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公开(公告)号：CN102062826A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010564525.X
申请日：2010-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于差分方法的MEMS器件信号检测电路，包括：一信号源；一跟随器，该跟随器的输入端与信号源的输出端连接，以跟随信号源的变化；一第一器件夹具，该第一器件夹具的一端与跟随器的输出端连接，以提供一路与信号源同相的激励信号；一反相器，该反相器的输入端与信号源的输出端连接，以将信号源的输出信号反相；一第二器件夹具，该第二器件夹具的一端与反相器的输出端连接，以提供一路与信号源反相的激励信号；一跨阻放大器，该跨阻放大器的输入端与第一器件夹具及第二器件夹具的另一端连接，以将第一器件夹具与第二器件夹具的电流之和转化为电压。
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公开(公告)号：CN118529693A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410435356.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/18 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种Z轴检测的三明治MEMS加速度计及其制备方法，涉及传感器技术领域，该制备方法包括：提供带有垂直引线的第一硅‑玻璃复合盖板和第二硅‑玻璃复合盖板，以及包括质量块、边框和悬臂梁的结构层；采用阳极键合工艺，将第一硅‑玻璃复合盖板、结构层和第二硅‑玻璃复合盖板从上到下依次对准叠合后进行键合；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的下端与结构层连接；在第一硅‑玻璃复合盖板的上表面形成第一金属电极和第二金属电极；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的上端与第一金属电极连接；在第二硅‑玻璃复合盖板的下表面形成第三金属电极。本发明采用阳极键合方式制备的加速度计可以实现Z轴加速度检测，并提升器件的空间利用率。
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公开(公告)号：CN111865249A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910359434.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种谐振结构及其制作方法，结构包括：支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；谐振体(2)介于第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，谐振体(2)沿平行于第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，支撑梁(1)沿椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿谐振体(2)，谐振结构形成的驻波波长等于椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸。该谐振结构能量被约束在谐振器内部，无法沿支撑梁向外耗散，保证了该谐振结构的品质因数，并且谐振结构的特征频率由谐振体横截面的短对称轴尺寸决定，便于在单个衬底上同时制备不同谐振频率的谐振结构。
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公开(公告)号：CN107688348B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710683066.9
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种实现指向控制功能的无线人机交互设备和方法，利用加速度计和磁强计对姿态角估计值修正，因而传感器误差影响小；利用无线传输模块，与智能设备通过无线信号进行连接，无线控制的特点使本发明方便、灵活、在有限距离内都可使用；利用控制模式的切换键选择2D图形界面或3D图形界面的指向控制工作模式，使无线人机交互设备适合不同图形界面的操作系统；通过控制模式的开关键，当光标移至屏幕边界、无法流畅控制或不需要控制时，强制将光标的位移变换为零，方便使用者调整操作姿势。
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公开(公告)号：CN110773408A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911080138.6
申请日：2019-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B06B1/02
Abstract: 本发明公开了一种电容式微纳超声换能器及其制备方法。该电容式微纳超声换能器包括：衬底；凹槽阵列，包括多个阵列式排布的凹槽，该凹槽形成容置空间，设置于衬底的上表面；下电极板，设置于凹槽阵列的容置空间之内；上电极板，设置于凹槽阵列之上，并与衬底的上表面接触连接；下电极引线，贯穿衬底，并与凹槽阵列中的下电极板接触连接；上电极引线，贯穿于衬底上不具有凹槽阵列的区域，并与上电极板电性连接。本发明提供的该电容式微纳超声换能器及其制备方法，具有工艺简单、垂直引线减少寄生电容及互连电阻、封装气密性好、易与电路芯片实现三维堆叠集成的优点，可提高系统的性能和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105306003B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510810985.9
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明公开了一种环形检测电极面内伸缩谐振器及其制备方法。所述谐振器包括：依次生长在衬底上的下电极缓冲层、下电极层、压电层、绝缘保护层和上电极层，该面内伸缩谐振器的主体结构包括通过中间的耦合梁连接的圆形平板驱动单元和检测单元，驱动单元从底部依次包括圆形下电极、压电薄膜层以及上面覆盖的圆形上电极层，检测单元从底部依次包括环形下电极层、压电薄膜层以及上面覆盖的环形上电极层，驱动单元和检测单元之间的耦合梁没有上电极层，所述主体结构的整体的外侧通过锚点两端固定连接在衬底上；所述主体结构下方的衬底通过背面刻蚀形成悬空结构。
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公开(公告)号：CN104482930B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410734012.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构，包括：一耦合梁；一第一支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的一侧；一第二支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧；该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小，结构简单、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN115343503B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110531763.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅‑玻璃复合盖板与第四低阻硅晶圆的第一凹槽所在面进行键合，得到第二键合片；以图形化的ITO为掩膜或以图形化的ITO和光刻胶为掩膜，对应固定电容极板的位置，在减薄后的第四低阻硅晶圆所在面刻蚀出“凸”字形的质量块，得到包含结构层的第三键合片，其中，质量块包括大小不同的第一电容极板和第二电容极板。本发明的跷跷板加速度计制备方法通过一次刻蚀得到质量块，工艺简便高效，精度高。采用硅‑玻璃复合盖板，同时包括垂直引线与固定极板，并采用阳极键合工艺实现密封封装，有效提高器件密封性能，减小芯片横向面积，有利于提高器件微型化。
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公开(公告)号：CN116779426A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210732175.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中关村芯海择优科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/033 , H01L21/285
Abstract: 本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、用途，该掩膜结构包括：衬底层；器件安置区，为衬底层上的通孔结构；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层内包含镂空区，镂空区位于器件安置区的上方。
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公开(公告)号：CN111865249B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910359434.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种谐振结构及其制作方法，结构包括：支撑梁(1)、谐振体(2)，第一电极(3)及第二电极(4)；谐振体(2)介于第一电极(3)及第二电极(4)之间，三者紧贴，谐振体(2)沿平行于第一电极(3)表面方向的横截面为椭圆或者菱形，支撑梁(1)沿椭圆或者菱形的短对称轴方向贯穿谐振体(2)，谐振结构形成的驻波波长等于椭圆或者菱形的短对称轴的尺寸。该谐振结构能量被约束在谐振器内部，无法沿支撑梁向外耗散，保证了该谐振结构的品质因数，并且谐振结构的特征频率由谐振体横截面的短对称轴尺寸决定，便于在单个衬底上同时制备不同谐振频率的谐振结构。
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