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公开(公告)号：CN111258001A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010202823.8
申请日：2020-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于Si-Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关，属于皮秒激光和连续激光应用技术领域。本发明基于激光多脉冲作用和倏逝波耦合理论。非晶Ge2Sb2Te5和单模Si波导直接耦合，Ge2Sb2Te5薄膜通过磁控溅射法沉积，通过调节皮秒激光脉冲数和脉冲能量来调节Ge2Sb2Te5不同结晶状态实现多级开关操作。本器件不需要维持传统光开关由于热光效应和电光效应带来的能耗，是一种绿色的器件。并且由于Ge2Sb2Te5在不同结晶状态下具有不同的光学常数，其晶态折射率和消光系数高于非晶态的折射率和消光系数，这使得材料与光的耦合及对光的吸收能力不同，进而实现多级操作。本发明可广泛应用于光通信系统。
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公开(公告)号：CN108428790A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810237053.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法，属于复合存储器技术领域；利用磁控溅射镀膜仪制备“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构，然后使用短波长的紫外激光辐照该异质结构，控制激光输入能量，使得GeSbTe薄膜发生相变(晶化或者非晶化)而磁性材料薄膜不发生相变，GeSbTe薄膜由于相变产生的体积效应，诱发磁性薄膜磁畴发生偏转并且这种偏转是可以有效控制的，同时相变和磁畴偏转又是可逆的，从而使得激光可以同时对GeSbTe薄膜和磁性薄膜产生作用和控制，有望实现磁存储和相变光存储的耦合复合存储。
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公开(公告)号：CN108258568A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN102534542A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210006358.6
申请日：2012-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/14
Abstract: 一种铝合金表面防腐涂层的制备方法，属于材料腐蚀与防护领域。利用气体化学反应，在铝合金表面得到难熔金属钨涂层。化学反应的工艺参数为：反应温度650～700℃，H2流量为4～4.5L/min，WF6流量为6～6.5g/min，升温速度为15～20℃/min，降温速度为15～20℃/min，反应时间35～40min。通过对化学反应温度、气体流量以及升温和降温速度等参数的控制，得到了与铝合金表面结合良好、致密的钨涂层，该涂层硬度达550HV，在SO2-盐雾腐蚀试验箱中检测，效果良好。
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公开(公告)号：CN113562330A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110755738.9
申请日：2021-07-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: B65D65/40 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B17/00 , B32B17/06 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B15/20 , B32B15/04
Abstract: 一种饱和度可调的炫彩包装薄膜及其制备方法，涉及薄膜材料技术领域。薄膜包括：载体层(11)、基材层(12)、预干涉介质层(2)、功能层(31)、保护层(32)，其中，以基材层和预干涉介质层组成的干涉单元结构可以周期多次叠加。本发明提供的炫彩薄膜，通过镀膜工艺附着到工件表面后，可根据观察者的视觉角度观察到工件表面不同的色彩变化，呈现出绚丽多彩的动态效果。此外，可以通过调整作为基材层的半导体材料的厚度，来获得多种饱和度的色彩，适用多种场景下的不同需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108258568B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN103343734A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310317017.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: F03G4/00
CPC classification number: Y02E10/10
Abstract: 本发明涉及一种增加润滑油循环回路的单螺杆膨胀机中低温地热发电系统。该系统由单螺杆膨胀机有机朗肯循环回路模块、单螺杆膨胀机润滑油循环回路模块、地热源循环回路模块、冷却系统循环回路模块和发电系统模块五个部分组成。单螺杆膨胀机具有适合中低温地热发电功率范围、适应湿蒸汽进入膨胀机带液膨胀进而减少膨胀机内泄漏的特点，该系统充分利用单螺杆膨胀机特性将中低温地热源加热下产生的高压有机工质蒸汽通过其膨胀做功带动发电机组，以此获得较高的热效率提高发电量。该系统降低了地热温度对地热资源勘探的高风险及地热资源开采和回灌难度，有效利用了工质的潜热、提升了能源利用率和地热发电系统循环热效率并降低循环不可逆损失。
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公开(公告)号：CN113896566B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110978063.4
申请日：2021-08-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B41/52
Abstract: 一种基于旋转参量控制的多功能彩色防伪薄膜制备方法，涉及薄膜材料和光学防伪领域。包括：干涉介质层，复合于所述干涉介质层底部的基底层，以及复合于所述干涉介质层顶部的表面膜层；其中，所述基底层包括基材层，以及将所述基材层附着于其上的载体层；所述表面膜层包括复合于上述干涉介质层顶部的功能层，以及将复合于所述功能层顶部的保护层。其中，通过改变传统磁控溅射制备工艺，控制溅射时转盘周期及角度等，改变传统工艺，突破常规固态芯片式防伪设计，提高标识的外观表现力；亚波长量级的厚度也使标识的设计及应用场景更加灵活。
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公开(公告)号：CN113655565A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110999127.9
申请日：2021-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于相变材料调控的Y分支波导结构偏振分束器，属于光器件应用和信息处理技术领域。偏振分束器包括基底、Y分支光波导和相变材料薄膜。相变材料薄膜分别呈单层上贴式和两个单层侧贴式沉积在Y分支波导上，通过波导中的倏逝场耦合作用可以改变相变材料薄膜的状态，调整混合光波导的尺寸可以将TM/TE偏振模式分离输出。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。利用有效折射率的不同就可以实现偏振态输出和截止。本发明基于Si波导和相变材料的非易失性超快相变偏振分束器，实现器件的低损耗和微型化，设计结构简单，便于集成，为未来全光器件的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN108470575B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810244207.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。
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