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公开(公告)号：CN117420588A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311211379.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01T1/02
Abstract: 一种基于棋盘格的电子总剂量试验方法，能够较为有效的测算样品的实际吸收剂量，实现对试验样品抗电子总剂量能力的预估。具体包括：(1)分析试验样品的材料成分，选择合适的电子能量进行试验；(2)通过电子能量计算电子的质量阻止本领LET值，并获取理论总注量；(3)测量电子束流的均匀性，确保试验区域的均匀性误差小于5％；(4)保证样品材料的尺寸小于2cm×2cm，将试验样品和剂量片进行棋盘格摆放，并使两者的间距尽可能小；(5)开始电子辐照试验，确保电子总注量达到预设值；(6)试验结束后，对所有的剂量片进行测量，获取剂量片的实际总剂量，并预估样品区域的总剂量值。
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公开(公告)号：CN117169626A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311120218.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低能质子单粒子在轨错误率评估方法，初始化有源区的入射质子能量，确定布拉格尖峰时的射束等效能量；进行初始化质子能量后的质子试验，获得对应能段质子的能量‑截面谱；对分段数据进行单频分解拟合操作和二阶非线性拟合，提取适当数据点，分别获得在轨错误率；再对两个在轨错误率进行比较分析，确定最终在轨错误率。本发明可以较为准确的评估低能质子直接电离/核反应导致的器件在轨错误率。
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公开(公告)号：CN118731641A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410754517.3
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法，包括：试验样品衬底减薄；试验用重离子选择；试验电路温度监控；数据有效性判断；减薄厚度测量及有效数据计算。相比与传统试验方法，利用本发明中的单粒子试验评估方法，可以有效提高倒装焊工艺电路单粒子试验效率。通过温度控制、多重验证及误差校准等方式，提供了单粒子试验倒装焊工艺电路试验数据的准确性和有效性，有效填补宇航用倒装焊电路单粒子评估方法的空白，为倒装焊工艺宇航集成电路抗辐照加固提供有力支撑。
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公开(公告)号：CN118538777A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410723610.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管结构，属于功率半导体技术领域；包括底部的阴极金属层、N+衬底层、N型缓冲层、第一N‑外延层、内置P型区、内置多晶硅、N+注入区、隔离介质层、第二N‑外延层、P+区、肖特基接触层、欧姆接触层以及顶部的阳极金属层；第一N‑外延层位于第二N‑外延层下方，在两者的交界处设置N+注入区和隔离介质层；U型分布的内置P型区位于隔离介质层下方，内部设置与阳极金属层相连的内置多晶硅。本发明二极管结构在截止状态具有更小的泄漏电流，同时有效降低了由于高能粒子辐射导致的泄漏电流增大，改善了肖特基结处的强电场分布，大幅提升了碳化硅结势垒肖特基二极管的抗单粒子烧毁能力。
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公开(公告)号：CN118249967A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410463229.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H04L1/20 , H04L43/0823
Abstract: 本发明涉及一种高速串行总线的多组态单粒子误码率预计方法，属于高速串行总线电路的单粒子效应测试领域。该方法对高速串行总线中发生的单粒子码错进行识别、分类和统计，根据统计结果，计算单粒子翻转截面CS_SEU和单粒子功能中断截面CS_SEFI；根据单粒子翻转截面CS_SEU，计算单粒子翻转误码率ER_SEU；根据单粒子功能中断截面CS_SEFI，计算单粒子功能中断误码率ER_SEFI；利用单粒子翻转误码率ER_SEU和单粒子功能中断误码率ER_SEFI计算高速串行总线单粒子总误码率ER。本发明实现了高速串行总线单粒子误码率的准确计算，有效保障高速串行总线单粒子效应评估的准确性和全面性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117554718A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311414466.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 一种基于最小二乘法的单粒子威布尔曲线生成方法，包括：进行重离子试验，获取电路入射离子信息与单粒子翻转截面信息；通过单粒子翻转截面信息，预估幅值参数A的值；根据入射离子信息及单粒子翻转截面，通过规划求解计算阈值参数Xc的值；利用最小二乘法计算单粒子威布尔曲线参数中的形状参数d以及比例参数k；对单粒子威布尔曲线进行拟合，如果曲线不收敛，则返回修调幅值参数A，直至曲线收敛。本发明从多种层面上最大程度地提高了拟合效果，提高了单粒子威布尔拟合曲线的准确性。
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公开(公告)号：CN117150773A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311117577.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/20 , G01T1/02 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种电子总剂量换算方法，使用仿真手段对丙氨酸‑ESR的电子总剂量曲线进行校正。首先获得60Co源的标准源数据，接着对电子源和60Co源进行仿真建模，以期在不进行实验的前提下获得总的吸收剂量值；其次是对不同源计算获得的剂量值进行归一化处理，用于准确评估电子源与Co源的差异，能够准确地校正电子总剂量的丙氨酸反应曲线。
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公开(公告)号：CN116524982A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310317754.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种集成电路片内存储器单粒子翻转评估方法及系统，包括：在对集成电路进行高能离子辐照的条件下，按照指定顺序对集成电路内部存储器的每个地址进行数据写入，再读出该地址的数据，将每个地址的写入数据与从该地址的读出数据进行比较；如果读出数据与写入数据的值不一致，则输出标识信号；对所述标识信号进行采集计数并显示所述标识信号。本发明可以对集成电路内部存储器全部地址空间进行测试，满足单粒子翻转测试要求。
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公开(公告)号：CN116203381A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211058825.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于时间交织的高频信号单粒子瞬态检测方法，包括：在未辐照情况下，对待测电路输出进行时间交织高速采集，得到采样值D(t)，并计算得到对应时刻不含噪声的理想去噪值I(t)和噪声值Z(t)；对待测电路进行辐照试验，对待测电路输出的高频信号进行时间交织高速采集，得到采样值D′(t)；根据采样值D′(t)和对应时刻的噪声值Z(t)，计算得到对应时刻不含噪声的实际去噪值V(t)；根据V(t)与对应时刻的理想去噪值I(t)比较结果，确定对应时刻的单粒子瞬态的幅值和脉宽值；直到辐照试验结束，得到待测电路在重离子下的单粒子瞬态错误特征分布图。本发明有效提高了板级测试单粒子瞬态信号的脉宽精度和幅值精度，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN114974388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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