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公开(公告)号：CN109280969B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811352761.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供一种气相晶体生长方法及氧化锌晶体，涉及晶体制备技术领域。一种气相晶体生长方法，主要包括以下步骤：将悬挂有籽晶的封帽固定在装有原料的坩埚上。籽晶与所述封帽、坩埚壁均为间隔设置，籽晶位于坩埚壁限定形成的腔体内。由于籽晶不与坩埚壁直接接触，也不与封帽直接接触，使得生长在籽晶上的晶体也不会与坩埚和封帽直接接触，使晶体在生长过程中不容易出现应力集中和晶体开裂现象。本发明避免了籽晶、生长在籽晶上的晶体与容器壁直接接触，防止了生长和降温过程中的应力集中、粘连、开裂现象，防止了空洞、起泡等缺陷生成，提高了晶体的结晶质量。由上述气相晶体生长方法制得的氧化锌晶体具有更高的质量，能够满足更多应用要求。
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公开(公告)号：CN106367806B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610879771.1
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺，涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法，其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量，除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，第一温度为100‑200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，第二温度比As生长温度高12‑23℃。此方法能够降低As源的杂质浓度，从而降低采用该As源制得的GaAs材料的杂质浓度。GaAs材料的生长工艺，其以Ga源和通过上述方法处理得到的As源为原料，采用固源分子束外延法进行生长。此工艺采用上述得到的低杂质浓度的As源，有利于生长出质量好的GaAs的晶体，从而提高激光器的质量。
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公开(公告)号：CN106112868B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610719372.9
申请日：2016-08-24
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明涉及一种用于夹持半导体器件的夹具，属于半导体光学电子技术领域，包括基座、支撑件、夹持件、拉杆、挡板及弹性件；支撑件固定设置于基座且设置有用于放置样品的工作端面，工作端面相对于基座的端面倾斜，工作端面设置有用于支撑样品的限位台；夹持件包括连接板和侧板，连接板与侧板连接，侧板与支撑件连接；连接板开设有第一定位孔，拉杆穿设于第一定位孔，拉杆的一端与挡板固定连接，弹性件套设于拉杆且抵接于连接板和挡板之间，挡板与支撑件之间形成用于夹持样品的夹持区。本实施例提供的夹具，结构简单，便于样品装夹，能够保证样品非高反膜生长面上不生长高反膜，样品合格率高。
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公开(公告)号：CN105887046A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610505715.1
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导CVD装置，包括真空腔体，抽气系统，真空计，气体输运系统以及激光器。真空腔体是化学反应发生的场所，气体输运系统把发生反应的物质输送到真空腔内，激光给化学反应的发生提供能源，抽气系统保证化学反应的真空环境，真空计测试腔体的真空度。其中的气体输运系统采用脉冲进气和特殊的管道口设计，特殊的管道口设计保证了气体以一定流量均匀的进入真空腔体，配合优化的气体流量和真空度可实现气体以分子流的方式进入真空腔体，脉冲进气可进一步的实现气体的精确控制。本发明通过脉冲进气和特殊管道口的设计，在激光的作用下可实现聚合物的单分子层化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN120009316A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510503865.8
申请日：2025-04-22
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明涉及激光成像技术领域，具体涉及变锥面弯晶与X射线条纹相机高精度动态耦合方法及装置，所述方法包括：在相同光路下，分别利用可见光源和X射线照射变锥面弯晶，使所述变锥面弯晶在成像板上分别形成可见光源聚焦线和X射线聚焦线；通过图像采集装置获取可见光源聚焦线和X射线聚焦线的位置信息，并提取聚焦线相对偏差；将变锥面弯晶与X射线条纹相机通过三维调整机构耦合，并利用可见光源持续照射变锥面弯晶；根据图像采集装置和聚焦线相对偏差，通过三维调整机构调节变锥面弯晶的位置，使X射线聚焦线与X射线条纹相机的阴极狭缝重合。其目的在于，实现变锥面弯晶与X射线条纹相机的高精度耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298577B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610906199.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Inventor： 沈昌乐 , 蒋涛 , 王雪敏 , 吴卫东 , 黎维华 , 李佳 , 杨奇 , 湛治强 , 彭丽萍 , 王新明 , 樊龙 , 邓青华 , 赵妍 , 张颖娟 , 阎大伟 , 肖婷婷 , 孙亮
