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公开(公告)号:CN1341863A
公开(公告)日:2002-03-27
申请号:CN01137176.5
申请日:2001-07-05
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 松山深照
CPC classification number: H02S50/10
Abstract: 提供一种用价格便宜的测试系统能在户内或户外精确测试例如模块或矩阵的大面积叠层光电转换器件的光电转换特性的方法,能测有多种光谱状态的辐射光下的光电转换特性,能评估光电转换器件的每个元件电池的短路电流从标准测试条件的偏移,对比测到的光电转换特性和评估的偏移,由此得到在标准测试条件下的光电转换器件的光电转换特性。
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公开(公告)号:CN1331488A
公开(公告)日:2002-01-16
申请号:CN01122131.3
申请日:2001-07-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 松山深照
CPC classification number: G01R31/308 , H02S50/10
Abstract: 对于适用于测量层叠太阳能电池的光电转换特性的多光源方法,待测试的太阳能电池的光吸收面积受限于实验室水平的最小面积,并且此方法难以测量面积大于400cm2的电池、模件或阵列。为解决此问题,测量或调节照射光的辐射度,测量参考电池的电流-电压特性,并测量试样电池的电流-电压特性。随后,参考电池在标准测试条件下的电流-电压特性与参考电池的电流-电压特性的测量结果进行比较,由此根据照射光与标准测试条件的偏差得到测量结果与标准测试条件的偏差。根据所得到的测量结果的偏差,修正试样电池的电流-电压特性的测量结果,并得到试样电池的光电转换特性。
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公开(公告)号:CN1049870A
公开(公告)日:1991-03-13
申请号:CN90106809.8
申请日:1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法,所述方法包括:按纵向连续移动的基片带;在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室;通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间;同时,通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间,其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区,由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号:CN1199255C
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN01122131.3
申请日:2001-07-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 松山深照
CPC classification number: G01R31/308 , H02S50/10
Abstract: 对于适用于测量层叠太阳能电池的光电转换特性的多光源方法,待测试的太阳能电池的光吸收面积受限于实验室水平的最小面积,并且此方法难以测量面积大于400cm2的电池、模件或阵列。为解决此问题,测量或调节照射光的辐射度,测量参考电池的电流-电压特性,并测量试样电池的电流-电压特性。随后,参考电池在标准测试条件下的电流-电压特性与参考电池的电流-电压特性的测量结果进行比较,由此根据照射光与标准测试条件的偏差得到测量结果与标准测试条件的偏差。根据所得到的测量结果的偏差,修正试样电池的电流-电压特性的测量结果,并得到试样电池的光电转换特性。
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公开(公告)号:CN1193194A
公开(公告)日:1998-09-16
申请号:CN97125281.5
申请日:1997-09-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 松山深照
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/075 , H01L31/06 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/0368 , H01L31/20 , Y02E10/548
Abstract: 有半导体结结构的光电元件,其特征是,所述半导体结结构有含元素周期表中Ⅳ族元素中的一种或一种以上元素的主要组分的非单晶材料构成的P型或n型掺杂层,所述掺杂层中有周期性分布的作为掺杂层主要组分的Ⅳ族元素的浓度减小的多个区域。所述半导体结结构有至少是由微晶半导体材料构成的基本上是本征型的半导体层。
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公开(公告)号:CN1032021C
公开(公告)日:1996-06-12
申请号:CN90106810.1
申请日:1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法,该法包括:沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤,此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁,于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间;再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体;同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波,由此向成膜空间提供微波功率,使在空间内激发起等离子体,从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。
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公开(公告)号:CN1030722C
公开(公告)日:1996-01-17
申请号:CN90103311.1
申请日:1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3277 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/872 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 微波等离子CVD方法用以连续地形成大面积的长的功能性淀积膜,包括:使一衬底腹板从释放机构到卷收机构在纵向连续地运动;在运动中将衬底腹板弯曲和突出形成一圆柱形部分作为膜生成腔的圆周墙;将原料气体由供气装置引入到上述膜生成腔内;同时利用微波施加器装置将微波能量辐射到上述膜生成腔内,以在上述的膜生成腔内产生微波等离子,借此在暴露在上述微波等离子中的上述连续运动的圆周墙的内墙表面上形成淀积膜。
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公开(公告)号:CN1029993C
公开(公告)日:1995-10-11
申请号:CN90106809.8
申请日:1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法,所述方法包括:按纵向连续移动的基片带;在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室;通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间;同时,通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间,其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区,由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号:CN1043348A
公开(公告)日:1990-06-27
申请号:CN89108774.5
申请日:1989-11-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 松山深照
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/54
Abstract: 连续在基片上淀积功能膜的微波CVD装置包括膜形成室,该膜形成室具有用腐蚀气体清洗微波输入窗的腐蚀室;所述微波输入窗包括有多个叠置的微波传输窗,其中一个微波传输窗在膜形成空间中裸露,且可在膜形成室与腐蚀室之间运动,以使先前在膜形成室中使用过的微波传输窗被清洗,清洗方式是,在膜形成室中进行形成膜工作的同时,在腐蚀室中用腐蚀气体腐蚀掉淀积在微波传输窗上的膜。
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