公开(公告)号：CN101911266B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200980101621.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤浩 ,  伊藤仁 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。

公开(公告)号：CN101115864B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680004339.2

申请日：2006-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  小岛康彦 ,  佐藤浩

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45529 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975

Abstract: 本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。

公开(公告)号：CN100508136C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200510114267.4

申请日：2005-10-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 松泽兴明 ,  佐藤浩 ,  小宫隆行 ,  近藤英一 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。

公开(公告)号：CN101558480B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200780044324.3

申请日：2007-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤浩

IPC: H01L21/3205 ,  B05C5/00 ,  B05C11/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H05K3/125 ,  H01L27/1292 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/086 ,  H05K2203/1147

Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造装置及其制造方法。使密封部件(21)上升而使密封部件(21)的边缘部(21a)与支承部件(13)的接触面(17a)接触，在隔离了精密排出喷嘴(5)的状态下，使排气装置(41)动作，将腔(1)内减压排气至规定的压力。接着，通过气体导入部(26)，将吹扫气体从吹扫气体供给源(31)导入腔(1)内，用吹扫气体置换腔(1)内的气体，并且，在使腔(1)内恢复到大气压后，使密封部件(21)下降而解除对精密排出喷嘴(5)的隔离。接着，一边使承载器(7)在X方向往复移动，一边向基板(S)表面排出液体器件材料的液滴。

公开(公告)号：CN101911266A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101621.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤浩 ,  伊藤仁 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。

公开(公告)号：CN101115864A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004339.2

申请日：2006-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井直树 ,  小岛康彦 ,  佐藤浩

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45529 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975

Abstract: 本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。

公开(公告)号：CN1779927A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510114267.4

申请日：2005-10-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 松泽兴明 ,  佐藤浩 ,  小宫隆行 ,  近藤英一 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。

公开(公告)号：CN1685081A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822688.X

申请日：2003-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丸茂吉典 ,  佐藤浩 ,  定免美保

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/6715 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288

Abstract: 在扩散限制层(例如，阻挡层)上形成由对于无电解镀膜中包含的还原剂具有催化剂活性的催化剂活性材料构成的催化剂活性核后，用无电解镀液进行无电解镀。由催化剂活性核促进无电解镀膜中包含的还原剂的反应，能够在阻挡层上形成无电解镀膜。

公开(公告)号：CN102460653A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026564.2

申请日：2010-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  三好秀典 ,  保坂重敏 ,  佐藤浩 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/02 ,  C23C16/20 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明在于提供一种对具有凹部(2)的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层(122)的被处理体(W)形成含Mn的薄膜的成膜方法，其包括：在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序；通过在进行过亲水化处理的绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理形成含Mn的薄膜的薄膜形成工序。由此，在相对电容率低的由low-k膜构成的绝缘层的表面高效地形成含Mn的薄膜，例如MnOx膜。

公开(公告)号：CN101426950A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780013893.1

申请日：2007-04-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  TRICHEMICAL研究所股份有限公司

Inventor： 松本贤治 ,  佐藤浩 ,  大平达也 ,  町田英明 ,  石川真人

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在被处理体表面形成锰膜的成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：能够形成真空的处理容器(14)；载置台(16)，其设置在上述处理容器(14)内，用于载置上述被处理体；和原料气体供给部(18)，其与上述处理容器(14)连接，向上述处理容器(14)内供给包含含锰的有机金属材料或含锰的金属配位化合物材料的原料气体。成膜方法包括：将被处理体收容在能够形成真空的处理容器(14)内部的工序；和在上述处理容器(14)内部，使用包含含锰的有机金属材料或含锰的金属配位化合物材料的原料气体，利用CVD法在上述被处理体表面形成锰膜的工序。