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公开(公告)号：CN101341589B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780000853.3
申请日：2007-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , G01N23/225 , G01R31/302 , H01L21/027
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N21/956 , G01N2223/646 , G01R31/2831 , G01R31/305 , G01R31/307 , G01R31/308 , G01R31/311 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种对形成于基板上的形状的缺陷进行检查的缺陷检查方法，对于在基板上的被分割的多个区域中分别形成的规定图案，以光学式方法依次进行一次检查，从该多个区域中选择进行二次检查的该区域。对所选择的区域，使用电子射线进行二次检查，检测出缺陷。
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公开(公告)号：CN102414339A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080017943.5
申请日：2010-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/246
Abstract: 本发明提供一种能使保持了高流动性的状态的颗粒状的有机材料有效地升华、溶解的蒸镀处理装置和蒸镀处理方法。是通过蒸镀在基板上使薄膜成膜的蒸镀处理装置，具备供给材料气体的、自由减压的材料供给装置和在上述基板上使薄膜成膜的成膜装置，所述材料供给装置具有对材料进行定量的定量部和使通过了所述定量部的材料气化的材料气体生成部。
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公开(公告)号：CN102224275A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003266.1
申请日：2010-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体，在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部，在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间，配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。
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公开(公告)号：CN104137233A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011286.7
申请日：2013-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/02046 , H01L21/02063 , H01L21/67023 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种能够以较高的去除率去除附着于基板表面的微粒的技术。取得与附着于作为基板的晶圆(W)的微粒(100)有关的、包括粒径在内的微粒信息(74)，根据该微粒信息(74)来调整与清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇(200)的粒径有关的因素、例如气体压力。之后，自压力比晶圆(W)所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体，通过绝热膨胀生成上述气体团簇(200)。当将该气体团簇(200)向晶圆(W)的表面垂直地照射时，能够利用具有与微粒(100)的粒径相匹配的粒径的气体团簇(200)来进行清洗处理，其结果，即使在晶圆(W)的表面形成有用于形成电路图案的凹部(81)，也能够以较高的去除率去除凹部(81)内的微粒(100)。
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公开(公告)号：CN102224275B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201080003266.1
申请日：2010-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蒸镀头以及具有该蒸镀头的成膜装置，不仅对以往的小型基板还对大型基板也能够使在各个部位的喷射量均等，并且喷射确保均热性的材料气体，从而可以形成均匀的薄膜。蒸镀头被设置在对基板形成薄膜的蒸镀处理内，使材料气体向基板喷出，该蒸镀头具有外侧壳体、和配置在所述外侧壳体内并导入材料气体的内侧壳体，在所述内侧壳体中形成有使材料气体向基板喷射的开口部，在所述外侧壳体的外面或者所述外侧壳体与所述内侧壳体之间，配置有对材料气体进行加热的蒸镀头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100590834C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200780000265.X
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/611
Abstract: 本发明提供一种基板检查装置，该基板检查装置检查在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的组成不同的第二层而形成的叠层结构上，以该第二层的一部分露出的方式而形成的图案的缺陷，其具有：向上述基板上照射1次电子的电子发射单元；检测由上述1次电子的照射而生成的2次电子的电子检测单元；对由上述电子检测单元检测出的2次电子的数据进行处理的数据处理单元；和控制上述1次电子的加速电压的电压控制单元，其中，上述电压控制单元控制加速电压，使上述1次电子在露出上述第二层的部分，到达上述第一层与上述第二层的界面附近以外的上述第一层或上述第二层中。
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公开(公告)号：CN100372076C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN01822329.X
申请日：2001-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02046 , C30B33/00 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02301 , H01L21/02312 , H01L21/31138 , H01L21/31662 , H01L21/67109
Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。
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公开(公告)号：CN1716462A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510077852.1
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β－二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN1513189A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811026.9
申请日：2002-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大成建设株式会社 , 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β－二酮化合物中的任何一种。
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公开(公告)号：CN103999201A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280060467.4
申请日：2012-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/0002 , H01L51/0541
Abstract: 有机晶体管的制造方法具备：在基板(1)上层叠形成基底绝缘层(3)的工序；在基底绝缘层(3)上形成源电极(5a)、漏电极(5b)的工序；覆盖源电极(5a)、漏电极(5b)并且与基底绝缘层(3)接触地层叠形成有机半导体层(7)的工序；在有机半导体层(7)上层叠形成栅绝缘层(9)的工序；在栅绝缘层(9)上形成栅电极(11)的工序；以及，在形成有机半导体层(7)之前，对于基底绝缘层(3)的与有机半导体层(7)接触的面进行表面处理的工序。表面处理按照下述方式进行：将使用与有机半导体层(7)相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为W1时，在进行过表面处理的基底绝缘层(3)上形成有机半导体层(7)时，基底绝缘层(3)与有机半导体层(7)之间的附着功W2满足W1≥W2的关系。
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