公开(公告)号：CN116017990A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310099269.9

申请日：2023-01-29

Applicant: 之江实验室

Inventor： 阮罗渊 ,  白石根 ,  宋睿煊 ,  陈焕坚 ,  杜瑀 ,  唐燕如 ,  林虹宇 ,  单玉风 ,  俞国林 ,  邓惠勇 ,  戴宁

IPC: H10K30/10 ,  H10K71/16 ,  H10K30/81 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明公开了一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器，包括衬底，背栅区，吸收区和源漏区，其中：背栅区位于衬底上，背栅区为具有周期性铁电畴的P(VDF‑TrFE)铁电薄膜；吸收区位于背栅区上，所述吸收区为WSe2类超晶格薄膜；源漏区位于吸收区上，源漏区为叉指结构金属电极。该光电探测器具有较高的探测范围、探测率和响应率，本发明还提供了一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器的制备方法。该方法能够较为容易的制备出WSe2类超晶格。

公开(公告)号：CN114035131A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111309998.X

申请日：2021-11-08

Applicant: 之江实验室

Inventor： 陈焕坚

IPC: G01R33/12 ,  G01R33/16

Abstract: 本发明公开了一种常温探测磁性材料电输运性质的装置，包括底板、电磁铁、磁铁控制电源、高斯计、电流源、电压表、转台、计算机、样品托、PCB电路板和金属支撑架，所述样品托置于两块对称安装的所述电磁铁的中心区域，所述高斯计探针置于两块所述电磁铁之间，所述转台固定在所述底板上，所述转台通过内部的电机控制所述金属支撑架，所述金属支撑架与所述样品托固定连接，所述PCB电路板固定于样品托上，所述PCB电路板用于放置磁性材料样品，并用于将样品上的霍尔棒器件与所述电流源和所述电压表连接，本发明提出了一种常温探测磁性材料电输运性质的装置及测量方法，通过该装置及测量方法可表征磁性材料的反常霍尔、磁电阻和载流子迁移率等物理特性。

公开(公告)号：CN116477849A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310395496.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 之江实验室

Inventor： 宋睿烜 ,  阮罗渊 ,  陈焕坚 ,  孙沐晨 ,  唐燕如 ,  白石根 ,  杜瑀 ,  林虹宇 ,  单玉凤 ,  邓惠勇 ,  戴宁

IPC: C03C17/34 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/25 ,  C03C17/00

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列。该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。

公开(公告)号：CN115055137A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210932361.4

申请日：2022-08-04

Applicant: 之江实验室

Inventor： 唐燕如 ,  孙艳 ,  阮罗渊 ,  杜瑀 ,  陈焕坚 ,  宋睿烜 ,  白石根

IPC: B01J19/00

Abstract: 本发明公开了一种微反应器的加工方法，包括以下步骤：步骤S1：将透明陶瓷作为微反应器基片；步骤S2：利用飞秒激光微加工技术在透明陶瓷微反应器基片内部形成改性图样；步骤S3：在透明陶瓷微反应器基片内部形成微通道；步骤S4：利用微通道抛光技术对微通道进行抛光，获得微通道内壁光洁的透明陶瓷微反应器基片；步骤S5：将微通道内壁光洁的透明陶瓷微反应器基片保温退火处理，得到透明陶瓷微反应器。本发明采用透明陶瓷作为微反应器的基体材料，同时利用飞秒激光微加工技术在透明陶瓷微反应器基体内部形成微反应通道。制备的透明陶瓷微反应器，可承受5Mpa以上的流体压力以及‑50℃至1500℃的使用温度，同时可承受酸碱以及有机物腐蚀。

公开(公告)号：CN114032504B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111297781.1

申请日：2021-11-04

Applicant: 之江实验室

Inventor： 陈焕坚

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明公开了一种实现无场翻转的重金属/铁磁/重金属异质结及其制备方法，包括基片，位于所述基片上的底部重金属层，位于所述底部重金属层上的铁磁层，位于所述铁磁层上的顶部重金属层，所述顶部重金属层为楔形结构；制备方法包括以下步骤：S1：在本底真空及高纯度氩气条件下，以重金属为靶材，采用超高真空磁控溅射技术在基片上沉积重金属得到底部重金属层；以铁磁金属为靶材，采用超高真空磁控溅射技术在所述底部重金属层上沉积铁磁得到铁磁层；以重金属为靶材，采用超高真空磁控溅射技术在所述铁磁层上沉积重金属得到顶部重金属层。本发明可实现无外磁场下的电致磁矩翻转，通过调控顶部重金属层楔形的厚度，获得无场翻转所需结构。

公开(公告)号：CN114015983B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111297810.4

申请日：2021-11-04

Applicant: 之江实验室

Inventor： 陈焕坚

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明公开了一种体垂直各向异性的亚铁磁合金薄膜及其制备方法，包括衬底，位于所述衬底上的亚铁磁合金薄膜,位于所述亚铁磁合金薄膜上的MgO薄膜,位于所述MgO薄膜上的Pt薄膜；制备方法包括以下步骤：S1：在真空及高纯度氩气条件下，以过渡族磁性金属Co和稀土金属Tb为靶材，采用超高真空磁控溅射技术在衬底上共溅射Co和Tb得到CoTb亚铁磁合金薄膜层；S2:在真空及高纯度氩气条件下，以MgO陶瓷为靶材，采用超高真空磁控溅射技术在所述合金薄膜层上沉积MgO得到MgO薄膜层；S3：在真空及高纯度氩气条件下，以金属Pt为靶材，采用超高真空磁控溅射技术在所述MgO薄膜层上沉积Pt得到Pt薄膜层。本发明在粗糙度很大的铝箔片和柔性衬底上都能保持较好的垂直各向异性。