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公开(公告)号：CN118606267B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410820032.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种模数混合自刷新存内计算簇及模拟辅助数字存内计算电路，属于集成电路设计(integrated circuit design)领域。本发明将数字计算与模拟计算与刷新功能嵌入到了同一存内计算簇中，通过低精度的模拟预计算，可以大幅降低所需要的高精度数字计算操作数，从而提高数字存内计算的能量效率与面积效率。且模拟计算与数字计算间数据可复用，不需要额外数据搬运，因此能量效率与面积效率被进一步提升。
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公开(公告)号：CN118919535A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410877439.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成有源结构；基于第一有源结构，形成堆叠晶体管的第一晶体管，第一晶体管包括第一栅极结构，第一栅极结构采用栅极替代工艺形成；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成堆叠晶体管的第二晶体管，第二晶体管包括第二栅极结构，第二栅极结构采用栅极替代工艺形成；堆叠晶体管还包括：栅极隔离结构，栅极隔离结构是在第一栅极结构和/或第二栅极结构替代伪栅结构之前，在堆叠晶体管的栅极隔离区域内沉积形成的；栅极隔离结构用于电学隔离堆叠晶体管的栅极结构和与堆叠晶体管在第二方向上相邻的晶体管的栅极结构。
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公开(公告)号：CN118824950A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410802610.7
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成多个有源结构；多个有源结构对称设置在介质墙结构的两侧，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，介质墙结构包括第一介质墙结构和第二介质墙结构；基于多个第一有源结构，形成第一正面晶体管和第二正面晶体管；倒片并去除衬底；基于多个第二有源结构，形成第一背面晶体管和第二背面晶体管；其中，第一正面晶体管和第一背面晶体管在垂直于有源区的方向上自对准，第二正面晶体管和第二背面晶体管在垂直于有源区的方向上自对准。通过本申请，可以提高半导体结构的集成密度。
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公开(公告)号：CN114510895B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210080599.9
申请日：2022-01-24
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/36 , G06F111/08 , G06F119/10
Abstract: 本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法，属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成，通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真，再将得到的所有随机电报噪声功率谱进行叠加，最后得到闪烁噪声的功率谱。本发明通过随机电报噪声幅度与能量分布的随机性来反映闪烁噪声的涨落特性，可以准确地统计闪烁噪声的涨落信息，给出当前条件下器件闪烁噪声的期望值与涨落的方差。
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公开(公告)号：CN118538675A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410609235.4
申请日：2024-05-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成第一牺牲层和位于第一牺牲层之上的有源结构；有源结构包括：第一有源结构和第二有源结构；在半导体衬底上沉积氧化物材料，以形成浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构包裹第二有源结构和第一牺牲层，第一有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构和第一牺牲层；去除第一牺牲层，并在被去除的第一牺牲层的位置处形成硬掩模结构；以硬掩模结构为硬掩模，减薄浅沟槽隔离结构，以使第二有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；去除硬掩模结构之后，基于第二有源结构，形成第二晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118538665A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410626308.0
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/485
Abstract: 本申请提供一种倒装晶体管的金属布线方法、倒装晶体管、器件及设备。方法包括：在半导体衬底上沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层形成第一金属结构；在第一金属结构上形成正面晶体管的第一金属互连层，第一金属互连层中不存在电源传输网络线，电源传输网络线为正面晶体管供电；倒片以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层，形成第二金属结构，第一金属结构和第二金属结构构成直连结构；在第二金属结构上形成背面晶体管的第二金属互连层，并通过直连结构将第二金属互连层中的电源传输网络线与第一金属互连层中的电源金属线连接，以在背面为正面晶体管供电。
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公开(公告)号：CN117293090B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311226797.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/092 , H05K1/18 , B82Y10/00
Abstract: 本申请提供一种自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底的沟道区上形成硬掩模和侧墙结构；基于硬掩模和侧墙结构，刻蚀衬底，以形成第一半导体结构；去除硬掩模，并刻蚀第一半导体结构以及衬底，以形成第一有源结构和第二有源结构；第一有源结构包括与侧墙结构对应的至少两个鳍片；在第一有源结构两端的有源区外延生长第一源极结构或第一漏极结构，以形成第一晶体管，第一晶体管为鳍型场效应晶体管；对衬底进行倒片，并去除衬底，以暴露第二有源结构；在第二有源结构两端的有源区外延生长第二源极结构或第二漏极结构，以形成第二晶体管，第二晶体管为纳米片场效应晶体管或平面晶体管。
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公开(公告)号：CN118366928A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410449962.9
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的栅极互连方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，栅极互连方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；在形成第一晶体管和/或形成第二晶体管之后，在第一区域内形成互连结构，以连接第一晶体管的第一栅极结构与第二晶体管的第二栅极结构，第一区域位于有源结构与堆叠晶体管一侧的边界之间。
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公开(公告)号：CN118352300A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410299534.2
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/764 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向依次堆叠的第一有源结构、牺牲层结构和第二有源结构；第二有源结构相比于第一有源结构靠近半导体衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一伪栅侧墙；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二伪栅侧墙；在形成第一晶体管的第一伪栅侧墙和/或第二晶体管的第二伪栅侧墙之前，采用湿法刻蚀工艺去除牺牲层结构；在被去除的牺牲层结构的位置处形成空气间隙；空气间隙用于隔离第一晶体管和第二晶体管。
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公开(公告)号：CN117316770B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311317907.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第二掺杂区；其中，牺牲栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；在形成第二掺杂区之后，去除牺牲栅极，并在牺牲栅极去除的位置形成栅极。
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