公开(公告)号：CN1795547A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567389B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567388A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100521115C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567388B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567389A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101263589B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200580051562.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B65G49/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B65G2201/0247 ,  H01L21/31 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。

公开(公告)号：CN101263589A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200580051562.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B65G49/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B65G2201/0247 ,  H01L21/31 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。

公开(公告)号：CN1510755B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，硅表面通过降低OH浓度的RCA标准清洗-1工序、并通过淀积自牺牲氧化物膜而具有不大于0.15nm的规定的表面算术平均差Ra，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n-MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1510755A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。