具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法

    公开(公告)号:CN107636802B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201680033205.7

    申请日:2016-06-01

    Abstract: 本发明提供一种复合晶片及制造方法,复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落,且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法,其至少包括:在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序;对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序;将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序;在接合体的至少一个表面具备具有比氧化物单晶晶片小的热膨胀系数的保护晶片的工序;以及以80℃以上的温度对具备保护晶片的接合体进行热处理的工序,且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

    具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN107636801A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201680031978.1

    申请日:2016-06-01

    Abstract: 本发明提供一种复合晶片,其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落,且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说,是一种复合晶片的制造方法,其至少包括:从表面注入氢原子离子或氢分子离子,从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序;对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序;将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序;在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序;以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序,且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

    混合基板的制造方法和混合基板

    公开(公告)号:CN105190835A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201480024384.9

    申请日:2014-04-21

    Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板,在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜,对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理,与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合,接下来,对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次,通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出,进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去,从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

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