一种手性6-羟基吡啶噁唑啉化合物、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116655616A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310387090.3

    申请日:2023-04-12

    Abstract: 本申请公开了一种手性6‑羟基吡啶噁唑啉化合物、制备方法及应用,所述手性6‑羟基吡啶噁唑啉化合物以含取代基的1‑氰基吡啶和手性2‑胺基乙醇为起始原料,合成了一系列结构新颖的手性6‑羟基吡啶噁唑啉类化合物。本申请公开的制备方法起始原料市售易得,或容易制备,降低了目标分子制备的成本;合成路线简洁高效,反应条件温和且操作简单,减少了制备产生的化学废弃物;目标分子6‑羟基吡啶噁唑啉是一类全新的手性化合物,具有潜在的辅助过渡金属催化不对称合成的应用前景;起始原料取代基种类丰富,满足了合成策略对目标分子多样性的要求,产物可以通过官能团转化制备结构更加复杂的分子。

    一种芳基硼酸酯类化合物的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115124558A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210800510.1

    申请日:2022-07-08

    Abstract: 本申请公开了一种芳基硼酸酯类化合物的制备方法及其应用,包括以下步骤:将含有苯酚类化合物、联硼类化合物、催化剂、配体、四甲基氟代脲六氟磷酸酯和磷酸钾的混合物反应,得到芳基硼酸酯类化合物。本申请公开的方法为芳基硼酸酯类化合物的制备提供了新途径。该方法于温和条件下,仅在一步反应中实现了苯酚类化合物的脱氧硼化构筑芳基硼酸酯类化合物,不仅操作简单、对环境友好,且具有步骤经济性优点,降低了合成成本。该方法反应条件简单成本低,且适用底物广;在廉价过渡金属参与的条件下,反应选择性高,副反应少,对苯酚骨架结构上的不同的取代基均具有很好的反应活性,且成品收率良好。

    一种TML型触发器分子及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114891034A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210415496.3

    申请日:2022-04-20

    Abstract: 本申请公开了一种TML型触发器分子及其制备方法和应用,具有A所示的结构:其中,PG‑Nu选自频哪醇硼酸酯基、硝基、乙酰氧基或磷酰氧基;R’选自烷基、芳基、酯基、烷氧基或硝基;PG‑Nu和R’不同时为硝基。所述制备方法步骤简单、原子经济性好;芳香碘代物易得,取代基的位置和种类丰富多样,特戊酸常规化工原料,容易取得。小量反应中经反应后处理和硅胶柱层析纯化,可以以较好的收率得到邻位取代的单芳基化产物,单芳基化产物与双芳基化产物的比例超过20:1。

    巴多昔芬及其类似物的合成方法

    公开(公告)号:CN112110845B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN201910544283.9

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明提供了一种巴多昔芬及其类似物的合成方法,以简单易得的初始原料作为合成路线的开端,无需预先制备氨基上具有例如‑Ac、‑NO、‑NH2等导向基团的N‑取代的苯胺类化合物,反应过程中所用的氧化剂具有双重作用,既具有氧化作用,又可以实现原位形成‑NO导向基团,避免了使用过量的金属化合物作为氧化剂,降低了合成成本和后处理难度,满足了绿色化学的需求;反应温度相对温和,有利于大规模试验,且得到的产物纯度高。本发明实现了一种易操作、原子经济性好、高选择性、环境友好、新颖的、可实用性的合成巴多昔芬及其类似物的方法,提供了适用于与巴多昔芬具有一类核心的结构合成,利于先导化合物的研发。

    稀土卤化物的制备方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102701261A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210207087.0

    申请日:2012-06-20

    Abstract: 本发明涉及稀土卤化物的制备方法。该方法包括制备稀土卤化物粉末的步骤,并对对稀土卤化物粉末进行区熔提纯。所述的稀土卤化物的通式为LnX3,其中Ln选自La、Ce、Pr、 Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc或Y;X选自Cl、Br或I。该方法可降低卤氧化物和杂质金属离子含量、提高稀土卤化物的纯度,并且适用于规模制备。

    制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法

    公开(公告)号:CN102560647A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210027676.0

    申请日:2012-02-08

    Abstract: 本发明涉及一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法。本发明采用改良的改良坩埚下降法来制备闪烁晶体Cex:La(1-x)Br3,所述改良的坩埚下降法在原料熔化阶段通过三温区独立控制,将上温区分为上a温区和上b温区,上温区温度比晶体的熔点高,且上b温区的温度略高于上a温区;在晶体自发成核阶段,利用预埋的透明石英光纤,导入氦氖激光,通过观测激光的光损耗变化情况,来确定自发成核的籽晶经过筛选后是否单晶化;在晶体生长后,在还原氢气氛下长时间退火,消除晶体热应力并将晶体中的无用的Ce4+变价为Ce3+。

Patent Agency Ranking