一种沿面触发结构及其构成的真空弧离子源

    公开(公告)号:CN106356269A

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201610984994.4

    申请日:2016-11-09

    CPC classification number: H01J27/022 H01J27/08

    Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构,包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源,其中,触发绝缘块水平设置且其上端面为平面,触发极为圆环状,触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央,阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接,触发极馈电杆下端与触发电源正极连接,触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单,便于实现,成本低,且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性,便于推广应用。

    一种沿面触发结构及其构成的真空弧离子源

    公开(公告)号:CN206134644U

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201621208603.1

    申请日:2016-11-09

    Abstract: 本实用新型公开了一种沿面触发结构,包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源,其中,触发绝缘块水平设置且其上端面为平面,触发极为圆环状,触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央,阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接,触发极馈电杆下端与触发电源正极连接,触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本实用新型还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本实用新型整体结构简单,便于实现,成本低,且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性,便于推广应用。

    中子发生器
    14.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206851129U

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201720607579.7

    申请日:2017-05-27

    Abstract: 本实用新型公开了中子发生器,包括绝缘管壁,绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口,在安装基板上设置有一个环状阳极板,在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极,环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接,在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶;还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本实用新型结构采用了径向引出的方法,保持轴向放电的方式,金属离子仍然会分布在轴线上,最终大部分会损失在边壁上,而氘离子由于分布在边沿处,受引出电场的影响,会有较高的引出效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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