-
公开(公告)号：CN1516293A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310117927.5
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C30B19/12 , H01L21/02381 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/2007 , H01L21/3063 , H01L21/76251 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L33/0062 , H01L2221/68368 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/977
Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体构件，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。
-
公开(公告)号：CN1122317C
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN98108876.7
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 生产半导体衬底的方法，对第一衬底的表面阳极化形成多孔层；在多孔层表面和第一衬底与多孔层一侧相对侧的表面上同时形成半导体层；把多孔层表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上；在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底使多孔层表面上形成的半导体层转换到第二衬底上，从而在第二衬底的表面上提供半导体层。这使得可以以低的成本生产半导体衬底，同时可很好地利用昂贵的衬底材料。
-
公开(公告)号：CN1274952A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00120015.1
申请日：2000-05-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/1892 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/056 , H01L31/1804 , H01L31/184 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供光电转换器件的制造方法,包括在衬底表面上形成不均匀形状的步骤,提供分离层、维持衬底上不均匀形状的步骤,形成半导体膜、维持分离层上不均匀形状的步骤,和在分离层使半导体膜与衬底中分离开的步骤,其中,在衬底表面上形成不均匀形状的步骤是通过对带有分离后保留的分离层的衬底的各向异性腐蚀来形成表面上具有不均匀形状衬底的步骤。本发明还提供按上述方法制造的光电转换器件。
-
公开(公告)号：CN1190248A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN97107286.8
申请日：1997-12-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76259 , B28D5/00 , G02F1/136277 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L22/00 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种生产半导体产品的工艺,包括下列步骤,把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上,通过在剥离方向对膜施加力,在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。
-
公开(公告)号：CN1049573A
公开(公告)日：1991-02-27
申请号：CN90104926.3
申请日：1990-06-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S117/913 , Y10S148/122
Abstract: 一种制备选择晶体生长基片的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并叠加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752157A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
-
公开(公告)号：CN101667512A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910168710.4
申请日：2009-09-03
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及电子发射器件和使用电子发射器件的图像显示板、图像显示设备和信息显示设备。所述电子发射器件包括镧的硼化物的多晶膜，并且构成所述多晶膜的微晶大小等于或大于2.5nm并且等于或小于100nm，优选地，所述多晶膜的膜厚度等于或小于100nm。
-
公开(公告)号：CN1639063A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804814.0
申请日：2003-02-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供了一种多晶硅衬底的制备方法，这种多晶硅具有作为太阳能电池衬底的优异特性。切割通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)，使多晶硅衬底(13)的主表面(14)的法线与通过定向凝固制成的多晶硅铸锭(10)的晶粒(11)的纵向基本上垂直。
-
公开(公告)号：CN1150594C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97107286.8
申请日：1997-12-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/76259 , B28D5/00 , G02F1/136277 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L22/00 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种生产半导体产品的工艺，包括下列步骤，把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上，通过在剥离方向对膜施加力，在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。
-
公开(公告)号：CN1280383A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN00121745.3
申请日：2000-06-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C25D11/32 , C25D17/10 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 采用薄膜晶体半导体层生产半导体部件和太阳能电池的方法,包括步骤:(1)阳极化第一基片的表面,在基片的至少一个侧面上形成多孔层,(2)至少在多孔层的表面上形成半导体层,(3)在它的周边区域除去半导体层,(4)粘结第二基片到半导体层的表面,(5)从第一基片在多孔层部分分离半导体层,(6)分离后处理第一基片的表面,并重复上面的步骤(1)到(5)。该方法能以小力分离薄膜半导体层,几乎无裂、断或损,可高效率地制造高性能的产品。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.026 seconds)
