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公开(公告)号：CN101256934B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810005732.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。
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公开(公告)号：CN101207009B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710161139.4
申请日：2007-12-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN101549950B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200910135258.1
申请日：2001-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B37/018 , C03B35/26 , C03B8/04
CPC classification number: C03B37/0142 , C03B37/01202 , C03B37/01406 , C03B37/01486 , C03B2207/36 , C03B2207/52 , C03B2207/66 , C03B2207/70
Abstract: 本发明有关于光纤原材料的玻璃母材制造装置，沿玻璃母材的出发母材的长轴方向，在对出发母材全体长度的一部分区间，以往返而在出发母材堆积玻璃微粒子以形成玻璃母材的母材堆积体；并且本装置包括沿出发母材的长轴方向，以一定间隔配成一列的多个喷燃器，和多个各喷燃器至少连接一个调节供给喷燃器的玻璃微粒子原料瓦斯流量的流量调节器，以及连接多个各流量调节器，以个别控制多个各流量调节器的控制部等。
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公开(公告)号：CN100497220C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN01813271.5
申请日：2001-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B8/04 , C03B37/018 , C03B35/26
CPC classification number: C03B37/0142 , C03B37/01202 , C03B37/01406 , C03B37/01486 , C03B2207/36 , C03B2207/52 , C03B2207/66 , C03B2207/70
Abstract: 本发明有关于光纤原材料的玻璃母材制造装置，沿玻璃母材的出发母材的长轴方向，在对出发母材全体长度的一部分区间，以往返而在出发母材堆积玻璃微粒子以形成玻璃母材的母材堆积体；并且本装置包括沿出发母材的长轴方向，以一定间隔配成一列的多个喷燃器，和多个各喷燃器至少连接一个调节供给喷燃器的玻璃微粒子原料瓦斯流量的流量调节器，以及连接多个各流量调节器，以个别控制多个各流量调节器的控制部等。
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公开(公告)号：CN101120231A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580048284.0
申请日：2005-12-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G01B11/105 , G02B6/02285
Abstract: 本发明公开一种光纤母材(1)的纤芯部非圆率测量方法，其包括：从垂直于纤芯部中心轴的方向，一边向浸泡在匹配油(3)中的光纤母材(1)照射光线，一边使光纤母材(1)向平行于中心轴的方向移动，对光线中透过纤芯部的透过光线的宽度变化连同光纤母材(1)的移动量的关系进行记录，获得光纤母材(1)有关长度方向的纤芯部的相对外径值分布的相对外径值分布测量步骤；每当绕着中心轴，使光纤母材(1)旋转至规定的旋转角度时，执行相对外径值分布测量步骤，并记录多个相应于旋转角度的相对外径值分布的相对外径值分布积累步骤；根据在相对外径值分布积累步骤中积累的多个相对外径值分布，计算出多个对于光纤母材(1)长度方向的纤芯部的多个非圆率的非圆率计算步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1934039A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009250.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B37/012 , C03B37/018
CPC classification number: C03B23/045 , C03B37/0126 , C03B37/01486 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种玻璃母材的加工方法及加工装置，可使大型的玻璃母材芯不偏离地且容易地进行焊接加工及端部的纺锤形加工，且无落下事故可安心地操作。本发明是使用加工装置对玻璃母材(1)进行加工的方法，上述加工装置包括直接或间接地把持玻璃母材(1)的轴方向两端部、且可在所相向的方向相对移动的一对旋转自如的夹盘(3a)、(3b)，及可沿着所把持的玻璃母材(1)的轴方向移动的玻璃母材加热用的燃烧器(1)，且玻璃母材的加工方法的特征在于总是以两点或两点以上保持或支持玻璃母材(1)，一边防止悬臂一边进行加工；且加工装置中设置有至少一个保持或支持玻璃母材(1)的中间部的中间把持装置(8a)、(8b)。
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公开(公告)号：CN1444546A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN01813271.5
申请日：2001-07-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B8/04 , C03B37/018 , C03B35/26
CPC classification number: C03B37/0142 , C03B37/01202 , C03B37/01406 , C03B37/01486 , C03B2207/36 , C03B2207/52 , C03B2207/66 , C03B2207/70
Abstract: 本发明有关于光纤原材料的玻璃母材制造装置，沿玻璃母材的出发母材的长轴方向，在对出发母材全体长度的一部分区间，以往返而在出发母材堆积玻璃微粒子以形成玻璃母材的母材堆积体；并且本装置包括沿出发母材的长轴方向，以一定间隔配成一列的多个喷燃器，和多个各喷燃器至少连接一个调节供给喷燃器的玻璃微粒子原料瓦斯流量的流量调节器，以及连接多个各流量调节器，以个别控制多个各流量调节器的控制部等。
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公开(公告)号：CN104040686B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380005209.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/324 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L29/0642 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。
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公开(公告)号：CN104701239A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510117172.1
申请日：2007-11-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
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公开(公告)号：CN102017070B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980116731.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76256
Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。
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