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公开(公告)号：CN1507011A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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公开(公告)号：CN1197997A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺,在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层;在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层,同时降低它的膜形成速度;以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此,可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN114481085B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111246758.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/04 , H01L21/311
Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
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公开(公告)号：CN111682115A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010151904.X
申请日：2020-03-06
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点及制造方法、光电转换元件及制造方法、光接收元件、光电转换装置和移动物体。量子点，包括无机粒子、和该无机粒子表面上的有机配体和无机配体，相对于无机配体和有机配体的总量，无机配体的摩尔百分比为25％以上且99.8％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1269189C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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公开(公告)号：CN1193436C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01140757.3
申请日：2001-07-11
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在放电空间内，衬底201和阴极206相距d(cm)放置，含有一种或多种硅化合物的气体和氢气导引至放电空间，设定成膜压力P(Pa)和d的乘积Pd以及氢的流动速率M(SLM)以满足：80M+200≤Pd≤160M+333。在放电空间内施加射频功率以产生等离子体和在衬底201上形成无定形硅薄膜。从而提供了一种薄膜形成方法，使非晶硅膜的形成成为可能，其中在成膜速率获得提高的同时，还均可获得促进实现大面积的均匀的成膜速率分布和高的转化率。
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公开(公告)号：CN1316547A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01111389.8
申请日：2001-01-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/50
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32532
Abstract: 双层结构的电功率供给电极306包括用单个平板构成的没分隔开的电极102和设在没分隔开的电极102上的6个分隔开的电极101，与设在真空室302中的放电室305的上边上的没分隔开的电极电接触，使电功率供给电极平行面对条形衬底301。按形成平面的方式设置分隔开的电极101，面对条形衬底301的分隔开的电极101的表面与条形衬底301之间的距离均匀。面对条形衬底301的分隔开的电极101的表面总面积与其上安装分隔开的电极101的没分隔开的电极102的面积相同。于是提高了形成淀积膜的设备中产生的等离子体的均匀性，降低了形成淀积膜所需的成本。
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公开(公告)号：CN1315587A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN01111320.0
申请日：2001-01-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32532
Abstract: 一种成膜装置,包括：一个真空腔,一个能量施加电极,一个通过它可以把原材料气体引入所述真空腔的原材料气体引入部分,和一个通过它将所述的真空腔排空的排气部分,所述的能量施加电极被设置成与所述真空腔中的用于成膜的基底相对,其特征在于：至少所述的原材料气体引入部分或所述的排气部分设有一个厚度适宜的用于阻挡所述等离子体的开口调节元件,而且使所述的能量施加电极与所述的开口调节元件放置的位置满足a或c≥b的等式,其中,a是所述能量施加电极与在所述原材料气体引入部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,c是所述能量施加电极与在所述排气部分处设置的所述开口调节元件之间的最短距离,b是所述基底和与所述基底表面相对的所述能量施加电极的水平面之间的平均距离。一种采用所述成膜装置的成膜方法。
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公开(公告)号：CN1186347A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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