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公开(公告)号：CN102354128A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110147405.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，以输出电压的形式实现情感模拟，其中，加法器电路经过忆阻器改进，用忆阻器代替电阻，由于忆阻器能在外加电压的控制下改变其阻值，因此能够将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，得到输出电压，以不同的输出电压表示机器人对事物的不同的反应，从而以输出电压的形式实现机器人的情感模拟。
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公开(公告)号：CN102169891A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110005329.3
申请日：2011-01-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，属于半导体器件技术领域。该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P型掺杂区或者N型掺杂区中掺入多能级杂质。本发明通过控制多能级杂质，使其在施主能级和受主能级间进行转变，通过邻近区域间势垒的改变实现存储器关态或开态。
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公开(公告)号：CN101290395B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810104013.8
申请日：2008-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微型多功能光学器件及其制备方法，其特征在于：它包括固定电极、可动电极、支撑梁、锚点、玻璃衬底、光反射模块和光纤槽；所述光反射模块的头部呈三角形，正对所述反射模块的头部设置一输入光纤槽，与所述三角形光反射模块的两侧反射面对应，与所述输出光纤槽垂直相对设置有两个输出光纤槽，所述输入、输出光纤槽内设置有输入、输出光纤。本发明利用固定电极和可动电极组成的梳齿型静电驱动器移动光反射模块来实现可调分光功能和光开关功能，同时利用固定电极和可动电极组成的平板型静电驱动器扭转光反射模块来实现光衰减功能。本发明的制备方工艺简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更强大的微光集成系统中。
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公开(公告)号：CN102621182B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210106835.6
申请日：2012-04-12
Applicant: 北京大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R1、R2，测得一维到三维边界热阻R1-3。本方法可以为纳米尺度器件散热结构的设计和关键路径的研究给出参数依据，并且为今后热阻网络和器件热效应的模拟有直接帮助。
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公开(公告)号：CN102315129B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110190786.4
申请日：2011-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42392 , H01L29/0676 , H01L29/66772 , H01L29/78642 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力，能够提供很好的抑制短沟道效应的能力，并减小泄漏电流和漏致势垒降低(DIBL)；另一方面，进一步缩小器件面积，提高了IC系统的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157556B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110029601.1
申请日：2011-01-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道区上层和沟道区下层掺杂有类型相反的杂质，沟道区上层外覆盖一层栅介质区，栅区位于栅介质的外层。本发明基于氧化分凝技术制备出适合应用在高速电路中的埋沟结构硅基围栅晶体管，避免了围栅器件多晶向带来的迁移率下降和严重的随机电报噪声现象。
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公开(公告)号：CN102569261A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210005993.2
申请日：2012-01-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/544 , G01N21/65
Abstract: 本发明公布了一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法。结构包括源(1)、漏(2)、栅(3)三部分，源(1)和漏(2)之间有一根悬空纳米线(5)；栅(3)和漏(2)之间有绝缘层(6)；该结构采用围栅结构，栅(3)的一端与一个接线板(4)相连。由源端开始一直到栅，每隔一段距离在纳米线上取一个点，采用高功率激光依次给纳米线上各个点加热，通过所测得的各个点的拉曼光谱的峰移，计算出每个点与源、漏端之间的温差，进而求得每个点的温度；计算由栅这条路径的总的热阻RTHG和从栅到漏端之间的纳米线热阻RTHD；比较RTHG和RTHD的大小，找出主要散热路径。根据测试结果可以对纳米尺度器件的散热途径进行改善，从而提高器件的特性。
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公开(公告)号：CN102353882A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110153759.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2642 , G01R31/2621 , H01L22/14 , H01L22/34
Abstract: 本发明公布了一种半导体器件的栅介质层陷阱密度和位置的测试方法。所述测试方法利用泄漏通路产生的栅泄漏电流来测试小面积(有效沟道面积小于0.5平方微米)半导体器件栅介质层中陷阱密度和二维的陷阱位置。本发明尤其适用于超小面积器件(有效沟道面积小于0.05平方微米)的测试。本方法可以得出栅介质在不同材料、不同工艺情况下的陷阱分布情况；本方法要求设备简单，测试结构简单，测试成本低廉；且测试快速，在短时间内即可得到器件栅介质陷阱分布，适于大批量自动测试非常适用于超小半导体器件制造过程中的工艺监控和成品质量检测。
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公开(公告)号：CN102213693A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110087463.2
申请日：2011-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/60
Abstract: 本发明提供一种无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法，该半导体器件测试结构为三栅结构，两侧栅窄而中间栅宽，三个栅控制半导体器件测试结构的沟道的不同区域，达到精确控制电荷走向的目的。利用本发明半导体器件栅介质层陷阱的测试方法能够非常简便而且有效的测试出器件栅介质的质量情况，得出栅介质各种不同材料、不同工艺下的陷阱分布情况；且测试快速，在短时间内即可得到器件栅介质陷阱分布，适于大批量自动测试；操作与经典的可靠性测试(电荷泵)兼容，简单易操作，非常适用于新一代围栅器件制造过程中的工艺监控和成品质量检测，同时，也适用于其他无衬底引出器件。
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公开(公告)号：CN101290395A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810104013.8
申请日：2008-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微型多功能光学器件及其制备方法，其特征在于：它包括固定电极、可动电极、支撑梁、锚点、玻璃衬底、光反射模块和光纤槽；所述光反射模块的头部呈三角形，正对所述反射模块的头部设置一输入光纤槽，与所述三角形光反射模块的两侧反射面对应，与所述输出光纤槽垂直相对设置有两个输出光纤槽，所述输入、输出光纤槽内设置有输入、输出光纤。本发明利用固定电极和可动电极组成的梳齿型静电驱动器移动光反射模块来实现可调分光功能和光开关功能，同时利用固定电极和可动电极组成的平板型静电驱动器扭转光反射模块来实现光衰减功能。本发明的制备方工艺简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更强大的微光集成系统中。
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