Abstract: 一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法及应用，属于薄膜材料领域。该方法在缓冲层生长完成后，用主挡板隔绝III族元素束源炉和衬底，既给了缓冲层充分的稳定时间，又保持III族元素束源炉始终处于开启状态，维持其内外温度的稳定，从而有效避免了过冲效应带来的测定误差，以获得更高的测定精度。本发明还提供一种上述方法在单晶薄膜沉积工艺中的应用，其采用上述的单晶薄膜沉积速率在线测定的方法对薄膜生长速率进行精确测定，并以此为依据调整薄膜生长相关的仪器参数，让薄膜在最适生长速度下生长，从而优化薄膜产品质量。
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公开(公告)号：CN106298460B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610906666.2
申请日：2016-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供一种基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法，属于半导体材料技术领域。使GaAs衬底表面在As分子束保护下从约400℃匀速升温至620℃～640℃，期间红外测温仪所得温度曲线拐点对应温度为脱氧点585℃，据此调整红外测温仪的发射率，用于GaAs衬底氧化膜脱附的过程控制。此脱附方法能够有效提高GaAs衬底表面的温度的测量准确性，并且在脱附的过程中不会对GaAs衬底形成结构缺陷，在此脱附方法的基础上优化GaAs衬底的表面结构，并通过缓冲层生长使其表面达到原子级平整。
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公开(公告)号：CN105887046B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610505715.1
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了种激光诱导CVD装置,包括真空腔体,抽气系统,真空计,气体输运系统以及激光器。真空腔体是化学反应发生的场所,气体输运系统把发生反应的物质输送到真空腔内,激光给化学反应的发生提供能源,抽气系统保证化学反应的真空环境,真空计测试腔体的真空度。其中的气体输运系统采用脉冲进气和特殊的管道口设计,特殊的管道口设计保证了气体以定流量均匀的进入真空腔体,配合优化的气体流量和真空度可实现气体以分子流的方式进入真空腔体,脉冲进气可进步的实现气体的精确控制。本发明通过脉冲进气和特殊管道口的设计,在激光的作用下可实现聚合物的单分子层化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN106112868A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610719372.9
申请日：2016-08-24
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明涉及一种用于夹持半导体器件的夹具，属于半导体光学电子技术领域，包括基座、支撑件、夹持件、拉杆、挡板及弹性件；支撑件固定设置于基座且设置有用于放置样品的工作端面，工作端面相对于基座的端面倾斜，工作端面设置有用于支撑样品的限位台；夹持件包括连接板和侧板，连接板与侧板连接，侧板与支撑件连接；连接板开设有第一定位孔，拉杆穿设于第一定位孔，拉杆的一端与挡板固定连接，弹性件套设于拉杆且抵接于连接板和挡板之间，挡板与支撑件之间形成用于夹持样品的夹持区。本实施例提供的夹具，结构简单，便于样品装夹，能够保证样品非高反膜生长面上不生长高反膜，样品合格率高。
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公开(公告)号：CN105068397A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510585184.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G03H1/12
Abstract: 本发明公开了一种量子级联激光器太赫兹源数字全息成像系统，包括量子级联激光器太赫兹源、光束整形模块、全息光路模块、图像探测与采集模块，光束整形模块的透镜将量子级联激光器太赫兹源的光束平行聚焦在第一离轴抛物镜上反射后由第二离轴抛物镜平行射出整形光束；全息光路模块的分束片将整形光束分为两路光束，第一路光束经第一反射镜透过样品台上的待成像物体形成携带物体信息的物光，照射至合光镜；第二路光束经第二反射镜照射至合光镜作为参考光；合光镜上的物光和参考光发生干涉现象形成全息图形由图像探测与采集模块进行数据采集。本发明的全息成像系统对非金属与非极性材料的结构和功能进行精细成像，并且整个系统模块化、小型化。
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