公开(公告)号：CN118315270A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410732790.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮 ,  杜建宇

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/52 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: 本申请提供一种芯片基板及其制备方法、功能芯片，涉及电子制造技术领域，提供晶圆衬底，晶圆衬底包括中心区域以及位于中心区域外围的边缘区域；对晶圆衬底的所述边缘区域进行第一刻蚀，得到第一凹槽；对晶圆衬底的中心区域和边缘区域进行第二刻蚀，得到填埋槽，填埋槽沿第一方向的深度大于第一凹槽沿第一方向的深度，填埋槽在边缘区域内的槽底深度大于或等于填埋槽在中心区域内的槽底深度；将芯片填入填埋槽内，得到芯片基板。本申请提供的制备方法通过两次刻蚀，使填埋槽的边角略低于中心区域，得到边角形貌均匀的填埋槽，该方法对填埋槽的形貌进行了有效的优化，进而提高芯片的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN113488431A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110565908.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  郑德印 ,  杨宇驰 ,  杜建宇 ,  温博

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供单层衬底结构；在所述单层衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述单层衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。

公开(公告)号：CN119291970B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411833671.6

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 申诗涛 ,  杜建宇 ,  汪琪 ,  王玮

IPC: G02F1/1685 ,  G02F1/167 ,  G02F1/1673

Abstract: 本发明公开一种可重构单元操控方法、可重构单元、设备和存储介质，涉及可重构电子技术领域，所述方法包括：制备可重构单元，所述可重构单元包括超原子、磁性响应材料和可重构单元主体材料；通过磁场和/或电场操控所述可重构单元在设定流体环境范围内运动。通过制备包含超原子、磁性响应材料和主体材料的可重构单元，创建一种能够在外部磁场和/或电场控制下改变其物理和光学特性的超表面。利用磁场和/或电场操控可重构单元，实现超原子在设定流体环境范围内的精确运动控制。

公开(公告)号：CN116705625B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310961493.4

申请日：2023-08-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  陈浪 ,  杜建宇 ,  张驰

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/67 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。

公开(公告)号：CN112701097B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202011569057.5

申请日：2020-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杜建宇 ,  杨宇驰 ,  李炜豪

IPC: H01L23/473

Abstract: 本发明实施例提供了一种嵌入式微流体冷却系统及硅基转接板，所述冷却系统包括：进液流道、进液分配流道、出液收集流道、毛细流道、进液口和出液口，所述进液流道连接所述进液分配流道，所述毛细流道连接所述进液分配流道和所述出液收集流道，所述进液口设置于所述进液流道上，所述出液口设置于所述出液收集流道上；所述进液分配流道的通道宽度逐渐减小；所述出液口到第一毛细流道端的距离为第一距离，所述出液口到第二毛细流道端的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。本发明实施例提供的冷却系统及硅基转接板，对嵌入式微流体的流道结构进行改进，在减少泵功率的同时使冷却效率和散热均匀性大大提高，进而提升对芯片的冷却效果。

公开(公告)号：CN113594772A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110730105.2

申请日：2021-06-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杜建宇 ,  杨宇驰

IPC: H01R13/629 ,  H05K7/20 ,  H01R13/627

Abstract: 本发明涉及通信技术领域，具体公开了一种电子设备用数据线及电子设备，包括：线壳；电学支路，用于双向传输电信号，电学支路的两端设置有用于与外部连接对象连接的第一连接头；供液管路，用于单向传输冷却液；排液管路，用于单向传输冷却液，至少部分电学支路、供液管路以及排液管路设置在线壳内，排液管路内冷却液的流动方向与供液管路内冷却液的流动方向相反，供液管路、排液管路的两端分别设置有用于与外部连接对象连接的第二连接头，供液管路、排液管路中的冷却液在外部连接对象处连通。本发明中的数据线在为电子设备进行供电的同时，通过供给电子设备冷却液使其内部温度高效的下降，显著提高电子设备的散热性能。

公开(公告)号：CN112613248A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011569072.X

申请日：2020-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜建宇

IPC: G06F30/28 ,  G06F30/3323 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明实施例提供了一种改进嵌入式微流体结构设计的方法和系统，所述方法包括：计算所述嵌入式微流体中各流道的流阻；基于流阻与电阻类似的特性，构建与所述仿真模型相似的等效电阻网络；将所述各流道的流阻和该嵌入式微流体的边界条件参数输入所述等效电阻网络，利用MATLAB对所述等效电阻网络进行仿真，优化电阻的阻值，获得所述电阻优化完成后的优化电阻；根据所述优化电阻，获得所述流道流阻的优化流阻，再根据所述优化流阻，调节所述微流体的流道设计，以减小同一时间段内通过各个散热流道的流量方差。本发明实施例提供的方法和系统，将微流体等效为电阻网络进行仿真，可以实现各类微流体的结构设计的自动改进，增强微流体的散热均匀性。

公开(公告)号：CN113658927B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202110791595.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 北京大学 ,  北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

Inventor： 王玮 ,  杨宇驰 ,  杜建宇

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明涉及一种可分区调控流量的散热结构，其通过调整入液管路与入液口的连接关系以及出液管路与出液口的连接关系，以及通过调整散热结构内不同区域的嵌入式微流道及歧管通道的结构特征和并行度来调整流阻，可以极大程度的减少调控流量所需要的压力调控结构数目。本发明的散热结构通过调节压力调控结构的压强数值，可以动态调控散热结构内不同区域的散热性能，相较于传统的单阀门流道结构，可以提升泵功的利用率，提升散热系统的能耗比。本发明针对散热结构内散热性能要求高的区域设计了小尺寸、高并行度、小流阻的歧管通道结构，在强化冷却性能的同时，较小流阻使得压降调控更为有效，增加了调制比例。另外，本发明还涉及所述散热结构的制备方法。

公开(公告)号：CN118315270B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410732790.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮 ,  杜建宇

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/52 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: 本申请提供一种芯片基板及其制备方法、功能芯片，涉及电子制造技术领域，提供晶圆衬底，晶圆衬底包括中心区域以及位于中心区域外围的边缘区域；对晶圆衬底的所述边缘区域进行第一刻蚀，得到第一凹槽；对晶圆衬底的中心区域和边缘区域进行第二刻蚀，得到填埋槽，填埋槽沿第一方向的深度大于第一凹槽沿第一方向的深度，填埋槽在边缘区域内的槽底深度大于或等于填埋槽在中心区域内的槽底深度；将芯片填入填埋槽内，得到芯片基板。本申请提供的制备方法通过两次刻蚀，使填埋槽的边角略低于中心区域，得到边角形貌均匀的填埋槽，该方法对填埋槽的形貌进行了有效的优化，进而提高芯片的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN118335628A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410734114.2

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杜建宇 ,  张驰 ,  武宏旭 ,  石上阳

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/427

Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。