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公开(公告)号：CN109061429B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810654435.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处以某一栅压下，在漏源两端施加一恒定电流，其漏源电压随时间呈现指数增长变化。这种变化是由于陷阱对沟道二维面电子气(2DEG)中的载流子进行俘获或对栅反偏电流中的电子俘获引起的，称之为陷阱俘获过程。如果先对器件施加恒定电应力进行陷阱的填充，应力结束后再测量其恢复响应，即陷阱释放过程。通过对这种陷阱释放过程中的瞬态漏源电压变化进行采集，提取，分析，可以得到器件中陷阱的特性及参数。在不同温度下测量释放过程中的陷阱时间常数，可以绘制陷阱的阿伦尼乌斯方程，从而获取其陷阱能级。
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公开(公告)号：CN115932529A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310000309.X
申请日：2023-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用幅值响应表征GaN HEMT器件陷阱位置分布的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处于栅源电压和漏源电压偏置下，器件内部陷阱在恒定应力作用下被电子填充。应力结束后在器件漏源两端施加恒定电流，并监测其漏源电压随时间变化情况，即可表征陷阱释放过程。通过对这一陷阱释放过程中的瞬态电压变化进行测量，在时间常数谱的基础上对陷阱相应峰值进行分析处理，即可得到器件内部陷阱的绝对幅值。器件内部不同位置的陷阱填充与电场分布相关，电场强度增大时，同一位置对应陷阱幅值随之增大。本发明通过获取陷阱在不同偏置电压下的精确幅值变化，分析不同电压下电场对于陷阱填充的影响，从而实现对于陷阱位置分布的有效表征。
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公开(公告)号：CN113176293B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110334082.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括：测温芯片和被测样品，其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端，以及由多晶硅图形的微加热器结构；被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成，表面经过光刻等工艺处理，形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片，将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式，通过测温芯片采集温度响应曲线，对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解，直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致，即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
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公开(公告)号：CN109738777B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910003679.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法，属于双极型晶体管器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了集电极‑地连接高速开关和发射极‑地连接高速开关，通过这两个开关实现测量基极‑集电极(VBC)压降，由此得到双极型晶体管温升与热阻构成。测试中，首先得到温敏参数；然后给被测双极型晶体管器件施加工作电压，使器件升温，待器件达到稳定状态，断开工作电压，接通测试电流，采集基极‑集电极的电压，对应得到器件降温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可以得到双极型晶体管的热阻构成。本发明提出一种不同于目前其他仪器测量基极‑发射极(VBE)压降的方法，测量方式更加合理，测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109570811B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910000648.1
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K31/12
Abstract: 一种检测梯形结构工件焊接质量的方法及装置，梯形结构常用于环路热管蒸发器等，属于航天热控技术领域。装置包括：支撑轴组件、两个SCS滑块、四个手泵吸盘、测温芯片固定结构、四个测温芯片和热阻测试仪。所述测温芯片固定结构包括两个梯形支架、四个油压缓冲器以及通过球头关节轴承连接的四个聚四氟垫片。将四个测温芯片通过固定装置同压力紧密贴合于梯形结构工件侧壁上，利用热阻测试仪同时监控四个测温芯片及被测梯形结构工件焊接面的温升过程，分析其热流路径上各层材料的热阻构成。该技术保证四个热源到焊接面具有均匀稳定的热流路径，消除因测温芯片散热面与梯形结构工件侧壁的接触热阻不同所带来的测量误差，实现对梯形结构工件焊接质量的快速表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110348254A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910593530.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于环形振荡器实时监测FPGA硬件木马的方法，属于集成电路芯片安全及可靠性领域，是一种动态、非破坏性实时检测FPGA硬件木马的方法。本发明在FPGA中不同位置嵌入环形振荡器，通过频率计数器与通信模块、电脑PC，实时显示各个环形振荡器的频率。当硬件木马在特定情况下开启时，会引起电源线上电压产生一个突变，导致环形振荡器的频率产生突变。本发明能够在FPGA的使用周期内，实时监控硬件木马，操作简单，不受工艺的影响。
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公开(公告)号：CN109709141A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910052090.1
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极-发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。
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公开(公告)号：CN109061429A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810654435.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处以某一栅压下，在漏源两端施加一恒定电流，其漏源电压随时间呈现指数增长变化。这种变化是由于陷阱对沟道二维面电子气(2DEG)中的载流子进行俘获或对栅反偏电流中的电子俘获引起的，称之为陷阱俘获过程。如果先对器件施加恒定电应力进行陷阱的填充，应力结束后再测量其恢复响应，即陷阱释放过程。通过对这种陷阱释放过程中的瞬态漏源电压变化进行采集，提取，分析，可以得到器件中陷阱的特性及参数。在不同温度下测量释放过程中的陷阱时间常数，可以绘制陷阱的阿伦尼乌斯方程，从而获取其陷阱能级。
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公开(公告)号：CN110501380B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910680388.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料，热源，温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线，即瞬态热响应曲线；然后，根据传统结构函数方法得到的热阻信息，进一步构造薄层材料前各层材料的热响应曲线，并将其从总的曲线中剔除，从而提取出薄层的热阻信息。本发明区分出了两个热时间常数相近的材料，提高了特殊情况下薄层热阻测量精度。
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公开(公告)号：CN113865742A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110964595.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种基于探测光纤用于半导体激光器腔面镀膜内侧测温的方法及装置属于光热反射测温技术领域，所述方法包括：对待测激光器腔面进行光热反射系数CTR的校准；对待测激光器的驱动加以调制；使用一波长大于待测激光器激射波长的激光光束作为探测光，探测光被尾纤发出，垂直投射到待测激光器腔面；反射光携带温度信号再次进入尾纤，滤波后被探测器接收，对其进行计算后得到半导体激光器腔面温度信息。本发明能较为有效地测得半导体激光器工作时有源区前腔面内侧因光吸收而形成的热源并其周围区域的真实温度。相应的测量装置引入光纤进行探测与信号传输，对传统的光热反射测温系统进行了简化，有效提高了测量效率。
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