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公开(公告)号：CN118053755A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410206539.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管深槽隔离结构的制造方法，包括：在衬底上依次形成埋层、N型外延层和掩膜层；通过光刻和刻蚀形成深槽结构；依次对深槽结构进行第一步线性氧化、第一次退火处理、第二步线性氧化、第二次退火处理；在深槽结构中填充多晶硅介质；蚀刻去除非深槽结构区的多晶硅介质；氧化深槽结构顶部的多晶硅介质，形成深槽隔离结构。本发明通过采用两步线性氧化加退火处理，充分释放深槽隔离结构中槽壁氧化层制造过程中产生的热应力，减少由应力触发生成的位错核及其诱导产生的位于SiGe基区‑集电极区域附近的界面缺陷，有效降低陷阱中心对载流子的俘获和释放过程，抑制随机电报噪声的产生，达到优化器件低频噪声特性的效果。
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公开(公告)号：CN119815910A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411950645.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于热耦合优化的多叉指双极晶体管结构，包括硅基衬底和外延层；所述外延层的双极晶体管器件区中沿其长度方向依次设置有N个叉指结构；每一所述叉指结构分别包括基区、发射区和深集电极接触区，所述基区设置在外延层的顶部区域，所述发射区设置在基区的顶部区域；所述深集电极接触区设置在基区的一侧，且从外延层的顶部垂直向下延伸至外延层的底部；沿从双极晶体管器件区的边缘向中间的方向，所述叉指结构中发射区的长度依次减少。本发明中，通过增大多叉指双极晶体管中边缘叉指结构的发射区长度并减小中部叉指结构的发射区长度，可以降低多叉指双极晶体管中边缘叉指结构和中部叉指结构的结温差异，提升器件的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN119815905A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411950737.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法，制作方法包括：在第一有源区的衬底中注入形成埋层；在第一有源区和第二有源区的交界处形成浅槽隔离区；在埋层的下方通过注入形成深N阱；在深N阱正上方的四周的衬底中通过注入形成浅N阱，浅N阱与深N阱的边缘形成重叠；在深N阱的正上方的衬底中通过注入形成P阱；制作栅极；注入形成源漏接触区、LDD区；形成侧墙隔离结构和金属化接触层。本发明中，通过在P阱下方的N型埋层以及深N阱实现双层衬底隔离，隔绝了P型衬底由于电路中不同偏置电压引起的噪声串扰，有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的值，达到抑制器件低频噪声的作用。
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公开(公告)号：CN118053897A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410212389.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种低基区连接电阻的高速锗硅HBT结构及其制造方法，结构包括：衬底；隔离区域，通过刻蚀并回填衬底形成；第一介电层，设置于衬底上靠近隔离区域的一侧；第二介电层，设置于第一介电层上背离衬底的一侧；外基区，设置于第二介电层上背离第一介电层的一侧；第一侧墙，通过刻蚀外基区并淀积介电材料形成；内基区，通过刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成，内基区与外基区接触。本发明中，刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成内基区，突破内外基区连接区较窄、电阻和电容优化存在较大瓶颈的问题；外基区与内基区连接形成自对准结构，降低基区连接电阻，提高器件的最高振荡频率。
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