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公开(公告)号：CN115305454A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211030289.2
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控管装置及磁控溅射设备，该包括旋转轴、旋转横梁、磁控管组件和两个限位组件，其中，旋转轴能够围绕自身的第一轴线沿第一方向或者与之相反的第二方向旋转；旋转轴与旋转横梁可围绕第二轴线相对旋转的连接；磁控管组件与旋转横梁连接；两个限位组件设置于旋转横梁上，且沿旋转横梁的延伸方向相对设置于第二轴线的两侧，旋转轴位于两个限位组件之间，且旋转轴上设置有用于与限位组件进行定位配合的定位结构；定位结构用于在旋转轴沿第一方向或者第二方向旋转至预设位置时，与对应的限位组件相配合，以使旋转轴和旋转横梁同步旋转。本发明提供的磁控管装置可以解决因电机扰动被放大而引起的电机扭矩过载报警的问题。
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公开(公告)号：CN112249709B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011061731.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: B65G49/07 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种机械手及其获取和传输晶圆的方法，其中机械手包括机械手臂以及与机械手臂连接的承载部，承载部用于承载晶圆，机械手还包括：测距装置，设置于机械手臂朝向承载部的端面上，测距装置用于实时检测测距装置与承载于承载部上的晶圆之间的距离；处理器，处理器实时接收测距装置检测的距离，并根据距离判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位。测距装置能够实时检测测距装置与晶圆之间的距离，实时判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位，防止晶圆在获取和传输的过程中导致工艺偏差甚至碎片。
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公开(公告)号：CN114256104A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111435874.6
申请日：2021-11-29
Applicant: 西安北方华创微电子装备有限公司 , 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：从多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室，以及确定处于闲置状态的目标气体分析仪，打开目标气体分析仪与目标工艺腔室之间的隔离阀，并关闭目标气体分析仪与其它工艺腔室之间的隔离阀，使目标气体分析仪只与目标工艺腔室连通，启动目标气体分析仪，使目标气体分析仪在根据目标工艺腔室内的气体成分确定目标工艺腔室泄漏的情况下，输出指示目标工艺腔室泄漏的第一报警信息。在包括多个工艺腔室的半导体工艺设备中，多个工艺腔室可以共享气体分析仪，因此可以在半导体工艺设备中设置较少的气体分析仪，降低半导体工艺设备的成本。
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公开(公告)号：CN113161280A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110433321.0
申请日：2015-01-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于除气腔室的顶针机构，所述顶针机构包括多个顶针、升降托架和升降装置，其中，所述升降装置的输出轴与所述升降托架相连，多个所述顶针间隔地设置在所述升降托架上，所述升降装置用于驱动所述顶针做升降运动；每个所述顶针均包括朝向所述升降托架的中部延伸的支撑部和向上延伸的限位部。本发明还提供一种除气腔室。由于顶针包括限位部，因此，在顶针将设置在加热件上的晶圆顶起时，晶圆被限制在多个顶针的限位部共同限定的区域内，并且由多个顶针的支撑部共同支撑，因此，晶圆不会从多个顶针上滑落，位置也不会发生偏移，从而避免了晶圆被机械手碰碎的风险。
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公开(公告)号：CN108728791B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710277996.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构环绕设置在腔室内的基台周围，基台周围沿基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，基台、压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构在腔室内围成工艺区域，进气机构包括调节结构，调节结构位于上屏蔽结构和下屏蔽结构之间，且能沿基台的轴向上下移动，以分别在工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。该进气机构通过不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域的反应气体的流量不同，从而能够使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110289226A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810226568.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。所述工艺腔室包括腔室本体和LED灯源，LED灯源用于朝向腔室本体内的待处理工件发出光线，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够发出预定波长的光线。本发明的工艺腔室，采用至少一个LED芯片作为发光单元，可以使得LED芯片在灯罩内灵活排布，其次，LED芯片的发光效率较高、发热量小、寿命较高，因此维护成本较低。此外，当待处理工件为待处理介质层时，合理选用所需要的预定波长，可以提高对Low-k材料中C-SI，C-H，H-O等键的裂解作用，从而形成SI-O-SI键，可以有效降低介电常数K值，并且可以有效增加Low-k的机械强度。
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公开(公告)号：CN108091588A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611045887.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备，在向工艺腔室内传片之前，向工艺腔室内通入第一气体，并使工艺腔室的压力维持在预设的阈值，在向工艺腔室内传片之后，向工艺腔室内通入第二气体，并使工艺腔室内的压力仍然维持在所述阈值，同时对晶片进行退火工艺，保持晶片传入前后，腔室内的压力恒定，可以避免在退火工艺过程中的气体乱流，不但可以降低工艺腔体内温度波动，提高腔室和晶片温度的均匀性，还可以缩短腔室内温度回复稳定的时间，从而提高设备产能。
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公开(公告)号：CN116815140A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN110544646A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201811020733.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
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公开(公告)号：CN105441876B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201410443115.8
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积设备，其包括传输腔室，以及围绕在传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与传输腔室对接；并且，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室和多功能腔室，该多功能腔室既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺；或者，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室、气锁腔室以及用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室。本发明提供的薄膜沉积设备，其无需在设备之外另设单设退火炉，就可以完成退火工艺，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，进而可以降低设备的生产成本。
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