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公开(公告)号：CN105668503B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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公开(公告)号：CN105823782A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN105702663A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410709623.6
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、金属信号线、水平的屏蔽层、竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通孔，其核心在于屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯及其在集成电路中的独特结构设计。本发明屏蔽层采用的二维材料厚度小，可显著降低同层内多个金属信号线间的层内串扰，又可降低不同层之间金属信号线间的层间串扰，且其制备与传统CMOS工艺相兼容，并且与三维集成电路技术的工艺、要求与发展趋势相适应。
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公开(公告)号：CN105668503A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00349 , B81C1/00404 , B81C1/00531 , B81C2201/01 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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公开(公告)号：CN114283867B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109941991A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910327755.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层-金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。
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公开(公告)号：CN105819429A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610136419.9
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种无褶皱石墨烯的制备方法，该方法利用控制铜金属催化剂的晶体学取向，获得整体或局部为低指数面(如：(001)取向)的铜箔，经化学气相沉积(CVD)生长石墨烯后，可获得表面没有台阶的石墨烯/铜箔样品，去除铜衬底并转移到其它绝缘衬底后获得无褶皱的石墨烯样品。此方法可以得到无褶皱单层石墨烯样品，其面积大小取决于铜箔上低指数晶面的尺寸，此技术为研制石墨烯器件提供高质量的石墨烯薄膜材料。
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公开(公告)号：CN105699702A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410709646.7
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法，该方法利用石墨烯-金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象，以光谱仪配合导电原子力显微镜，实现控制探针移动，测量相应电压，提取到ΔEF的平均值，根据ΔEF和d的对应关系，得到发光点处石墨烯与金属表面间距d，最后得到样品的间距分布图。
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