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公开(公告)号：CN102096316A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617769.X
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法，其特征在于首先在掩模基底上制备岛型凸起结构，然后溅射避光膜层，利用直写手段在岛形区域的避光膜层上加工纳米图形。本发明可以提高掩模图形结构特征尺寸小于λ/2时，超衍射光刻所得光刻材料图形结构的分辨力和光刻图形质量。
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公开(公告)号：CN101825845A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910243538.4
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法，该方法是利用表面等离子体成像光刻复合掩模和加工有三层光刻胶结构的基片接触曝光，通过显影，实现纳米尺度线宽的图形成像光刻在厚度很薄的表层光刻胶膜层上，进一步通过两步刻蚀将图形传递到底层光刻胶，其光刻胶图形可以达到100nm～500nm。该方法解决了传统技术报道中表面等离子体成像光刻的图形深度浅、对比度低的技术缺陷，实现了高深宽比的纳米线宽图形光刻，可用于加工线宽20nm～500nm的纳米光刻胶图形，在电子集成线路加工、纳米光学材料加工等众多领域有广泛应用。
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公开(公告)号：CN101794070A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910243540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种用于缩小投影超分辨成像的器件和光刻方法。器件主要结构特征为多层交替叠加的金属和介质薄膜，薄膜界面为特殊设计的曲面。在薄膜结构最外层掩模物信息以一定缩小倍率成像传递到另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。或者通过投影光学系统将掩模图形投影成像到超分辨成像器件的物平面上，再以一定缩小倍率成像传递到器件另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。
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公开(公告)号：CN101726990A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910241920.1
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F1/08
Abstract: 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形；以铬膜层为遮蔽层，通过反应离子束刻蚀硅膜，使铬膜上的图形转移至硅膜上；最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜，制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难，在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101718952A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910243534.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数，确定掩模开孔的形状和几何尺寸；沿掩模移动方向，在掩模上周期性地制备出此开孔；在膜料沉积过程中移动掩模，由掩模开孔的形状和几何尺寸控制此膜层各沉积区域的膜厚分布；重复以上步骤，通过更换掩模和膜料，可连续沉积多层不同材料和厚度分布的浮雕结构膜层。该方法结合了移动掩模技术和定向沉积技术，不需要经过曝光、刻蚀等复杂工艺步骤就可以在基底上直接沉积得到一层或多层预定厚度分布的浮雕结构膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117038431A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311103211.3
申请日：2023-08-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种小尺寸超平坦晶圆及其加工方法，该方法包括：S1，对第一超平坦晶圆的第一表面涂覆第一保护层，并固化；其中，第一超平坦晶圆的局部面形平整度满足面形初始要求；S2，对第一超平坦晶圆的第二表面涂覆第二保护层，并固化；S3，对S2所得的第一超平坦晶圆进行切割，得到预设尺寸的第二超平坦晶圆；S4，对第二超平坦晶圆依次进行边缘倒角处理、边缘抛光处理；S5，去除第二超平坦晶圆上的第一保护层和第二保护层，并进行清洗处理以去除金属、颗粒杂质，得到满足目标光刻技术工艺要求的小尺寸超平坦晶圆。本公开的加工方法能够得到面形质量高、金属颗粒水平达标的小尺寸晶圆。
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公开(公告)号：CN102866594B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210365973.6
申请日：2012-09-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光栅辅助纳米成像的光刻方法，纳米物体或纳米图形掩模位于物方区域，在纳米物体或纳米图形掩模前放置一物方光栅，该光栅作用在于将高频倏逝波转化为传输波；在物方光栅外的远场区域放置一光学成像镜头组，利用该镜头组实现对光场分布投影成像。在光学成像镜头组另一侧放置一像方光栅，将传输波转化为高频倏逝波，最后在像方光栅下的成像区域成像。本发明利用两个光栅对传输波和倏逝波进行转化，同时利用光学成像镜头组实现对光场分布投影成像，得到了亚波长尺度的成像，突破了常规超衍射材料近场限制，物像空间位置关系可处于远场范围，且视场不受限于超衍射材料的损耗、加工困难等因素，拓展到与传统成像光学系统视场相当的尺寸。
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公开(公告)号：CN102628985A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210107957.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用超衍射离轴照明技术的纳米表层光学显微成像器件及成像方法，所述器件从下到上依次包括透明基底层、纳米结构层、PMMA填充层和金属/介质多层膜层。其中纳米结构层可对从透明基底背面入射的照明光进行空间频率和偏振方向的调制，金属/介质多层膜层可对调制后的照明光进行空间频率的高通滤波，最终在金属/介质多层膜层的上表面可以形成一个局域在5nm～200nm范围内的消逝光场。该消逝光场可用于普通光学显微镜对待测样品的照明，实现待测样品5nm～200nm深度范围内的表层成像。所述器件所提供的照明的方式能有效减小样品内部结构的散射光对表层成像的干扰，提高表层成像的分辨率，为物质表层结构观测、成分分析提供了一条有效的途径。
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公开(公告)号：CN101794070B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910243540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于缩小投影超分辨成像的器件和光刻方法。器件主要结构特征为多层交替叠加的金属和介质薄膜，薄膜界面为特殊设计的曲面。在薄膜结构最外层掩模物信息以一定缩小倍率成像传递到另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。或者通过投影光学系统将掩模图形投影成像到超分辨成像器件的物平面上，再以一定缩小倍率成像传递到器件另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。
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公开(公告)号：CN101792111B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910243533.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调制；在基底的同一区域连续沉积多层不同膜料和厚度分布的膜层，从而得到多层浮雕结构的复合膜层。本发明在微/纳浮雕结构的制备方面具有广阔的应用前景。
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