公开(公告)号：CN1510755B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，硅表面通过降低OH浓度的RCA标准清洗-1工序、并通过淀积自牺牲氧化物膜而具有不大于0.15nm的规定的表面算术平均差Ra，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n-MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1938447B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200580009990.4

申请日：2005-03-29

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C16/448 ,  H05B33/10 ,  H05B33/28

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/564 ,  F28D2021/0077 ,  F28F9/026 ,  F28F13/08

Abstract: 以提供成膜速度快，使均匀成膜成为可能，能够节省原料的成膜装置和成膜方法为目的，使蒸发的成膜材料通过输运气体的气体流动到达基板表面，可以通过气体的气体流动控制成膜条件，能够将均匀的膜堆积在大面积的基板上。即、通过将气化的原料引导向基板而提高成膜速度，可以均匀成膜。

公开(公告)号：CN100563404C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN03819972.6

申请日：2003-08-25

Applicant: 日本瑞翁株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大 ,  加藤丈佳 ,  胁坂康寻

IPC: H05K1/03 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H05K3/26 ,  H05K3/42 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K3/4676 ,  H05K3/4688

Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。

公开(公告)号：CN101567389A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100492600C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480032469.8

申请日：2004-11-02

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。

公开(公告)号：CN100483566C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480003650.6

申请日：2004-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC: H01B3/12 ,  H01B19/00 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10 ,  C23C14/06 ,  C01G35/00

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

Abstract: 本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上，从而形成铁电膜；在加热工序中，加热所述铁电膜并进行氧化。

公开(公告)号：CN100480656C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200480017295.8

申请日：2004-06-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  杉山一彦 ,  日野昭一 ,  高桥荣治 ,  三枝慎 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  上野山丰己 ,  杉田胜幸

IPC: G01L19/02 ,  G01L19/04

CPC classification number: G01L19/02 ,  G01L9/065 ,  G01L19/0023 ,  G05D7/0635

Abstract: 本发明提供一种对压力传感器的时效零点漂移进行自动修正，能够不限于其工作期间对压力进行准确检测的压力传感器、使用该压力传感器的压力控制装置以及流量控制装置。具体地说，作为一种采用对流体压力进行测定的半导体压敏元件的压力传感器，将来自压力传感器的传感器输出电压通过放大器向外部输出，并将所述传感器输出电压通过D/A转换器输入给压力传感器时效零点漂移修正机构，在该时效零点漂移修正机构的传感器输出判定机构中判定所述传感器输出电压是否大于设定值，对压力传感器的动作条件进行判定，当所述传感器输出电压大于设定值时，将压力传感器的时效零点漂移消除。

公开(公告)号：CN100467880C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580002863.1

申请日：2005-01-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  西村龙太郎

IPC: F15B13/043 ,  G05D16/20 ,  F16K47/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762 ,  Y10T137/7842 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86397 ,  Y10T137/86461

Abstract: 本发明的课题在于实现，通过极为简单的装置和操作能够在不产生水击的情况下在短时间内将流体通路快速打开。本发明的无水击打开装置包括：致动器动作式阀，设置在流体通路中；电/气转换装置，向致动器动作式阀提供两阶段式致动器动作压力(Pa)；振动传感器，拆装自如地固定于所述致动器动作式阀的上游侧管路；调节箱，被输入由振动传感器检测到的振动检测信号(Pr)，并且，向电/气转换装置输出对所述两阶段式致动器动作压力(Pa)的阶跃动作压力(Ps’)的大小进行控制的控制信号(Sc)，通过该控制信号(Sc)的调整而使电/气转换装置输出下述阶跃动作压力(Ps’)的两阶段式致动器动作压力(Pa)，所述阶跃动作压力(Ps’)使得振动检测信号(Pr)大致为零。

公开(公告)号：CN100455158C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN02826884.9

申请日：2002-10-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192

Abstract: 通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室(1，2)和将微波导入处理室的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)的等离子体加工装置，微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为m时，透过方向上的电介质构件的厚度T，满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4)这样的条件。

公开(公告)号：CN101215684A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710198636.1

申请日：2004-02-03

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

Abstract: 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1－xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。