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公开(公告)号：CN100411728C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510086422.6
申请日：2005-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。
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公开(公告)号：CN1155980C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN102995091A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210488574.9
申请日：2012-11-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法，其步骤主要包括：首先将摆洗好的钛片进行第一次阳极氧化，完毕之后，利用超声去掉附着在钛片上的二氧化钛纳米管薄膜；然后，将钛片重新装入电极，进行第二次阳极氧化，完毕之后，取出钛片进行摆洗；最后即可获得二氧化钛纳米尖阵列薄膜。本发明的方法实现了适合于场发射的二氧化钛纳米尖阵列的制备。与传统的微电子场发射针尖阵列相比，本发明方法简单，制备参数容易控制，而且阵列的尖端比较尖锐，有利于场发射的获得。而且，经高温退火后的二氧化钛纳米尖阵列薄膜，具有更低的开启与阈值场强，特别是在450℃下退火的样品具有最小的开启与阈值场强，场发射性能明显提高。
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公开(公告)号：CN101439843B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810224030.5
申请日：2008-10-10
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种微型原子气室封装工艺方法，包括：样品室、压力杆、样片、样品台、加热丝与测温探头、真空泵连接口、充气进口、直流高压电源、电压表、电阻和其它测控装置，包括步骤1材料的选取，步骤2材料的加工，步骤3样片的清洗，步骤4第一面键合，步骤5第二面键合，步骤6样品检测，将采用原位化学反应法生成的金属铷封闭在微型气室中的方法。本发明的有益效果具体如下：本发明涉及的专用设备是基于阳极键合技术原理的，采用了相对廉价的机械泵-分子泵抽气机组的普通高真空系统，同时用惰性气体对真空系统反复充气“清洗”以及对样片局部进行高温烘烤除气等措施来尽可能地减轻残余气体和吸附气体的影响，特别是减轻铷的氧化问题。
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公开(公告)号：CN101748467A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010033725.2
申请日：2010-01-05
Applicant: 北京大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 本发明公开了一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压突然升高至90-200V保持0.5-10min，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。该方法通过电压跃迁使得氧化钛纳米管阵列与基底的脱离和氧化钛纳米管底部的打通同时实现，大大简化了双通氧化钛纳米管阵列的制备过程，且制备参数容易控制，氧化钛纳米管阵列底部打开的效果好，对促进氧化钛纳米管阵列在光电转换中的应用有着重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101311349A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101189.8
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面长方形的宽度的和，特别的，当倒屋顶形的屋脊长度为零时，该倒屋顶形退化为倒金字塔形。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；制备参数容易控制；生成的产物形貌平整，结晶良好，且具有规则的硅的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN100411866C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510011678.0
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: B32B5/08
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
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公开(公告)号：CN100349803C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610011721.8
申请日：2006-04-04
Applicant: 北京大学
IPC: C01G41/02
Abstract: 一种氧化钨微米管及其制备方法。所述的微米管截面呈六重对称，直径为1至6微米，长度为5至10微米。所述的制备方法包括步骤：(1)将钨基底和水分别置于可加热的反应腔室中；(2)通入保护气体，除去反应腔室内空气，并使腔内压强保持在0.35至0.45MPa之间；(3)加热，使反应腔室内温度达到1100-1300℃，并保持30-45分钟，在钨基底上生长氧化钨微米管，其化学成分为WO3·xH2O；(4)反应腔室内温度自然降至室温，微米管的化学成分由WO3·xH2O脱水而成为六角型氧化钨：h-WO3。
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公开(公告)号：CN101311348B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810101188.3
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方形的宽度的和，特别的，当屋顶形的屋脊长度为零时，该屋顶形退化为正四棱锥形，也可以称为金字塔形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101439843A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810224030.5
申请日：2008-10-10
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种微型原子气室封装设备及工艺技术方法，包括：样品室、压力杆、样片、样品台、加热丝与测温探头、真空泵连接口、充气进口、直流高压电源、电压表、电阻和其它测控装置，包括步骤1材料的选取，步骤2材料的加工，步骤3样片的清洗，步骤4第一面键合，步骤5第二面键合，步骤6样品检测，将采用原位化学反应法生成的金属铷封闭在微型气室中的方法。本发明的有益效果具体如下：本发明涉及的专用设备是基于阳极键合技术原理的，采用了相对廉价的机械泵—分子泵抽气机组的普通高真空系统，同时用惰性气体对真空系统反复充气“清洗”以及对样片局部进行高温烘烤除气等措施来尽可能地减轻残余气体和吸附气体的影响，特别是减轻铷的氧化问题。
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