗工艺将熔融的铜或铜合金浸渗入制得的预制件中，冷却，脱模后制得石墨烯/金刚石混合增强铜基复合材料。本发明使石墨烯均匀粘附在金刚石颗粒表面，解决两相难混合均匀的问题；同时实现了金刚石与铜基体和石墨烯与铜基体的界面结合。本发明的材料可广泛应用于大功率半导体激光器、微波功率电子等电子封装器件。
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公开(公告)号：CN105792401B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201410815571.0
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明属于感应加热设备制造方法技术领域，特别涉及一种感应线圈及其制备方法。本发明感应线圈的紫铜管线圈上焊接有紫铜棒，紫铜管线圈及紫铜棒表面覆有绝缘陶瓷层，绝缘陶瓷层上缠绕有1层以上浸渍有浸胶的玻璃纤维布带；感应线圈的支撑板条选用陶瓷材料，拧紧螺母采用陶瓷材料，整个感应线圈外采用高温绝缘胶进行整体刷涂包裹；紫铜棒通过拧紧螺母与支撑板条相连，用以固定紫铜管线圈。本发明感应线圈的制备方法简便易行，能够确保感应线圈在高温挥发的金属蒸气中使用时有效防止大量挥发的金属蒸气沉积，从而避免匝间短路引起的打火等问题，延长了线圈的使用寿命，降低了设备的故障率，减轻了劳动强度，提高了生产效率。
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