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公开(公告)号：CN118606267A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410820032.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种模数混合自刷新存内计算簇及模拟辅助数字存内计算电路，属于集成电路设计(integrated circuit design)领域。本发明将数字计算与模拟计算与刷新功能嵌入到了同一存内计算簇中，通过低精度的模拟预计算，可以大幅降低所需要的高精度数字计算操作数，从而提高数字存内计算的能量效率与面积效率。且模拟计算与数字计算间数据可复用，不需要额外数据搬运，因此能量效率与面积效率被进一步提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114093394B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111273336.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可转置存内计算电路及其实现方法。本发明可转置存内计算电路包括可转置存内计算阵列和外围电路，可转置存内计算阵列包括16个局域阵列，每一个局域阵列包括128个存储与计算列，128个存储与计算列通过行计算线连接到一起，位于同一列的存储与计算列通过总位线和总位线反连接到一起，每个存储与计算列包括8个六管存储单元和1个电荷计算单元，通过局域位线和局域位线反并联，外围电路包括字线驱动、读写外围电路、前传输入驱动电路、16个行模数转换器、16个8选1多路复用器、16个列模数转换器和总时序控制电路；本发明的转置功能能够让边缘端的智能芯片更低功耗的实现边缘端的重训练；同时，电荷域计算提高了计算的稳定性与精度。
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公开(公告)号：CN118606267B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410820032.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种模数混合自刷新存内计算簇及模拟辅助数字存内计算电路，属于集成电路设计(integrated circuit design)领域。本发明将数字计算与模拟计算与刷新功能嵌入到了同一存内计算簇中，通过低精度的模拟预计算，可以大幅降低所需要的高精度数字计算操作数，从而提高数字存内计算的能量效率与面积效率。且模拟计算与数字计算间数据可复用，不需要额外数据搬运，因此能量效率与面积效率被进一步提升。
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公开(公告)号：CN114093394A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111273336.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可转置存内计算电路及其实现方法。本发明可转置存内计算电路包括可转置存内计算阵列和外围电路，可转置存内计算阵列包括16个局域阵列，每一个局域阵列包括128个存储与计算列，128个存储与计算列通过行计算线连接到一起，位于同一列的存储与计算列通过总位线和总位线反连接到一起，每个存储与计算列包括8个六管存储单元和1个电荷计算单元，通过局域位线和局域位线反并联，外围电路包括字线驱动、读写外围电路、前传输入驱动电路、16个行模数转换器、16个8选1多路复用器、16个列模数转换器和总时序控制电路；本发明的转置功能能够让边缘端的智能芯片更低功耗的实现边缘端的重训练；同时，电荷域计算提高了计算的稳定性与精度。
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公开(公告)号：CN115995256B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310287511.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明提供了一种自校准电流编程及电流计算型存内计算电路及其应用，属于新型存储与计算技术领域。本发明的计算单元由两个电流编程多值eDRAM单元通过伪差分组合构成，电流编程多值eDRAM单元由三个晶体管与一个存储电容构成，三个晶体管分别为一个写入管和两个自共源共栅连接的读出晶体管，利用电流编程电路实现存内计算电路的操作。相比于传统的电压编程电流计算型存内计算电路，本发明电流编程与电流计算能够让模拟存内计算有更高的精度与能效，对电压、温度和工艺涨落有更好的鲁棒性，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115995256A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310287511.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明提供了一种自校准电流编程及电流计算型存内计算电路及其应用，属于新型存储与计算技术领域。本发明的计算单元由两个电流编程多值eDRAM单元通过伪差分组合构成，电流编程多值eDRAM单元由三个晶体管与一个存储电容构成，三个晶体管分别为一个写入管和两个自共源共栅连接的读出晶体管，利用电流编程电路实现存内计算电路的操作。相比于传统的电压编程电流计算型存内计算电路，本发明电流编程与电流计算能够让模拟存内计算有更高的精度与能效，对电压、温度和工艺涨落有更好的鲁棒性，具有广阔的应用前景。
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